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什么叫做间接半导体

发布时间: 2021-03-12 12:22:03

1. 什么叫做半导体

半导体( semiconctor),指常温下导电性能介于导体(conctor)与绝缘体(insulator)之间的材料。内如二极管就是采用半导容体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等。我们通常把导电性差的材料,如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单地把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。

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2. 有关物理方面间接半导体的问题

从激发说起。
如果一种材料,它的导带底部和价带顶部的波向量k不同,说明它是内间接禁容带半导体。这种材料在外来激发能量仅稍大于禁带宽度时的吸收系数较低,所以电子从价带顶激发到导带底的效率较低。同理它的发射效率也较低(不是不能)。
如果外来激发能量较大,比如用于照射的光子能量增大,也可以使间接禁带半导体(某些)产生直接激发,以及发射。不过这样做的话,势必使采用这种材料做成的器件,效率较低。
最有效的激发是:电子从价带顶部激发到导带底部,并且K相同。因为这时需要的外部激发能量最低,激发效率最高。同理这时发射效率也是最高的。--(A)
对于任何一种材料,它能吸收的激发能量和发射的光子能量,都不是唯一的。只要外部激发能量大于禁带宽度,就可以将价带上的更多能级上的电子,激发到导带上的更多能级上。并且有相应的多种发射。所以,导带跟价带间的发射不是只有一种,发射的光子的能量也不是只有一种。但是只有其中一种的效率是最高的(如A)。
(供讨论)

3. 什么是间接带隙

硅材料的禁带宽度很窄,本征激发比较容易,电子跃迁时发射和吸收的光子能量比较低,波长较长,属于红外光的范围,不在可见光的波长范围内,因此不易发光。

4. azo是直接半导体还是间接半导体

azO是间接半导体。

5. 如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。

光效率很大的话差专不多就是直接带隙,发光效率低属的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边,变化相对较缓,而间接带隙材料比较陡峭。

间接带隙半导体材料(如Si、Ge)导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。

电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

(5)什么叫做间接半导体扩展阅读:

光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。

光致发光特点:

1、光致发光优点

设备简单,无破坏性,对样品尺寸无严格要求;分辨率高,可做薄层和微区分析。

2、光致发光缺点

通常只能做定性分析,而不作定量分析;如果做低温测试,需要液氦降温,条件比较苛刻;不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。

6. 什么叫半导体

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能内力介于导体和绝缘容体之间,叫做半导体。
半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。
把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡

7. 什么叫间接禁带半导体

k空间中,价带顶与导带低不在同一k处,电子本证激发,从价带跃迁到导带,不仅需要改变能量,还要改变动量,这种半导体就是间接禁带半导体

直接禁带半导体电子本证激发,从价带跃迁到导带,只需要改变能量。

8. 什么是半导体

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝版缘体之权间,叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

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