为什么半导体电阻率随温度升高而降低

① 某半导体材料,电阻率随着温度升高先降低再升高再降低是什么原因

（1）根据来表中实验数据，源由欧姆定律可知，随电压增加，Z的阻值减小，随电压U与电流I的增加，Z的功率P=UI变大，Z的温度升高，阻值减小，由此可知，Z是由半导体材料制作的．
（2）由表中实验数据可知，当电流为1.8A时，电器元件Z两端的电压是1.2V；
由电路图2可知，电阻R与Z串联，电阻R两端的电压：U _R =U-U _Z =3V-1.2V=1.8V；
电阻R的电功率：P _R =U _R I=1.8V×1.8A=3.24W；
故答案为：（1）半导体材料；（2）3.24W．

② 半导体的电阻为什么随温度升高而降低

因为在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到版动态平衡，此时半导权体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

(2)为什么半导体电阻率随温度升高而降低扩展阅读

掺杂对半导体结构的影响：

1、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。

2、掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主与受主。施主原子带来的价电子大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。

3、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。

③ 为什么半导体和绝缘体材料的电阻率却随温度的升高而下降

半导体和绝缘体的电子要变成自由电子需要吸收较多的能量,温度高的话,电子能级提高,变成自由电子需要吸收的能量就减少.
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④ 为何纯金属的电阻率会随温度升高而增大而半导体的电阻率却随温度升高而降低

而半导体是靠少数残载流子导电，少数载流子本身就是靠热激发才产生的，温度越高载流子越多，因此电阻变小

⑤ 半导体和绝缘体材料的电阻率随温度的升高而减小这句话对吗

半导体靠晶体缺陷导电,温度升高时,空缺的移动速度快,所以电阻小.至于绝缘体……没有绝对的绝缘体的
这句话是正确的,有些材料的电阻率随温度升高而增大（如金属）;有些材料的电阻率随温度升高而减小（如半导体和绝缘体）;有些材料的电阻率几乎不受温度影响（如锰铜和康铜）因为半导体靠晶体缺陷导电,温度升高时,空缺的移动速度快,所以电阻小.

⑥ 从微观角度看，半导体的电阻为什么随温度的升高而减小

导体内事原子导电，而半导体是分子导电，而半导体是一种特殊材料，但温度升高时，其内部的分子受温度影响分解成原子，电阻减小

⑦ 半导体随温度电阻率逐渐变小，为什么

以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。因版为半导体价带权上的电子，随着温度的升高，不断地被激发到导带，使载流子的数量增加，其导电性得到不断加强，电阻率变小；
当温度上升到一定高度，价带电子的激发到了极限，同时晶格的热振动加剧，对载流子的散射作用也增强。这时，随着温度的进一步升高，半导体的电阻率则反而会增大。

⑧ 半导体随温度电阻率逐渐变小，为什么

半导体导电是通过载流子进行的，载流子数量越多，导电性能越好，也就是电阻率越低。
温度上专升属时，半导体电子热运动活动剧烈，能量增加，由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低（半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的），所以半导体带隙降低，Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T)，所以Eg越低导致ni^2 越高，由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下，电流变大，反映出的是电阻率变低。

https://..com/question/1987779684801752987
我在这里也有较为详细的解释，敬请参考。

谢谢！

⑨ 1,半导体随着温度升高,其电阻率的变化如何为什么

半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。
因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。
随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。

⑩ 金属的电阻率随温度升高而增大,半导体的电阻率为什么随温度升高而减小

这个需要一点固体物理和量子力学的概念.我刚好学习过:)

金属的电阻机理: 实际上,金属的晶格规则排列;金属的电子在金属内部的填充方式使得有一部分电子能够比较自由(我们称金属的一个价带是半满的,在这个价带内填充的电子参与导电).它们在规则的晶格里面用量子力学的计算结果得到一个振幅并不衰减的BLOCH波,说明晶格并没有阻碍电子的运动. 金属电阻的机制是,一个是晶格振动(金属晶体总有温度)这样晶格偏离规则的排列(BRAVIAS点阵排列),造成电子的BLOCH波有散射,形成电阻;另一个原因是金属晶体不纯净,有杂质,这样也参与破坏了这个BRAVIAS点阵排列,对BLOCH波有散射. 温度越高,晶格振动越激烈,对点阵的偏离越大,这样对BLOCH波的散射越厉害.这样,金属的电阻率就增大了,随着温度的升高.

半导体: 半导体有好几种. 你说的那种半导体,里面的电子填充使得只有很少部分电子处于导电的能带(就是这些电子的能量都差不太多,在一个能量区间内几乎连续取值.有些能量的区间,电子是不允许处于其中的,这就不是能带.每一条能带只能填充有限个电子(PAULI原理)当中. 下面的(能量比较低的)能带都已经被填满,它们并不参与导电. 随着温度升高,下面这些能带中有些电子被摇(热激发)到上面那个没怎么被填充电子的能带当中(那个是导带) ,这样,留下的空穴和摇到上面的电子都能参与导电,所以随温度升高,它的导电能力增强了