浅能级杂质在半导体中起什么作用

① 杂质在半导体中的行为主要有哪些

按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂版质。按照杂质电离能权的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大，而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。氧、氮、碳在半导体材料中的行为比较复杂，所起的作用与金属杂质不同，以硅和砷化镓为例叙述杂质的行为。
1可能影响半导体的单向导电性2造成电路短路3烧坏用电器答案补充
半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为N型半导体和P型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。

② 问一下，浅能级杂质在半导体中的作用是什么

浅能级杂质，由于它的电离能很小，在常温下就全部电离，所以在半导体中内可利用杂质电容离提供电子n型制成半导体或空穴制成p型半导体；而深能级杂质有三个基本特点：一是不容易电离（对其价电子的束缚比较紧，电离能大），对载流子浓度影响不大。二是一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。三是能起到复合中心作用（深能级一般在禁带中央附近，但是若深能级在费米能级附近则表现为陷阱效应），使少数载流子寿命降低。

③ 半导体材料中杂质能级位置的不同，可以起到不同的作用，说说什么位置的

半导体材料中杂质能级位置的不同，可以起到不同的作用，说说什么版位置的
浅能级杂权质电离能的计算; 3. 杂质补偿作用 4. 深能级杂质的特点和作用 §2-2 化合物半导体中的杂质能级 1、等电子杂质; 2、Ⅳ族元素起两性杂质作用

④ 浅能级杂质的介绍

浅能级杂质就是指在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子，往往就是能够提供载流子——电子或空穴的施主、受主杂质；它们在半导体中形成的施主能级接近导带，受主能级接近价带，因此称其为浅能级杂质。

⑤ 浅能级杂质的Ⅲ-Ⅴ族半导体中的浅能级杂质

a）在GaAs、GaP等Ⅲ-Ⅴ族半导体中，Ⅵ族元素是施主杂质，替代晶格上的Ⅴ族原子。它们在GaAs中的电离能分别为S[0.00587eV]、Se[0.00579eV]、Te[0.03eV]、O[有一个浅能级和一个0.75eV的深施主能级]；在GaP中的电离能分别为S[0.107eV]、Se[0.105eV]、Te[0.093eV]、O[只有一个0.897eV的深能级]。在GaAs和
GaP中常用的施主杂质是Se和Te 。
b）Ⅱ族元素是受主杂质，替代晶格上的Ⅲ族原子。它们在GaAs中的电离能分别为Be[0.028eV]、Mg[0.0288eV]、Zn [0.0307eV]、Cd[0.0347eV]、Hg[0.012eV]；在GaP中的电离能分别为Be[0.057eV]、Mg[0.060eV]、Zn[0.070eV]、Cd[0.102eV]。GaAs和GaP中常用的受主杂质是Zn、Cd和Mg。
c）Ⅳ族元素 (C、Si、Ge、Sn、Pb等) 属于两性杂质，一般形成浅能级。当它们替代晶格上的Ⅲ族原子时表现为施主，替代晶格上的Ⅴ族原子时表现为受主；如果是混乱地替代Ⅲ族和替代Ⅴ族原子，则总效果是起施主还是起受主作用，将与掺杂浓度和浓度条件有关。
杂质Si在GaAs中通常是取代Ga而起施主作用 (EC－0.002eV)，但当Si浓度>1018cm-3时，将取代As而主要起受主作用 (Ev+0.03eV)；另外, Si还产生两个与络合物有关的能级( [SiGa-SiAs]或[SiGa-VGa]络合物产生的(Ev+0.10eV)能级, [As-空位] 络合物产生的(Ev+0.22eV)能级)。Ge、Sn在GaAs中当取代Ga时都产生 (EC－0.006eV) 的浅施主能级, 当取代As时都产生受主能级 (Ge的为[Ev+0.03eV], Sn的为[Ev+0.20eV])，Ge络合物还产生一个(Ev+0.07eV)的受主能级。一般, Si 、Ge、Sn常用作为GaAs的浅
施主杂质。
Ⅳ族元素Si在GaP中取代Ga时将起施主作用[EC－0.082eV]，取代As时将起受主作用[Ev+0.203eV]。C在GaP中将产生一个受主能级[Ev+0.041eV]。Ge在GaP中将产生一个受主能级[Ev+0.30eV]。Sn在GaP中将产生一个施主能级[EC－0.065eV]。

⑥ 半导体中杂质的作用

半导体之所以能广泛应用在今日的数位世界中，凭借的就是其能借由在其晶格中植入杂质改变其电性，这个过程称之为掺杂（doping）。掺杂进入本质半导体（intrinsic semiconctor）的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响。而掺杂过的半导体则称为外质半导体（extrinsic semiconctor）。
哪种材料适合作为某种半导体材料的掺杂物（dopant）需视两者的原子特性而定。一般而言，掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施体（donor）与受体（acceptor）。施体原子带来的价电子（valence electrons）大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。而没有和被掺杂材料原子产生共价键的电子则会被施体原子微弱地束缚住，这个电子又称为施体电子。和本质半导体的价电子比起来，施体电子跃迁至传导带所需的能量较低，比较容易在半导体材料的晶格中移动，产生电流。虽然施体电子获得能量会跃迁至传导带，但并不会和本质半导体一样留下一个电洞，施体原子在失去了电子后只会固定在半导体材料的晶格中。因此这种因为掺杂而获得多余电子提供传导的半导体称为n型半导体（n-type semiconctor），n代表带负电荷的电子。

和施体相对的，受体原子进入半导体晶格后，因为其价电子数目比半导体原子的价电子数量少，等效上会带来一个的空位，这个多出的空位即可视为电洞。受体掺杂后的半导体称为p型半导体（p-type semiconctor），p代表带正电荷的电洞。

以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响。硅有四个价电子，常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素。当只有三个价电子的三价元素如硼（boron）掺杂至硅半导体中时，硼扮演的即是受体的角色，掺杂了硼的硅半导体就是p型半导体。反过来说，如果五价元素如磷（phosphorus）掺杂至硅半导体时，磷扮演施体的角色，掺杂磷的硅半导体成为n型半导体。

一个半导体材料有可能先后掺杂施体与受体，而如何决定此外质半导体为n型或p型必须视掺杂后的半导体中，受体带来的电洞浓度较高或是施体带来的电子浓度较高，亦即何者为此外质半导体的“多数载子”（majority carrier）。和多数载子相对的是少数载子（minority carrier）。对于半导体元件的操作原理分析而言，少数载子在半导体中的行为有着非常重要的地位。

⑦ 深能级和浅能级对半导体有什么影响

深能级一般是重金属杂质或者缺陷所产生的，主要是起着复合中心的作用，减短少数载流子寿命。浅能级基本上都是施主或者受主，主要是起着提供载流子的作用。

⑧ 深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响。

深能级杂质（重金属杂质）主要是产生复合中心，减短非平衡载流子寿命；浅能级回杂质（答施主和受主杂质）主要是提供载流子。这两种杂质都将散射载流子，可使迁移率下降。详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

⑨ 深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响

浅能级指能量复很靠近导带底的电子制束缚态，或能量很接近价带顶的空穴束缚态。浅能级中的电子或空穴，在稍高的温度（如室温）就基本上电离而成为在导带中的自由电子和价带中的自由空穴，起导电作用。
深能级是指靠近导带的空穴束缚态，或能量很接近价带顶的电子束缚态。半导体中的深能级所包括的范围十分广阔，可以是单个的杂质原子或缺陷，也可以是杂质和缺陷的络合体。它们往往可以连续接受几个电子，在禁带中形成多重能级，各对应于不同的电荷态。

⑩ 浅能级杂质的Ⅱ-Ⅵ族半导体中的浅能级杂质

在CdTe、ZnS等半导体中，Ⅲ族元素取代晶体的Ⅱ族原子，和Ⅶ族元素取代晶体的Ⅵ族原子时，都将起施主作用；例如, CdTe中的In、Al、Cl都是施主 (电离能为0.014eV)。Ⅰ族元素取代晶体的Ⅱ族原子，和Ⅴ族元素取代晶体的Ⅵ族原子时, 都将起受主作用；例如, CdTe中的Li、Na、P都是受主 (电离能为0.03eV)。