半导体击穿电压和什么有关

1. 电容器的击穿电压与哪些因素有关系

电容器击穿电压电指电容器介质所能承受的最大电压，这和介质的厚度、宽度以及介电常数息息相关。 电容的击穿电压不是计算出来的，它是以电容介质的击穿电压为依据经过试验得出的。是一个理论值再经过试验确定的结果。

2. 半导体被击穿后导致不能使用，是为什么

半导体器件一般都是硅材料制成的，常见的如二极管，三极管，MOS管，IGBT等，控制器件的回最基本结构是PN结，以及硅绝答缘层，这些结构的尺寸都非常小，耐电压和电流的能力都有限制，所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿，失去原有的特性，因为是物理损伤，微观上是硅晶体结构局部烧毁，所以无法恢复。
比如二极管的击穿，正常是正向导通，反向截止，一旦击穿，就失去这样的特性，特性变为电阻性的，严重的直接短路。

3. pn 结击穿主要包含哪些主要击穿机理对应不同机理击穿电压大 小范围

PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，目前常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压，因此，PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有最高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。
当 PN 结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，最终达到耗尽区载流子数目激增，PN 结发生雪崩击穿。

4. 什么是击穿电压与绝缘层厚度关系

当然是击穿电压的值大，比如某0.4千伏的常规导线，其绝缘强度是750伏，那么要击穿该导线，击穿电压就必须要超过750伏。

5. 什么叫击穿电压

使电介质击穿的电压抄。电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。不同电介质在相同温度下,其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后,由U1-U2=Ed知,击穿场强决定了击穿电压。击穿场强通常又称为电介质的介电强度。提高电容器的耐压能力起关键作用的是电介质的介电强度。附表为各种电介质的相对介电常量εr和介电强度。

6. 什么是击穿电压其影响因素有哪些

电压击穿指的是电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。通过这一项实验，能得出电压击穿样品时的电压，而这个电压是该样品的上限值。当设计产品时，通过耐高电压测试得到的上限值，就可以知道该材料的抗压性能，然而，影响击穿电压的因素有很多，又分为试样本身状态方面和试验条件方面的。
——影响因素——
1、试样本身的状态影响击穿电压的因素比较典型的有：
a.试样的厚度：试样的厚度不平均，每个点的击穿电压的大小就会不一样，厚度大的地方击穿电压往往会比薄的地方大。
b.试样的表面状况：试样是否存在着孔隙，也会影响击穿电压的测量。若样品存在着有孔隙，样品中的孔隙，可能会使得电场畸变，测量出的击穿电压，会比实际的电压要大。
c.机械应力：当样品受到太多的机械应力时，介质承受着机械应力，当样品承受的机械应力过大时，可能会导致样品表面有微微的开裂，从而使得测得的击穿电压偏小。
d.样品的前处理：同种类型的样品，预处理时的条件不同，也可能使得测得的击穿电压与实际值有偏差，所以，遇到需要预处理的样品时，保证同组的样品，要在相同的环境下进行预处理。

2、因试样的试验条件不同对，引起击穿电压测量的误差的因素有：
a.作用时间：电压作用的时间，如果不够长，测量的结果一般会与实际值存在着偏差。因为，当电压作用在样品上时，需要一定的时间，来击穿这个样。如果作用的时间不够长，即使，达到了实际的击穿电压值，样品可能也不会被击穿。
b.升压速率：升压速率过快，仪器可能采集不到样品本身的击穿电压。例如，一个样品本身的击穿电压是8KV，而设置的升压速率是3KV/min,这种情况也会导致结果出现误差。
c.电压的频率：在高频工作时，有一部分的能量转成了热能(介质发热)，加速了样品的击穿，测量所得的值可能会比实际值要偏小。
d.环境的影响：对于击穿电压的测量，还有来自环境的影响(湿度、温度)，就像第三点提到的那样，温度过高，加速了电压击穿样品，导致样品的实际与测量值存在着偏差；湿度过大，可能会导致样品受潮。样品受潮之后，样品内部含有的水分较多，而水是比样品更容易导电的，所测得的击穿电压就会比实际值要小。
以上叙述的是影响击穿电压的因素的一部分，为了减小这些因素带来的误差，我们要保证样品的表面光滑，样品的厚度尽量的平

7. 电容的击穿电压与什么有关

电容的击穿电压与制作电容的绝缘材料有关。

8. 在高电压下气隙的击穿电压和电击表面的什么有关

在高电压下气隙的击穿电压和电极表面的形状有关，也就是与表面的曲率半径有关，表面越尖，放电电压越低。

9. 半导体的导电性能与哪些因素有关

半导体
导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,叫做半导体．
例如：锗、硅版、砷化镓等．权
半导体在科学技术,工农业生产和生活中有着广泛的应用．（例如：电视、半导体收音机、电子计算机等）
半导体的一些电学特性
①压敏性：有的半导体在受到压力后电阻发生较大的变化．
用途：制成压敏元件,接入电路,测出电流变化,以确定压力的变化．
②热敏性：有的半导体在受热后电阻随温度升高而迅速减小．
用途：制成热敏电阻,用来测量很小范围内的温度变化．
③光敏性,有的半导体在光照下电阻大为减小．
用途：制成光敏电阻,用于对光照反映灵敏的自动控制设备中．

10. 影响sf6击穿电压的因素有哪些

sf6气体内电极之间的击穿电压和电场均匀程度有很大关系，均匀电场内击穿电压很高。
击穿电压还和带电颗粒、气体压力、纯度、含水量等有关系。