常温下半导体样品有什么限制

❶ 常温下半导体的电阻为零吗

导电性能介于导体和绝缘体二者之间的是半导体，在特定条件下电阻几乎为零的是超导体．
半导体不是超导体．半导体主要应用于各种电子设备中．故A、C、D错误．
故选B．

❷ 芯片为什么会有低温限制

所谓芯片抄，是在半导袭体基片上（一般是硅半导体基片）上通过工艺手段做成的集成电路。而半导体的性能不是一成不变的，而温度是影响半导体芯片的一个重要因素，随着温度的升高或降低，半导体的导电能力，极限电压，极限电流，和开关特性等都有很大的改变，而这些参数的改变可能造成半导体外部特性。比如，一个芯片在常温下能承受1.4V的电压，温度过高，可能就承受不了，导致半导体的击穿，造成芯片损坏，温度过低造成1.4V根本无法打开其内部的半导体开关导致其不能正常工作，所以芯片一定要有温度的限制，不管是高温或低温，

两外，我只是举例说明，至于温度高低对半导体的影响是电流变大或变小，我不大清楚了，你可以查相关的资料。

❸ 半导体主要有哪些特性

半导体的特征：

一、半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在 之间。

二、半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。

三、如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为 ，若按百万分之一的比例掺入少量杂质(如磷)后，其电阻率急剧下降为 ，几乎降低了一百万倍。半导体具有这种性能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。

常用的半导体材料是单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）。所谓单晶，是指整块晶体中的原子按一定规则整齐地排列着的晶体。非常纯净的单晶半导体称为本征半导体。

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一、本征半导体的原子结构

半导体锗和硅都是四价元素，其原子结构示意图如图Z0102所示。它们的最外层都有4个电子，带4个单位负电荷。通常把原子核和内层电子看作一个整体，称为惯性核。

惯性核带有4个单位正电荷，最外层有4个价电子带有4个单位负电荷，因此，整个原子为电中性。

二、应用

1、在无线电收音机及电视机中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

3、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

❹ 半导体单晶热处理的温度要求和目的

①热处理温度要求：650±5℃；
②热处理目的：还原直拉单晶硅片真实电阻率；

1、热处理后电阻率会有什么变化
由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃），以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的，这些氧杂质在器件工艺的热循环过程中由于固溶度的降低会产生氧沉淀。一般而言，氧浓度越高，氧沉淀越易成核生长，形成的氧沉淀也就越多。反之，氧沉淀就越少。尤其是当氧浓度小于一定值时（＜5×1017个/厘米3），几乎就观察不到氧沉淀的形成。
2、热处理的几个温度区间概念：
热施主：350-550℃，代表温度450℃.
450℃热处理后（或同等效果，如单晶在炉子里的冷却），可观察到N型样品的电阻率下降而P型样品的电阻率增高，有如引入一定数量的施主现象一样。这是由于在此温度下，溶解的氧原子迅速形成络合物（SiO4）所引起的热生施主，其电阻率与硅中氧含量的四次方成反比。
新施主：550-800℃，代表温度650℃.
650℃热处理，在迅速冷却的条件下（即迅速跨过450℃），可消除热生施主。即我们可观察到N型样品电阻率恢复高；P型样品电阻率恢复低。
沉淀：800-1200℃，代表温度1050℃
1050℃热处理，会带来氧沉淀，且因沉淀诱生层错等缺陷。
还原：＞1200℃
＞1200℃热处理，氧恢复到间隙态。

❺ 为什么石墨烯不能在常温下做晶体管能隙和晶体管还有半导体之间有什么关系

最简单地讲,能隙就好像开关,没能隙就好像它怎么都关不掉,能隙太大就好像开关专要费很大劲才能扳动。属半导体能隙正好,适合当开关。晶体管和场效应管这层可以去看模拟电路/数字电路的书,不过原理一般都说得特别模糊让人费解。原理上要看固体物理。不过固体物理能带理论又要看量子力学才能懂。至于好还是不好吃……我是说,好还是不好,看你怎么用。当成半导体直接当开关来用当然不好……不过总会找到其他用处的。
求采纳

❻ 半导体都包括哪些什么都属于半导体的范畴

半导体：常温下导电性能介于导体（conctor）与绝缘体（insulator）之间的材料。
主要材料：
元素半导体：内锗和硅是最容常用的元素半导体；
化合物半导体：包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。
技术科研领域：
(1)集成电路
它是半导体技术发展中最活跃的一个领域，已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管，可在一片硅片上制成一台微信息处理器，或完成其它较复杂的电路功能。集成电路的发展方向是实现更高的集成度和微功耗，并使信息处理速度达到微微秒级。
(2)微波器件
半导体微波器件包括接收、控制和发射器件等。毫米波段以下的接收器件已广泛使用。在厘米波段，发射器件的功率已达到数瓦，人们正在通过研制新器件、发展新技术来获得更大的输出功率。
(3)光电子器件
半导体发光、摄象器件和激光器件的发展使光电子器件成为一个重要的领域。它们的应用范围主要是：光通信、数码显示、图象接收、光集成等。

❼ 一块半导体样品的问题。麻烦好心人解答下。

光电导=有光照时的电导-无光照时的电导
本题光电导=1/50-1/5000=99/5000 （S）

❽ 半导体有哪些

半导体（ semiconctor），指常温下导电性能介于导体（conctor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。

如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

分类：

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。

除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

(8)常温下半导体样品有什么限制扩展阅读：

发展历史：

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

参考资料：

网络-半导体

❾ 求半导体样品的掺杂浓度光照对半导体样品的电导率会不会有影响

什么
样品
?
光照
会使
半导体
中形成
非平衡载流子
,
载流子浓度
增大必使样品
电导率
增大,由光照引起的半导体电导率增加的效应称为光电导