易冲半导体怎么样
1. 光纤激光器和半导体激光器有什么缺点应用前景怎么样
光纤激抄光器的主要优点是:
(1)转换效率高，激光阈值低。光纤的几何形状具有很低的体积和表面积，再加上在单模状态下激光与泵浦可充分耦合。
(2)器件体积小，灵活。
(3)激光输出谱线多，单色性好，调谐范围宽。并且其性能与光偏振方向无关，器件与光纤的耦合损耗小。
未来光纤激光器的发展趋势主要体现在以下三个方面:
(1)光纤激光器本身性能的提高;如何提高转换效率和输出功率，优化光束质量，缩短增益光纤长度。
(2)扩展新的激光波段,
拓宽激光器的可调谐范围压窄激光谱宽开发极高峰值的超短脉冲(ps和fs量级)高亮度激光器。
(3)进行整机小型化、实用化、智能化的研究。
半导体激光器易与其他半导体器件集成，但性能与光偏振方向有关，器件与光纤的耦合损耗大。
其波长范围宽，制作简单，成本低，易于大量生产。目前其主要应用领域是Gb局域网。在激光测距、激光雷达、激光通信、激光模拟武器、激光警戒、激光制导和跟踪、引燃引爆、自动控制、检测仪器等方面也有广泛应用。
2. 有人了解半导体材料吗它的就业前景如何有什么单位可以选择
介于导体与非导体间之物质（如矽或锗）,故其导电性居于金属与绝缘体之间,并随温度而增加。半导体材料,呈中度至高度之电阻性（视制造之际所掺杂之物质而定）。纯半导体材料( 称为内质半导体）,导电性低；若于其中添加特定类型之杂质原子（成为外质半导体）,则可大为增加其导电性。施体杂质（5价）可大量增加电子数目,而产生负型半导体；受体杂质（3价）则大量增加电洞数目,而产生正型半导体。此种外质半导体之导电性,端视其中杂质之类型及总量而定。不同导电性之半导体若经集合一起,可形成各种接面； 此即为半导体装置（供作电子组件使用）之基础。半导体一词,亦常意指此类装置本身（如电晶体、积体电路等）。 补充：良好的半导体有四个价电子,所以加入五价电子的原子会增加电子数（多一个）,而加入三价电子,会多一个电洞（少一个） 。
以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但是仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。1975年，英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功，使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级，促进非晶态半导体器件的开发和应用。同单晶材料相比，非晶态半导体材料制备工艺简单，对衬底结构无特殊要求，易于大面积生长，掺杂后电阻率变化大，可以制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸收系数大，转换效率高，面积大，已应用到计算器、电子表等商品中。非晶硅薄膜场效应管阵列可用作大面积液晶平面显示屏的寻址开关。利用某些硫系非晶态半导体材料的结构转变来记录和存储光电信息的器件已应用于计算机或控制系统中。利用非晶态薄膜的电荷存储和光电导特性可制成用于静态图像光电转换的静电复印机感光体和用于动态图像光电转换的电视摄像管的靶面。
具有半导体性质的非晶态材料。非晶态半导体是半导体的一个重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究，当时很少有人注意，直到1968年S.R.奥弗申斯基关於用硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后，才引起人们对非晶态半导体的兴趣。1975年W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了掺杂效应，使控制电导和制造PN结成为可能，从而为非晶硅材料的应用开辟了广阔的前景。在理论方面，P.W.安德森和莫脱，N.F.建立了非晶态半导体的电子理论，并因而荣获1977年的诺贝尔物理学奖。目前无论在理论方面，还是在应用方面，非晶态半导体的研究正在很快地发展著。
分类 目前主要的非晶态半导体有两大类。
硫系玻璃。含硫族元素的非晶态半导体。例如As-Se、As-S，通常的制备方法是熔体冷却或汽相沉积。
四面体键非晶态半导体。如非晶Si、Ge、GaAs等，此类材料的非晶态不能用熔体冷却的办法来获得，只能用薄膜淀积的办法(如蒸发、溅射、辉光放电或化学汽相淀积等)，只要衬底温度足够低，淀积的薄膜就是非晶态结构。四面体键非晶态半导体材料的性质，与制备的工艺方法和工艺条件密切相关。图1 不同方法制备非晶硅的光吸收系数 给出了不同制备工艺的非晶硅光吸收系数谱，其中a、b制备工艺是硅烷辉光放电分解，衬底温度分别为500K和300K，c制备工艺是溅射，d制备工艺为蒸发。非晶硅的导电性质和光电导性质也与制备工艺密切相关。其实，硅烷辉光放电法制备的非晶硅中，含有大量H，有时又称为非晶的硅氢合金；不同工艺条件，氢含量不同，直接影响到材料的性质。与此相反，硫系玻璃的性质与制备方法关系不大。图2 汽相淀积溅射薄膜和熔体急冷成块体AsSeTe的光吸收系数谱 给出了一个典型的实例，用熔体冷却和溅射的办法制备的AsSeTe样品，它们的光吸收系数谱具有相同的曲线。
非晶态半导体的电子结构 非晶态与晶态半导体具有类似的基本能带结构，也有导带、价带和禁带(见固体的能带)。材料的基本能带结构主要取决於原子附近的状况，可以用化学键模型作定性的解释。以四面体键的非晶Ge、Si为例，Ge、Si中四个价电子经sp杂化，近邻原子的价电子之间形成共价键，其成键态对应於价带；反键态对应於导带。无论是Ge、Si的晶态还是非晶态，基本结合方式是相同的，只是在非晶态中键角和键长有一定程度的畸变，因而它们的基本能带结构是相类似的。然而，非晶态半导体中的电子态与晶态比较也有著本质的区别。晶态半导体的结构是周期有序的，或者说具有平移对称性，电子波函数是布洛赫函数，波矢是与平移对称性相联系的量子数，非晶态半导体不存在有周期性， 不再是好的量子数。晶态半导体中电子的运动是比较自由的，电子运动的平均自由程远大於原子间距；非晶态半导体中结构缺陷的畸变使得电子的平均自由程大大减小，当平均自由程接近原子间距的数量级时，在晶态半导体中建立起来的电子漂移运动的概念就变得没有意义了。非晶态半导体能带边态密度的变化不像晶态那样陡，而是拖有不同程度的带尾(如图3 非晶态半导体的态密度与能量的关系 所示)。非晶态半导体能带中的电子态分为两类：一类称为扩展态，另一类为局域态。处在扩展态的每个电子，为整个固体所共有，可以在固体整个尺度内找到；它在外场中运动类似於晶体中的电子；处在局域态的每个电子基本局限在某一区域，它的状态波函数只能在围绕某一点的一个不大尺度内显著不为零，它们需要靠声子的协助，进行跳跃式导电。在一个能带中，带中心部分为扩展态，带尾部分为局域态，它们之间有一分界处，如图4 非晶态半导体的扩展态、局域态和迁移率边 中的和，这个分界处称为迁移率边。1960年莫脱首先提出了迁移率边的概念。如果把迁移率看成是电子态能量的函数，莫脱认为在分界处和存在有迁移率的突变。局域态中的电子是跳跃式导电的，依靠与点阵振动交换能量，从一个局域态跳到另一个局域态，因而当温度趋向0K时，局域态电子迁移率趋於零。扩展态中电子导电类似於晶体中的电子，当趋於0K时，迁移率趋向有限值。莫脱进一步认为迁移率边对应於电子平均自由程接近於原子间距的情况，并定义这种情况下的电导率为最小金属化电导率。然而，目前围绕著迁移率边和最小金属化电导率仍有争论。
缺陷 非晶态半导体与晶态相比较，其中存在大量的缺陷。这些缺陷在禁带之中引入一系列局域能级，它们对非晶态半导体的电学和光学性质有著重要的影响。四面体键非晶态半导体和硫系玻璃，这两类非晶态半导体的缺陷有著显著的差别。
非晶硅中的缺陷主要是空位、微空洞。硅原子外层有四个价电子，正常情况应与近邻的四个硅原子形成四个共价键。存在有空位和微空洞使得有些硅原子周围四个近邻原子不足，而产生一些悬挂键，在中性悬挂键上有一个未成键的电子。悬挂键还有两种可能的带电状态：释放未成键的电子成为正电中心，这是施主态；接受第二个电子成为负电中心，这是受主态。它们对应的能级在禁带之中，分别称为施主和受主能级。因为受主态表示悬挂键上有两个电子占据的情况，两个电子间的库仑排斥作用，使得受主能级位置高於施主能级，称为正相关能。因此在一般情况下，悬挂键保持只有一个电子占据的中性状态，在实验中观察到悬挂键上未配对电子的自旋共振。1975年斯皮尔等人利用硅烷辉光放电的方法，首先实现非晶硅的掺杂效应，就是因为用这种办法制备的非晶硅中含有大量的氢，氢与悬挂键结合大大减少了缺陷态的数目。这些缺陷同时是有效的复合中心。为了提高非平衡载流子的寿命，也必须降低缺陷态密度。因此，控制非晶硅中的缺陷，成为目前材料制备中的关键问题之一。
硫系玻璃中缺陷的形式不是简单的悬挂键，而是“换价对”。最初，人们发现硫系玻璃与非晶硅不同，观察不到缺陷态上电子的自旋共振，针对这表面上的反常现象，莫脱等人根据安德森的负相关能的设想，提出了MDS模型。当缺陷态上占据两个电子时，会引起点阵的畸变，若由於畸变降低的能量超过电子间库仑排斥作用能，则表现出有负的相关能，这就意味著受主能级位於施主能级之下。用 D、D、D 分别代表缺陷上不占有、占有一个、占有两个电子的状态，负相关能意味著：
2D —→ D+D
是放热的。因而缺陷主要以D、D形式存在，不存在未配对电子，所以没有电子的自旋共振。不少人对D、D、D缺陷的结构作了分析。以非晶态硒为例，硒有六个价电子，可以形成两个共价键，通常呈链状结构，另外有两个未成键的 p电子称为孤对电子。在链的端点处相当於有一个中性悬挂键，这个悬挂键很可能发生畸变，与邻近的孤对电子成键并放出一个电子(形成D)，放出的电子与另一悬挂键结合成一对孤对电子(形成D)，如图 5 硫系玻璃的换价对 所示。因此又称这种D、D为换价对。由於库仑吸引作用，使得D、D通常是成对地紧密靠在一起，形成紧密换价对。硫系玻璃中成键方式只要有很小变化就可以形成一组紧密换价对，如图6 换价对的自增强效应 所示，它只需很小的能量，有自增强效应，因而这种缺陷的浓度通常是很高的。利用换价对模型可以解释硫属非晶态半导体的光致发光光谱、光致电子自旋共振等一系列实验现象。
应用 非晶态半导体在技术领域中的应用存在著很大的潜力，非晶硫早已广泛应用在复印技术中，由S.R.奥夫辛斯基首创的 As-Te-Ge-Si系玻璃半导体制作的电可改写主读存储器已有商品生产，利用光脉冲使碲微晶薄膜玻璃化这种性质制作的光存储器正在研制之中。对於非晶硅的应用目前研究最多的是太阳能电池。非晶硅比晶体硅制备工艺简单，易於做成大面积，非晶硅对於太阳光的吸收效率高，器件只需大约1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一种廉价的太阳能电池，现已受到能源专家的重视。最近已有人试验把非晶硅场效应晶体管用於液晶显示和集成电路
3. 请问有谁清楚“泛半导体产业”这个概念具体怎么解释
我认为
泛半导体产业是指包括集成电路、平板显示、LED、太阳能电池、分立器件以及半导体设备材料产业的一个统称。
4. 易冲半导体官网为什么是英文的
易冲半导体官网是英文的，这没有为什么呀，系统就是这样，也没办法
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工作电压5V tvs 二极管XESD5VD923U完美替换ESD9C5,SES5VD923-2U,ESD9C5.0ST5G,价格;0.06/pcs
VRRM；为能够连续施加于二极管的峰值反向电压，如IN4007 为1000V；
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7. 美国第六代多昵尔低温等离子消融术怎么样
因为多昵尔技术的治疗弹头只有10微米至1毫米左右，有的比头发丝还要细，所以又称“头发丝技术”。
低温等离子技术是在鼻内窥镜下，运用等离子低温消融系统瞬间对引起鼻炎的增生组织进行消融，可保持局部黏膜组织结构的安全性，并能有效减轻术后水肿与疼痛。
简介
等离子设备与治疗实况
等离子设备与治疗实况(5张)
低温等离子消融术全称为“美国DNR数字式低温等离子消融术”，DNR英文直译为多昵尔，所以简称为“多昵尔低温消融术”。该技术来源于美国军方的高能军用等离子技术，原先主要用于有关核能与宇宙带电粒子研究。因为多昵尔技术的治疗弹头只有10微米至1毫米左右，有的比头发丝还要细，所以又称“头发丝技术”。
多昵尔低温消融术是目前最先进的医疗仪器，也是最新的第四代物理治疗技术，由于其临床表现突出，在美国本土及欧洲等发达国家都已全面代替了开刀，激光，微波等传统治疗，医学界专家一致认为数字化等离子治疗技术，代表了当今的最高水平。
多昵尔低温消融术的基本原理是低温消融，即利用低温等离子射频的能量，以较低的温度（40-70度）来进行组织的切除，从而避免对组织的损伤，并且能够大大减轻病人的痛苦和缩短康复周期，低温等离子消融系统近年来已经在国外耳鼻喉科领域得到了广泛应用，其临床效果也得到世界权威的认可。
多昵尔数字化低温等离子治疗仪不是普通的设备，该技术与微波相比，无辐射，血液中能工作，温度更低，治疗效果更好与射频相比，频率、温度更低，工作更稳定，有离子液化效果;与电刀相比，血液中能切割，冷刀切割效果，无热源损伤;与激光相比，能弧形切割，无光反射，周边损伤小，切割强，是目前国际最具领先的治疗耳鼻喉疾病的高科技设备。
低温等离子
低温等离子
低温等离子体技术是一门已相对成熟和蓬勃发展着的应用学科，它已在传统和高技术领域得到了广泛的应用。其中等离子体表面改性技术以其特有的优点，解决了合成高分子材料无法完全满足作为生物医用材料所需要的生物相容性和高度的生物功能要求这一难题。通过等离子体处理后，能够在高分子材料表面固定生物活性分子，达到作为生物医用材料的目的。
低温等离子是继固态、液态、气态之后的物质第四态，当外加电压达到气体的着火电压时，气体分子被击穿，产生包括电子、各种离子、原子和自由基在内的混合体。放电过程中虽然电子温度很高，但重粒子温度很低，整个体系呈现低温状态，所以称为低温等离子体。
工作原理
该技术是在鼻内窥镜下，运用从国外引进的等离子低温消融系统瞬间对引起鼻炎
的增生组织进行消融，可保持局部黏膜组织结构的安全性，并能有效减轻术后水肿与疼痛。消融时间很短，约15-20分钟的功夫，术后症状即得到缓解，一般术后不会再复发，可有效治疗过敏性鼻炎、慢性鼻炎、鼾症、咽炎等。
在治疗过程中，多昵尔的治疗弹头会先利用数字智能识别功能先采集病变组织的基本数据，然后根据计算机的指令使组织局部形成一个拥有离子、电子和核心粒子的不带电的离子化物质的空间（在这个空间内拥有几乎相同数量的自由电子和阳极电子的离子，我们就称之为等离子），这时，高度吸收能量的非平衡等离子会在计算机的程序控制下，使病变组织产生低温分解效应及RL（感抗）热效应，即使组织蛋白质迅速凝固及血管收缩和封闭，达到治疗耳鼻咽喉疾病的目的。在治疗的过程中几乎不会损伤患者耳鼻咽喉部位的粘膜和纤毛上皮，因此，术后，患者要比接受过传统耳鼻咽喉手术的患者恢复更加良好。
因为多昵尔的治疗弹头虽然细但十分强韧，医生可以根据需要对弹头进行任意的修剪和弯折，在先进的德国Storz鼻内窥镜系统配合下，弹头可以轻易地到达耳鼻咽喉任何部位的病灶，所以，多昵尔低温消融术可以用于几乎所有耳鼻咽喉疾病的治疗。
美国多昵尔数字式低温等离子消融术是目前国际上先进鼻咽炎治疗设备，等离子低温消融治疗系统，是治疗鼻部疾病几近完美的微创疗法。在低温的作用下它既将鼻甲肥大病变部分进行消融，又不伤害正常的鼻甲粘膜组织，来达到治疗目的。低温等离子消融治疗系统的作用原理是使电极和组织间形成等离子薄层，层中离子被电场加速，并将能量传递给组织，在低温下（40°C―70°C）打开细胞间分子结合键，使靶组织中的细胞分解为碳水化合物和氧化物造成病变组织液化消融，称为等离子（不是热效应），从而达到靶组织体积减容的效果。
低温等离子治疗系统是利用数字智能识别功能先采集治疗组织数据，然后根据计算机的指令，使组织瞬间产生蒸汽，在数字高频交变电场的作用下，这些组织将迅速被激发并产生电离作用，在低温的情况下使病变组织迅速消融及血管收缩、封闭。由于工作温度超低，消融深度可以精确控制，而且采用比人体头发丝还细小的切割弹头，所以手术过程对周围组织的损伤很小。该技术在治疗鼻炎时能确保黏膜完整，安全无痛苦，避免鼻病复发；而且采用一次性治疗探头，防止医源交叉感染；整个治疗过程仅20分钟左右，非常适合事务繁忙、白领、学生和对疼痛敏感的人士。
2优点
编辑
微创
多昵尔数字式等离子技术，又称“头发丝”技术，它的治疗弹头分别只有10微米至1毫米左右，有的比头发丝还要细，正因为多昵尔的治疗弹头如此之细，所以对患者的损伤也极小，医生们用它对患者进行精确的点状治疗，术中几乎不出血，术后患者的疼痛、水肿也非常轻微。
整个治疗只需在下鼻甲前端刺一个小孔，最大浸透深度为2mm，对鼻甲粘膜的纤毛功能影响较小，对鼻甲周围正常组织损伤的可能性也较小。因此,术后很少有痂皮，鼻腔粘连等并发症发生的机率较低。同时，该治疗系统还具有自动控制功能，当组织变性时电阻增大到一定程度，系统会自动停止工作，并发出报警声。
精确
多昵尔数字式等离子技术采用全程数字化控制温度，其治疗温度可精确到0.05℃，治疗全程温度控制在39-70℃，切割面损伤更小，不会像微波、激光、模拟等离子一样烧伤粘膜，破坏纤毛上皮，患者术后恢复更好。数字化的功率调节有利于选择合适的功率。我们在内窥镜辅助下，能充分而精确地缩小肥厚的鼻甲组织，对仍有肥厚的部分还可适当补充。
方便
运用多昵尔数字式等离子技术治疗耳鼻咽喉疾病只需局部麻醉，10~15分钟即可完成手术，门诊手术即可。术后无出血、无疼痛、无水肿，无需住院，也不影响正常饮食，非常适合事务繁忙的人士及对疼痛耐受力低的儿童。不影响工作和学习。
安全
多昵尔数字式等离子治疗系统是继激光、微波后第四代高档数字治疗系统，是等离子技术专业治疗机，纯净无辐射，更安全。多昵尔采用的独特一次性弹头，还可避免术中医源性的疾病交叉感染。
止血效果好，术中出血一般为1-5ml，视野清晰，有利于操作的准确。
3特点
编辑
概况
在个性化治疗时代，只有技术的升级，才能满足消费者越来越高的就医要求。如今，市场上的等离子设备大多是第二代模拟等离子设备，这些设备通常采用一个固定参数治疗多种疾病。由于参数不够全面，不能准确地达到治疗目的。而第四代的低温数字式等离子治疗系统具有强大的数字化功率控制的管理功能，这是模拟机无法实现的。它能针对患者的具体情况指定不同的治疗参数，采取个性化的治疗方法，具有全程数字化控制温度的特点，32位二进制代码控制温度可精确到0.05℃。而且该设备的功率由计算机控制，会根据治疗区的情况适宜调整，以防止过度凝固和切割。
特征
1.环保技术：等离子体作用过程是气-固相干式反应，不消耗水资源、无需添加化学药剂，对环境无污染。
2.广适性：不分处理对象的基材类型，均可进行处理，如金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料都能很好地处理；
3.温度低：接近常温，特别适于高分子材料，比电晕和火焰方法有较长保存时间和较高表面张力。
4.功能强：仅涉及高分子材料浅表面（10-1000A），可在保持材料自身特性的同时，赋予其一种或多种新的功能；
5.低成本：装置简单，易操作维修，可连续运行，往往几瓶气体就可以代替数千公斤清洗液，因此清洗成本会大大低于湿法清洗。
6.全过程可控工艺：所有参数可由电脑设置和数据记录，进行质量控制。
7.处理物几何形状无限制：大或小，简单或复杂，部件或纺织品，均可处理。
适应症
1.鼻炎（包括慢性鼻炎、过敏性鼻炎）
2.扁桃体炎
3.中耳炎
4.打鼾（打呼噜）
5.扁桃体肥大
6.腺样体肥大
7.咽喉疾病
8.扁桃体周围脓肿
9.鼻息肉
10.扁桃体角化症
操作方法
Reflex55刀头。1%的卡因鼻腔表面麻醉及咽腔鼻咽部喷雾麻醉后。以两细管分别自两鼻腔插入后鼻孔经鼻咽口腔引出牵拉软腭，此时可在间接鼻咽镜下暴露隐藏深在的腺样体。操作前设定输出功率于5挡，以Reflex55刀头蘸生理盐水后，呈散点式多次插入腺样体，每点治疗时间持续10 秒，点插入深度小于腺样体厚度，点间距大于0.8cm，共4~6点。治疗后即见腺样体明显缩小，表面散在白色点，无出血不需填塞。
术后保健
1、术后通过定期到医院维护鼻腔,可以大大减少复发的机率。到医院来维护鼻腔的具体时间由医生根据患者的术腔恢复情况来安排。
2、注意保暖,不要着凉,保证充足的睡眠,适当的锻炼,增强体质.
3、术后尽量少吃或者不吃辛辣的食物。
4、术后用药请遵医嘱；3--4月，要注意到医院复诊，一般一年1--2次就可以了
展望与前景
目前，国内有不少单位正在利用等离子体表面处理技术积极开展生物医用材料的表面改性及表面膜合成研究，以解决抗凝血、生物相容性、高分子聚合物表面亲水性、抗钙化及细胞吸附生长、抑制等关键技术问题。中国科学院上海硅酸盐研究所利用等离子体喷涂技术，在生长ZrO等涂层改善人工骨的研究方面取得了重要进展，他们正在使生物医学材料表面处理走向实用化。中国科学院上海冶金研究所、西南交通大学等单位合作，利用IBAD(离子束辅助沉积)技术在热解碳上生长非晶和晶态金红石型氧化钛薄膜，用于改善材料的抗凝血性。体外试验及动物体内样品试验表明，用IBAD生长氧化钛涂层的热解碳的血液相容性显著优于临床应用的热解碳人工心瓣。东华大学理学院准备利用脉冲等离子体材料表面修饰最新技术，在胶原材料表面涂覆有利于神经营养因子CNTF共价固定并具有特定物理形态的功能膜。利用CNTF营养因子对细胞吸附生长的促进作用，促进常规细胞及CNTF转基因细胞在其上的吸附生长分化。这对研究筛选适于常规细胞及转基因细胞发挥正常生理功能的生物活性表面涂层及技术，扩大现有生物材料的应用范围，深人研究这类因子对细胞吸附及生长的影响，及细胞与生物材料表面的反应机制，构建新一代具特定修复、再生功能的智能生物材料，都具有重要的意义。
随着全球人口老龄化和运动创伤的增多，人们对生物医用材料提出了非常大的需求，因此各国对生物材料的研究与开发都投人了大量的人力、物力和财力目前已有许多内植器官、人工组织和体外辅助装置等都在开发研究和临床应用中。低温等离子体表面处理技术以其特有的优点正被许多科学工作者用于生物材料的表面改性及表面膜台成研究。但是这些研究大多处于开发阶段或动物实验阶段，离实用化还有一段路程。对医用高分子材料的抗凝血性、生物组织相容性的提高仍是今后医用高分子材料研究中的一个首要问题这些研究需要化学、物理化学、生物化学、生物学、物理学和医学等多方面专家的共同努力。
等离子技术评价
由美国杰西公司发明的新技术—等离子体低温消融术，现在已广泛应用于脊柱外科、耳鼻咽喉科。具有创伤小 出血少、不住院、等特点在耳鼻咽喉科已应用于扁桃体肥大、下鼻甲肥大、鼾症、手术效果好、出血少，它的原理是等离子刀头产生等离子体，等离子体能气化病灶组织,使病灶组织气化成CO2、O2 等，气体从而达到消除病灶组织的功效。
8. led灯怎么样，要如何选购led灯
什么是LED灯呢？LED 是英文 light emitting diode （发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。LED 灯怎么样，我想在你心里应该知道答案了吧！那么要如何选购呢？ 1，节能。 白光LED的能耗仅为白炽灯的1/10，节能灯的1/4. 2，长寿。寿命可达10万小时以上，对普通家庭照明可谓"一劳永逸". 3，可以工作在高速状态.节能灯如果频繁的启动或关断灯丝就会发黑很快的坏掉. 4，固态封装，属于冷光源类型。所以它很方便运输和安装，可以被装置在任何微型和封闭的设备中，不怕振动，基本上用不着考虑散热。 5，LED技术正日新月异的在进步，它的发光效率正在取得惊人的突破，价格也在不断的降低。一个白光LED进入家庭的时代正在迅速到来。 6，环保。没有汞的有害物质。LED灯泡的组装部件可以非常容易的拆装，不用厂家回收都可以通过其它人回收。 7，透镜与灯罩一体化设计。透镜同时具备聚光与防护作用，避免了光的重复浪费，让产品更加简洁美观； 8， 配光技术使LED点光源扩展为面光源，增大发光面，消除眩光，升华视觉效果，消除视觉疲劳； 9，大功率LED平面集群封装，及散热器与灯座一体化设计。充分保障了LED散热要求及使用寿命，从根本上满足了LED灯具结构及造型的任意设计，极具LED灯具的鲜明特色； 10，节能显著。采用超高亮大功率LED光源，配合高效率电源，比传统白炽灯节电80%以上，相同功率下亮度是白炽灯的10倍； 11，超长寿命50，000小时以上，是传统钨丝灯的50倍以上。LED采用高可靠的先进封装工艺—共晶焊，充分保障LED的超长寿命； 12，无频闪。纯直流工作，消除了传统光源频闪引起的视觉疲劳； 13，绿色环保。不含铅、汞等污染元素，对环境没有任何污染； 14，耐冲击，抗雷力强，无紫外线（UV）和红外线（IR）辐射。无灯丝及玻璃外壳，没有传统灯管碎裂问题，对人体无伤害、无辐射。 15，低热电压下工作，安全可靠。表面温度≤60℃（环境温度Ta=25℃时）； 16，宽电压范围，全球通用。85V~ 264VAC全电压范围恒流，保证寿命及亮度不受电压波动影响； 17，采用PWM恒流技术，效率高，热量低，恒流精度高； 18，降低线路损耗，对电网无污染。功率因数≥0.9，谐波失真≤20%，EMI符合全球指标，降低了供电线路的电能损耗和避免了对电网的高频干扰污染； 19，通用标准灯头，可直接替换现有卤素灯、白炽灯、荧光灯。 LED灯的使用寿命比较长，LED为固体冷光源，环氧树脂封装，抗震动，灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点，使用寿命可达6万~10万小时，是传统光源使用寿命的10倍以上。LED性能稳定，可在-30~+50oC环境下正常工作。看了这些介绍之后你有没有立刻要购买的心动呢？