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n型半导体的金属氧化物有哪些

发布时间: 2021-03-13 13:09:40

1. N型金属氧化物有哪些

重要的氧化物半抄导体材料有袭Cu2O、ZnO、SnO2、Fe2O3、TiO2、ZrO2、CoO、WO3、In2O3、Al2O3、Fe3O4等。
目前最常用的气敏半导体材料有ZnO、CdO、SnO。和Fe2O3等

2. 哪里可以找到金属氧化物的能级图

Stannic oxide 分子式(Formula): SnO2 分子量(Molecular Weight): 150.69 CAS No.: 18282-10-5 质量指标(Specification) 外观(Appearance): 白色、淡黄色或淡灰色四方、六方或斜方晶系粉末 含量(Purity): 99.60%-99.99%) 物化性质(Physical Properties) 化学成分:SnO2:99.85%;Cu:0.0014% SnO2同时是一种优秀的透明导电材料。它是第一个投入商用的透明导电材料,为了提高其导电性和稳定性,常进行掺杂使用,如SnO2:Sb、SnO2:F等。SnO2和其掺杂都具有正方金红石结构(tetragonal rutile),如图所示。红色为O,黑色为Sn,SnO2由两个Sn和四个O原子组成,晶格常数为a=b=0.4737nm,c=0.3186nm,c/a=0.637。O^2-=0.140nm,Sn^4+=0.071nm。
SnO2是n型宽能隙半导体,禁带宽度为3.5-4.0eV,可见光及红外透射率为80%,等离子边位于3.2μm处,折射率>2,消光系数趋于0.SnO2附着力强,与玻璃和陶瓷的结合力可达20MPa,莫氏硬度为7—8,化学稳定性好,可经受化学刻蚀。SnO2作为导电膜,其载流子主要来自晶体缺陷,即O空位和掺杂杂质提供的电子。
http://ke..com/view/1309616.html

3. 半导体有什么特性

半导体具有特性有:可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。

半导版体材料除了用于制造大规模权集成电路之外,还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途;利用微电子的超微细加工技术,还可以制成MEMS(微机械电子系统),应用在电子、医疗领域。

半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。通过掺入杂质来改变其导电性能,人为控制它导电或者不导电以及导电的容易程度。

(3)n型半导体的金属氧化物有哪些扩展阅读

半导体的四种分类方法

1、按化学成分:分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

2、按制造技术:分为集成电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类,一般来说这些还会被分成小类。

3、按应用领域、设计方法分类:按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。

4、按所处理的信号:可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

4. 如何从理论上判断一种半导体氧化物是N型还是P型

半导体氧化物种类繁多,结构也不一样。 简单的说未经掺杂的半导体氧化物的多版数载流子主要决定权于本征缺陷类型,但是本征缺陷类型的确定需要在一定进行室温的第一原理计算和模拟--这一般是唯一脱离实验的确定方法。 但更重要的是氧化物半导体只有极少数的二六族氧化物,和金属酸盐类,钙钛矿类compound可以相对明确的进行这种计算,其余的复杂compound一般氧的含量都不是确定的,氧占位也不确定,而且其他成分也不是固定的。总的看没有理论上的万灵药。 结合试验确定是比较普遍的。

5. 半导体材料有哪些

用的最多的是Si材料,主要用于电子器件、微电子器件
用于光通信的有GaAs系、InP系的材料。

6. 互补金属氧化物是什么

互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下,切片被掺入化学物质而形成P型衬底,在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计,这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。
参考资料: http://group.zol.com.cn/3/28_28453.html

7. 氧化锌的半导体机制是什么呢(它为什么是n型半导体)

宽带隙透明氧化物来本征半源导体,导带是未填充的金属阳离子能级,价带是填充电子的氧离子能级。氧化锌本征半导体的载流子浓度较低,但是由于氧原子空位、间隙锌离子的存在,表现为n型半导体。通过不同类型的参杂,可以成为n型或p型半导体。

8. 互补金属氧化物半导体的产品介绍

互补金属抄氧化物半导体(CMOS,complementary metal-oxide semiconctor)是袭制造今天的电脑微芯片所采用的晶体管中使用的半导体技术。半导体由硅和锗制成,这些原料有几分导电性,但并不良好。这些材料掺入杂质就成为全面的导体,它们或带有负电荷(N型晶体管),或携带正电荷(P型晶体管)。在CMOS技术中,两种类型的晶体管互补组成门电路,可以实施有效的电路控制。没有需要时,CMOS晶体管几乎不需要能量。在电流方向快速变化时,晶体管将变热。这些特性限制了处理器操作的速度。

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