掺杂半导体多子主要是什么原因

1. 微电子器件基础里的多子少子指的是什么

多子和少子都是只来掺杂源半导体里面的载流子
不掺杂的半导体成为本征半导体
里面的电子空穴是平衡的
也是一样多的
掺了N型材料（一般是五族的P）的称为N型半导体
多子就是电子
掺了P型材料（一般是三族的硼）的称为P型半导体
多子就是空穴

2. 介绍下半导体的掺杂问题

不是所有的掺杂都是有效的，因为硅与磷硼的掺杂会有些失败的部分专，磷硼没有缔属结成四价键，而是三价，这时候还是不会导电，也不会有pn节。其实半导体掺杂是化学反应，不是简单的混合，这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时，普通掺杂成功率越来越低，学学原子晶体，对半导体的认识会有收获。此外，氮元素电负性太大，与硅掺杂无法形成四价，只能是三价键，不可以导电的。

3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于

D A

4. 在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于 而少数截流子的浓度则与（ ）有很大关系

在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全内电离时,多数截流子浓度≈容掺杂浓度,并且基本上与温度无关.
而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）.

5. 问个半导体多子少子的问题

多子主要是靠半导体本身特性决定，即主要靠参杂浓度决定。温度升高虽然会使多回子挣脱原子束缚，但多子数答量已经很多了，这一点脱离对多子数目影响不大
少子顾名思义，在半导体中不占主导地位，那么参杂浓度对其影响就不大了，而温度的上升却可以使更多的少子脱离原子的束缚，因而少子数量主要由温度决定

6. 掺杂杂质半导体中影响多数和少数载流子数量的最主要原因是什么急！！！！

主要原因是杂质在禁带里占的位置和杂质浓度。

7. 杂质半导体的多子浓度取决于

首先明确，掺杂何种杂质、杂质的电离情况、温度及浓度。比如单一专掺杂，Si中掺杂P，其电离能为0.044，一属般室温下就能全部电离，呈现N型，载流子浓度可认为杂质浓度。但是非单一掺杂，比如掺杂P和B，分别为施主杂质和受主杂质，两者先要进行补偿，载流子浓度就等于两者浓度差值。如果杂质浓度过高，无法全部电离。杂质的能级较深，也无法全部电离。

8. 半导体温度稳定性差的原因，另外是受多子还是少子影响

温度稳定性差的原因：

1、少数载流子浓度与温度有关。（随着温度的升高而变窄）

2、禁带宽度与温度有关。（随着温度的升高而呈指数式增加）

主要是受多子影响。半导体禁带宽度小，受热后外层成键电子容易跃迁到激发态成为参与导电的载流子，导电性能提高，所以温度稳定性差。所以多子起主要作用。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

半导体的重要性是非常巨大的，今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

(8)掺杂半导体多子主要是什么原因扩展阅读：

半导体应用

光伏应用

半导体材料光生伏特效应是太阳能电池运行的基本原理。现阶段半导体材料的光伏应用已经成为一大热门 ，是目前世界上增长最快、发展最好的清洁能源市场。

太阳能电池的主要制作材料是半导体材料，判断太阳能电池的优劣主要的标准是光电转化率，光电转化率越高 ，说明太阳能电池的工作效率越高。根据应用的半导体材料的不同 ，太阳能电池分为晶体硅太阳能电池、薄膜电池以及III-V族化合物电池。

照明应用

LED是建立在半导体晶体管上的半导体发光二极管，采用LED技术半导体光源体积小，可以实现平面封装，工作时发热量低、节能高效，产品寿命长、反应速度快，而且绿色环保无污染，还能开发成轻薄短小的产品 ，一经问世 ，就迅速普及，成为新一代的优质照明光源，

目前已经广泛的运用在我们的生活中。如交通指示灯、电子产品的背光源、城市夜景美化光源、室内照明等各个领域 ，都有应用。

大功率电源转换

交流电和直流电的相互转换对于电器的使用十分重要 ，是对电器的必要保护。这就要用到等电源转换装置。碳化硅击穿电压强度高 ，禁带宽度宽，热导性高，因此SiC半导体器件十分适合应用在功率密度和开关频率高的场合，电源装换装置就是其中之一。

碳化硅元件在高温、高压、高频的又一表现使得现在被广泛使用到深井钻探，发电装置中国的逆变器，电气混动汽车的能量转化器，轻轨列车牵引动力转换等领域。由于SiC本身的优势以及现阶段行业对于轻量化、高转换效率的半导体材料需要，SiC将会取代Si，成为应用最广泛的半导体材料。

9. 在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于

在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度内；在全电离时，多数截流子浓容度≈掺杂浓度，并且基本上与温度无关。
而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

10. 由于杂质半导体主要靠多子导电,其温度特性要远好于本征半导体,这是为什么

你说的导电性能好是指电阻率低.电阻率主要决定于材料中载流子的浓度和迁移率版,两者均与杂质浓度和温度有关系权.
当不进行掺杂时,为纯半导体材料（本征半导体）,其导电是需要特殊外界条件的（比如温度）,本征半导体的电阻率随温度增加单调下降.
对于杂质半导体：
掺杂杂质使其导电性能变好主要是由于掺杂特定杂志和杂质电力提供载流子,载流子浓度增加从而电阻率降低,导电性能变好.但其也与温度有很大关系
温度很低时,本征激发忽略,主要由杂质电离提供载流子,它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高增大,所以电阻率下降.
温度继续升高,杂质全部电离,本征激发还不显著时,载流子基本不变,晶格振动是主要影响因素,迁移率随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大.
继续升高到本征激发很快增加时,本征激发称为主要影响因素,表现出同本证半导体相同的特征.