为什么n型半导体加正压

① 为什么N型半导体是正离子

假设半导体是硅 N型半导体中掺杂的是Ⅵ （5）族元素 比如P 磷当磷占据一个硅原子专的位属置时，磷元素外围的5个电子 4个形成共价键，还有一个形成自由电子所以N型半导体导电的是电子相反，P型 中掺杂 3 族元素 如B 硼 你可以这样理解，B 与 Si形成共价键需要从外间获取一个电子，形成一个空穴，所以导电的是空穴 既是正电子。

② 为什么N型半导体中不导电的是正离子而P型半导体是负离子

假设半导体是硅
N型半导体中掺杂的是Ⅵ （5）族元素 比如P 磷
当磷占据一个硅原子的位置时，磷元素外围的5个电子 4个形成共价键，还有一个形成自由电子
所以N型半导体导电的是电子
相反，P型 中掺杂 3 族元素 如B 硼 你可以这样理解，B 与 Si形成共价键需要从外间获取一个电子，形成一个空穴，所以导电的是空穴 既是正电子。

③ n型半导体带电吗为什么4.半导体分哪几种各有什么特点

不带电。n型半导体是指在本征半导体中加入五价元素，每一个五价元素原子与四个四价半导体元素原子形成四对共用电子对（每一对电子对由半导体元素原子与该五价元素原子各提供一个电子），这样五价元素原子因四对八个共用电子而达到最外层电子稳定，于是多出来的一个电子（因为形成共用电子对时五价元素原子只贡献了4个电子）就成为自由电子，这就是n型半导体的多数载流子。但是尽管如此，n型半导体还是不带电。因为加入五价元素后所有原子的质子数与所有原子的电子数仍然相等，在加入五价元素后，在载流子的形成过程中不存在系统对外电子的失去或得到。因此整个系统还是静电平衡，因此，不带电。半导体一般分为本征半导体和杂质半导体。杂质半导体根据掺入元素价态的不同又分为n型半导体（掺入五价元素）与p型半导体（掺入三价元素）。本征半导体导电性能很差，其中电子和空穴都参与导电，而电子和空穴都是热激发形成的。因此本征半导体的导电性具有温度敏感性。杂质半导体导电性能要好于本征半导体。同时杂质半导体主要是多子（多数载流子）导电。这是因为五价或三价元素掺入的过程使多子数量远多于少子数量。其中n型半导体多子为自由电子，p型半导体多子为空穴。因为杂质半导体多子数量主要和掺入杂质数量有关，因此其多子几乎不受温度影响。但其导电性对温度也比较敏感，这是因为质半导体中的少子还是受热激发产生的，因此也受温度影响。

④ 二极管中为什么N型半导体标正号P型标负号

途中来正负表明的是自建场的方向。
N型半源导体区域多子为电子，所以ND杂质带正电（因为提供给了Si电子）
P型半导体区域多子为空穴，所以NA杂质带电子（吸收了Si提供的电子）
在P型半导体与N型半导体接触时，会产生势垒区，因为载流子是可流动的，而且由高浓度向低浓度扩散，所以P型半导体的空穴流向N型半导体，N型半导体的电子流向P型半导体。
所以P型半导体区域留下了不能扩散的杂质NA，N型半导体留下了不能扩散的ND（因为接触不改变物质形态，所以质子不发生转移）
所以N区势垒区带正电，P型势垒区带负电。
途中圆圈中的正负，代表的是杂质带电性。空心圈代表空穴，蓝色实心圈代表电子。势垒区域
外的半导体属于中性区，电子与空穴均不离开配对的杂质与Si原子。

⑤ 为什么半导体中PN结的P区是负离子，N区的是正离子

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。

开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。

(5)为什么n型半导体加正压扩展阅读：

在极低温度下，半导体的价带是满带，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位。

在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。

⑥ 本征半导体为什么加五价磷就能变成N型半导体

楼主您好。本征半导体中，空穴和电子数目相等，是完全不含杂质且无晶格缺陷专的纯净半导体，实际的半属导体由于缺陷、掺杂等各种原因，根据导电机制不同划分为n型和p型半导体；而本征半导体的掺杂有这么几个原则：掺杂高价元素（施主杂质），可以提供更多的电子，导致本征半导体中的电子-空穴对平衡移动，空穴减少，成为n型半导体。而掺杂低价元素(受主杂质)，导致半导体中电子数目减少，相应空穴数目增多，成为p型半导体。总结来说，与本征半导体本身的价态有关，如果在Si半导体中，楼主提到的五价元素掺杂可以使Si成为n型半导体；掺杂三价元素会成为p型半导体。

⑦ n型半导体是否带负电为什么

n型半导体是里面加了一些带自由电子的原子参杂，是稳态的，这些电子虽然比空穴多，但是受核子的束缚。

⑧ 为什么N型半导体中电子为多子

没有正离子这个说法。。电子脱落出来那个位置叫空穴，，因为，，在n型半导体回中是由电子导电答的，，所以电子是多子。。。
自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。
空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。
这是物理，，不是化学反应，是材料本身的一种性质，，

⑨ N型半导体本身是带负电还是电中性的

半导体复内还有不可移动的电制荷，比如带正电的原子核，这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡，维持电中性条件了；在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。

半导体是中性物。在激发态才是P型半导体，也叫空穴半导体，在硅中掺杂了3价的铝元素，与周围硅4价形成共价结合，缺一个电子，形成空穴。这样是相当于带正电的粒子。

N型半导体，也叫电子半导体，在硅中掺杂5价磷，和硅4价，结合共价后，多一个自由电子。当PN结组合形成二极管结构，就利用PN结的特性。

(9)为什么n型半导体加正压扩展阅读：

n型半导体是里面加了一些带自由电子的原子参杂，是稳态的，这些电子虽然比空穴多，但是受核子的束缚。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

⑩ 为什么要叫N型半导体

科技名来词定义
中文自名称：N型半导体 英文名称：N-type semiconctor
定义：导电的电子密度超过流动的空穴密度的非本征半导体。
N型半导体 也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为是主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
参考：http://ke..com/view/49365.htm