含微量元素的半导体称为什么半导体
『壹』 P型半导体和N型半导体为什么是呈电中性
晶体管中加入了微量元素，会破坏原晶体内的电位平衡，在晶体内部产生空版穴和电子的对流，但是记住，权这是在半导体内部产生这种对流，进而产生内电场，生成电位差。但对于整个的晶体来说，中和一个电子必占用一个空穴 ，因此在晶体的内部电子和空穴的数目始终是相等的，不带电，因此呈电中性。不要把它的导电性和带电混淆了 呵呵
『贰』 不含杂质具有完整晶体结构的半导体称为
答案：不含杂质具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体
不含杂质专且具有完属整晶体结构的半导体称为本征半导体，杂质半导体中参与导电的载流子有自由电子和 空穴 。
本征半导体完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。但实际半导体不能绝对的纯净，此类半导体称为杂质半导体。本征半导体一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲，完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体或I型半导体。主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体结构。
『叁』 11.在半导体中掺入任何元素就形成称杂质半导体正确吗
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使 半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备杂质半导体时一般按百万分之一数量级的比例在本征半导体中掺杂。
电子-内部结构模型图
半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为N型半导体和P型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级-施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为N型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在N型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为P型半导体。在P型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。
『肆』 纯净的半导体称为什么，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为什么
纯净的半导体称本征半导体
杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体
『伍』 为什么“在纯净的半导体中掺入微量的杂质
只有掺入不同的微量元素才能型成PN节。。。现在所有的半导体器件大部分都是不同的PN节组合，。只是形式的不同。。
『陆』 什么是本征半导体，本征半导体掺入三价元素后的半导体称为什么
没有掺入任何元素的硅、锗、砷化镓等为本征半导体，掺入三价元素后为P型半导体，掺入五价元素后为N型半导体
『柒』 纯净半导体又称什么半导体
当然是叫本征半导体了
『捌』 半导体中的自由电子和空穴的数目相等这样的半导体称为什么半导体
本征半导体。
（由温度升高或光线照射引起的）本征激发产生的两种载流子（自由电子、空穴）总是成对出现的。
本征半导体常用于制造热敏或光敏元件。
『玖』 为什么n 型半导体又称电子型半导体
P型半导体：如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，回例如硼或铟，它们的价答电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。
N型半导体：如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素──施主杂质，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或硅）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。这些材料就变成了半导体。因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型。也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称为“多数载流子”。