p型半导体中主要导定的是什么

Ⅰ 在p型半导体中,主要靠其多数载流子( )导电。

空穴

“P”表示正电的意思，在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴。

Ⅱ 我想请教各位高手。前辈。p型半导体是如何导电的就是用导线把电源直接连接一块p型半导体、p半导体怎么导

是！你的理解很正确，尤其对空穴电流的理解。
看到P型半导体、空穴电流，就知道你正在学习电子技术的半导体材料这部分知识。
关于你以上的问题，我做点补充，看是否能让你满意。也不说其他的，以免你眼花缭乱。
1。我们都知道，通过在纯净半导体内掺入不同的杂质，得到了P型半导体和N型半导体。对于P型半导体，多数载流子是空穴，在没有电流流过的时候也不断有电子和空穴进行结合和分离，并且结合和分离的速度相等，空穴的密度保持不变。
2.。当有电流流过时电子和空穴结合和分离的速度会有所加快，但分离和结合的速度依然相等，空穴的密度也不变，只是从一个端面流入的电子与从另一个端面流出的电子数量相等，这流进流出的电子恰是你说的由电源的负极来提供的，即是流过半导体的电流。
闲言少叙，祝你学习进步，早日成为电子行业的精英！

Ⅲ 什么是p型半导体，n型半导体，p

【n型半导体】“n”表示负电的意思，在这类半导体中，参与导电的主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的“施主”杂质。所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的五价元素砷、锑、磷等原子都是施主杂质。如果在某一半导体的杂质总量中，施主杂质的数量占多数，则这种半导体就是n型半导体。如果在硅单晶中掺入五价元素砷、磷。则在硅原子和砷、磷原子组成共价键之后，磷外层的五个电子中，四个电子组成共价键，多出的一个电子受原子核束缚很小，因此很容易成为自由电子。所以这种半导体中，电子载流子的数目很多，主要kao电子导电，叫做电子半导体，简称n型半导体。 【p型半导体】“p”表示正电的意思。在这种半导体中，参与导电的主要是带正电的空穴，这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子，产生同数量的空穴，从而改变了半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的三价元素硼、铟、镓等原子都是受主。如果某一半导体的杂质总量中，受主杂质的数量占多数，则这半导体是p型半导体。如果在单晶硅上掺入三价硼原子，则硼原子与硅原子组成共价键。由于硼原子数目比硅原子要少很多，因此整个晶体结构基本不变，只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三价元素，外层只有三个价电子，所以当它与硅原子组成共价键时，就自然形成了一个空穴。这样，掺入的硼杂质的每一个原子都可能提供一个空穴，从而使硅单晶中空穴载流子的数目大大增加。这种半导体内几乎没有自由电子，主要kao空穴导电，所以叫做空穴半导体，简称p型半导体。 【p－n结】在一块半导体中，掺入施主杂质，使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体，当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时，这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄，结中电子和和空穴都很少，但在kao近n型一边有带正电荷的离子，kao近p型一边有带负电荷的离子。这是因为，在p型区中空穴的浓度大，在n型区中电子的浓度大，所以把它们结合在一起时，在它们交界的地方便要发生电子和空穴的扩散运动。由于p区有大量可以移动的空穴，n区几乎没有空穴，空穴就要由p区向n区扩散。同样n区有大量的自由电子，p区几乎没有电子，所以电子就要由n区向p区扩散。随着扩散的进行，p区空穴减少，出现了一层带负电的粒子区；n区电子减少，出现了一层带正电的粒子区。结果在p－n结的边界附近形成了一个空间电荷区，p型区一边带负电荷的离子，n型区一边带正电荷的离子，因而在结中形成了很强的局部电场，方向由n区指向p区。当结上加正向电压（即p区加电源正极，n区加电源负极）时，这电场减弱，n区中的电子和p区中的空穴都容易通过，因而电流较大；当外加电压相反时，则这电场增强，只有原n区中的少数空穴和p区中的少数电子能够通过，因而电流很小。因此p－n结具有整流作用。当具有p－n结的半导体受到光照时，其中电子和空穴的数目增多，在结的局部电场作用下，p区的电子移到n区，n区的空穴移到p区，这样在结的两端就有电荷积累，形成电势差。这现象称为p－n结的光生伏特效应。由于这些特性，用p－n结可制成半导体二极管和光电池等器件。如果在p－n结上加以反向电压（n区加在电源正极，p区加在电源负极），电压在一定范围内，p－n结几乎不通过电流，但当加在p－n结上的反向电压越过某一数值时，发生电流突然增大的现象。这时p-n结被击穿。p－n结被击穿后便失去其单向导电的性能，但结并不一定损坏，此时将反向电压降低，它的性能还可以恢复。根据其内在的物理过程，p－n结击穿可分为雪崩击穿和隧道击穿两种。

Ⅳ p型半导体的导电原理

P型半导体里面多数载流子是空穴.只有少量的自由电子.空穴带正电荷.他是不能运动回的答.他的导电也主要是空穴导电.空穴也不是不变的,他实际也在运动.附近的电子被空穴捕获后,这儿的空穴就消失,但失去电子的地主又形成一个新的空穴,这样空穴的数量没有减少,但位置变了.就好像在运动一样.这样的空穴运动是无规律的.当接上电源后,电源就会使这样的空穴运动变成朝一个方向运动.就形成了电流,就是我们所说的导电.由于电源提供电子.这样电流就会源源不断地进行.

Ⅳ 1. 什么是P型半导体P型半导体导电有什么特点什么是N型半导体N型半导体的导电特点是什么

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的版P型半导体，掺入五价元权素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ）

多子与少子是相对概念。
如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。
----考试的话，答概念就可以了，具体的作用过程你就不用记了。

Ⅵ P型半导体与N型半导体的导电特性主要由_______决定

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五版价元素杂质可构成多余壳权粒的N形半导体。
两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。
在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为少数载流子，称为“少子”。而在P型中空穴是多数载流子，简称为“多子”；自由电子为少数载流子，称为“少子。

Ⅶ 什么是P型半导体

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

1特点
半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。 “P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主

数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。[
由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

2形成原理
要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。

Ⅷ p型半导体主要靠哪种载流子导电

之所以说p型导电靠空穴，是因为p型导电靠的是在价带的电子，而价带的电子都专是成键的，无法自属由移动，不是自由电子，所以等效成空穴移动。

n型导电靠电子，因为n型靠的是在导带的电子，导带的电子没有成键，是自由电子，所以这时靠的是自由电子。

Ⅸ p型半导体是什么导电

空穴