半导体晶圆缺口怎么看

『壹』 请教下这个图显示的缺口是什么缺口，怎么区分缺口向上还是向下啊。详细讲下怎么看，谢谢。

该缺口是一个持续性向下跳空的缺口，是一个压力。目前的已经比较接近压力位了，有受压的可能。建议先逢高减持

『贰』 什么是K线缺口 K线缺口怎么看

你好，缺口现象在K线图形里并不罕见，辨别缺口种类，大致可从各类缺口的特征去判断
一、竭尽性缺口与普通缺口的区别 相同点：蝎尽性缺口和普通缺口均可能在短期内补回。 不同点：可由位工判断，竭尽性缺口出现前绝大部分均已先出现其他类型的缺口。
二、普通缺口与突破性缺口的区别 相同点：发生时都有区城密集的价格形态陪衬。
不同点：前者在形态内发生，没有脱离形态。后者则在股价变动要超越形态时发生（持续性缺口没有密集形态伴随，而是在股价急速变动，也就是在行情中途出现）。
三、突破性缺口与持续性缺口的区别 相同点：一般在短时间内不会被封闭。
不同点：
（1）突破性缺口较持续性缺口更不易被封闭。
（2）突破性缺口表明一种股价移动的开始，持续性缺口是快速移动或近于中点的信号（竭尽性缺口则表示已至终点）。两者凭借它们的位盆和前一个价格形态可以辨认渴尽性缺口不能立刻确认、分辨出来）。
持续性缺口形成时的成交量变化情形为：股价在突破其区城时急速上升。成交量在初期量大，然后在上升中不断减少。当股价停止原来的趋势时成交中又迅速增加，于是便形成一个巨大的缺口，这时候又再开始减少。

『叁』 怎么看缺口

缺口是指当天的收盘价高于或者低于前一天的最高价
这样就形成了一个缺口

如果当天的收盘价高于前一天的最高价
这样就形成了一个上涨缺口

如果是指当天的收盘价低于前一天的最高价
这样就形成了一个下跌缺口

『肆』 半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别是什么

一、半导体中名词“”“chip”“die”中文名字和用途

①wafer——晶圆

wafer 即为图片所示的晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基于这个wafer上生产出来的。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。

②chip——芯片

一片载有Nand Flash晶圆的wafer，wafer首先经过切割，然后测试，将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片（chip）。芯片一般主要含义是作为一种载体使用，并且集成电路经过很多道复杂的设计工序之后所产生的一种结果。

③die——晶粒

Wafer上的一个小块，就是一个晶片晶圆体，学名die，封装后就成为一个颗粒。晶粒是组成多晶体的外形不规则的小晶体，而每个晶粒有时又有若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成。晶粒的平均直径通常在0.015~0.25mm范围内，而亚晶粒的平均直径通常为0.001mm数量级。

二、半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别

①材料来源方面的区别

以硅工艺为例，一般把整片的硅片叫做wafer，通过工艺流程后每一个单元会被划片，封装。在封装前的单个单元的裸片叫做die。chip是对芯片的泛称，有时特指封装好的芯片。

②品质方面的区别

品质合格的die切割下去后，原来的晶圆就成了下图的样子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。这些残余的die，其实是品质不合格的晶圆。被抠走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。

③大小方面的区别

封装前的单个单元的裸片叫做die。chip是对芯片的泛称，有时特指封装好的芯片。cell也是单元，但是比die更加小 cell <die< chip。

(4)半导体晶圆缺口怎么看扩展阅读

一、半导体基本介绍

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在消费电子、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

半导体芯片的制造过程可以分为沙子原料（石英）、硅锭、晶圆、光刻，蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。

『伍』 补缺口是什么意思，有没有缺口怎么看

。“什么叫做补缺口”？？？缺口在形态学里是非常重要的，大多数情况下K线运行过程中都是有重合部位的，很少出现两根K线中间没有任何连接的情况，但是一旦出现就是一个信号，资金在里面运动的信号。K线的原产国日本投资者，一般把缺口叫成窗口，让你发现资金多空变化的窗口。这图就是大多数情况下的正常走势，每2根相邻K线不管是上下引线或者是实体柱体总有重合的地方。而突然出现不重合相距一定距离的情况就把这两根中间不重合的部分叫缺口。无量涨停板缺口最大（开盘到收盘一直维持涨停状态，K线之间的缺口基本为10%）。其实出现缺口就是资金动向的集中体现，一般机构在一个震荡斜向上洗盘的过程中洗盘末期，机构要进入快速拉升期，就会出现资金的兴奋缺口，机构主动填超过头一天的最高价格的价格（可能是几分钱也可能是几角钱甚至刚才说的涨停10%的超高价格买入，凸显出机构拉升股价的急切欲望），相反，已经经过大幅度拉升在高位长期横盘震荡大量出货的股可能会因为机构已经出货差不多了，抢着用更低的价格卖出就会形成向下的价格缺口。这是机构去意已决的信号，不惜用比前一个交易日低非常低的价格主动卖出剩下筹码。是不是每个缺口都要补？？？很多人经常口头谈到有缺口必补，把这当成一种经验之谈了，不过我在实战中发现的规律确是，缺口不一定要补，我经常把缺口是否回补当成该股机构操盘是否凶狠的一个标志，那种形成向上缺口的股票，如果一直不补形成的缺口再次拉起上行，这类股一定要小心往往在短期内可能存在大幅度拉升行情机构凶猛。短线利润一般较大。而那种老是补了缺口又继续洗盘的股，都是操盘比较磨人的股。可能涨得比较慢，洗盘时间比较长，性急的投资者，被洗出来概率非常大。而缺口的运用还要结合其他技术分析来进行不是单一的，比如一支股以前一直是小幅度震荡走高有一种慢慢加速的趋势（机构处于慢慢吸筹状态），突然有一天放量上攻形成向上的跳空缺口（吸筹完毕进入主升浪阶段）而且缺口不补又继续拉起创新高，这种一般都有短期获较多利润的机会，甚至可能是大牛股。要重点关注。该股机构建仓完毕，从底部放量形成第一个缺口开始一个月拉了100%收益可观。下面是反面例子，当经过前期爆拉300%后，在高位放量出货并形成向下的跳空缺口，机构出货意愿坚决，之后该股调整8个月。进去就是挨套这么久，而同时当时大盘涨了近8个月，买错了股或者不走人就错过了其他牛股。横向黄色直线就是两根k线之间的一个小缺口，缺口虽然小但是导致调整8个月。体现了机构坚决出货的意图。不补有什么后果呢？？？不补就继续拉升的股我一般定义为，潜在的牛股！而补了就开始洗盘的股，大多数情况下短时间内的利润增长概率远远小于上面我说的那种股。而做股票的人需要不断完善自己的技术，缺口只是里面的很小的技术。当你把缺口这个小技术放到大的K线分析形态分析中去，放到机构建仓，洗盘，拉升，出货等几个周期中去看，你才会发现一个小小的缺口就能够揭露机构的意图。做空还是做多。而缺口还有一种情况叫衰竭向上缺口，如果某支股前面短时间的拉升已经很疯狂了（比如刚才举例的一个月拉100%的那支股），在已经大幅度拉升后而在高位再次形成的向上缺口你就要留意是否短时间内的强拉行情要结束了，最后高位形成缺口是机构想给散户造成该股还会继续疯狂拉升的假象，可能这个衰竭缺口形成后没多久该股那种疯狂上升趋势就结束了，虽然你这个高位缺口后还涨了13%左右，但是该股后市就再难出现这种疯狂的走势了，该股就变成盘整走高了，该股这一个月拉升的涨幅达到100%，后面该股又慢慢震荡移动走高，8个月涨了40%。差距明显。在运用缺口时一定要把缺口放到大的图形中去，出现在吸筹完毕后的第一次拉升区还是在大幅度拉升后的高位形成性质是完全不一样的。而大幅度拉升后的高位的向下出货缺口和经过长时间下跌后在底部形成的向下缺口又是完全不一样的性质。可能那是机构最后一次对散户的恐吓行为，机构可能要开始建仓了。（要结合大盘分析确认是否已经临近底部）股市是活的，不要照搬书上的教学，遇到问题要灵活处理。顺势而为永远是正确的。以上纯属个人观点请谨慎采纳朋友。 补缺口有几种情况，一是机构太弱，拉出缺口后资金跟不上无法维持不补缺口强势拉升，而且补了缺口后继续下跌。还有一种是机构故意洗盘。我发现部分机构还故意把缺口补了，但是补了后马上就强势拉起拉出主浪。这有最后一洗的嫌疑，遇到这种股也是好股。那种补了就跌得一塌糊涂的一般就不用考虑了。

『陆』 Protel99se芯片的缺口怎么画

你是画原理图库文件吧，其实原理图只是个指示作用，不必非得和实物画的一样，只要芯片引脚排序没错就行。你可以在引脚开始为止画个小圈指示，或者引脚起始位置不画成直角画成45度拐角也行。如果是画PCB封装，上面就有画圆弧的工具。不要纠结了，兄弟。

『柒』 请问这个缺口怎么画

在引脚开始为止画个小圈指示，或者引脚起始位置不画成直角画成45度拐角。 集成电路（英语：integrated circuit, IC）、或称微电路（microcircuit）、 微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。集成电路（英语：integrated circuit, IC）、或称微电路（microcircuit）、 微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。

『捌』 请问都有哪些检测半导体芯片遗落在哪个位置的方法谢谢大家

半导体芯片检测方法适用于半导体晶圆的检测领域。
包括：获取半导体晶圆表面的原始图版像并对所述原权始图像进行自相关处理以获得芯片的宽度和长度；根据芯片的宽度和长度提取芯片在半导体晶圆表面的位置及芯片间缝隙的位置；对半导体晶圆表面的芯片进行高倍率的图像拍摄，然后对每一幅高倍率图像进行芯片检测。所述方法及系统实现了对半导体晶圆表面的芯片位置、芯片间缝隙位置及芯片表面缺陷的快速有效检测。

『玖』 晶圆是怎么测量的

对集成电路来说复：一般来说4寸晶圆制的厚度为0.520mm,6寸晶圆的厚度为
0.670mm左右。晶圆必须要减薄，否则对划片刀的损耗很大，而且要划两刀。我们做DIP封装，4寸晶圆要减薄到0.300mm；6寸晶圆要减薄到0.320mm左右，误差0.020mm。
量测仪器片厚用千分尺就行了，膜厚一般用热波仪器量测，通过量测不同分布的多点厚度，求平均得出膜厚，一般同时反映膜的均匀性，并可见模拟等高线