半导体实验室什么区别

『壹』 中国电子科技集团公司第13研究所与河北半导体所的区别是什么

就是同一家单位

中国电子科集团科技集团是2002国家整合一些研究所成立的，成立之后把原有的所按数字编序。以前是河北半导体所，整合以后称十三所

『贰』 导体和半导体区别

一、概念不同

1、导体

导体（conctor）是指电阻率很小且易于传导电流的物质。导体中存在大量可自由移动的带电粒子称为载流子。在外电场作用下，载流子作定向运动，形成明显的电流。

2、半导体

半导体（ semiconctor），指常温下导电性能介于导体（conctor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。

二、分类不同

1、导体

1）第一类导体

金属是最常见的一类导体。金属中的原子核和内层电子构成原子实，规则地排列成点阵，而外层的价电子容易挣脱原子核的束缚而成为自由电子，它们构成导电的载流子。

2）第二类导体

电解质的溶液或称为电解液的熔融电解质也是导体，其载流子是正负离子。实验发现，大部分纯液体虽然也能离解，但离解程度很小，因而不是导体。

3）其他导电介质

电的绝缘体又称为电介质。它们的电阻率极高，比金属的电阻率大1014倍以上。绝缘体在某些外界条件（如加热、加高压等）影响下，会被“击穿”，而转化为导体。绝缘体或电介质的主要电学性质反映在电导、极化、损耗和击穿等过程中。

2、半导体

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）。

以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

三、特性不同

1、导体

1）热敏特性

半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。

2）光敏特性

半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小；无光照时，电阻率很大。

3）掺杂特性

在纯净的半导体中，掺人极微量的杂质元素，就会使它的电阻率发生极大的变化。

2、半导体

半导体五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。

1）在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

2）在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

『叁』 半导体及电子元器件有什么区别，怎么区分

我们平复时说的半导制体，其实是指半导体元器件（或集成电路），也就是由半导体材料制造的电子元器件（或集成电路），目前，常用的半导体材料包括三种：硅、锗、砷化镓。

所以，你问“半导体及电子元器件有什么区别”，是错误的说法，但是，我们可以说：半导体元器件或半导体集成电路是电子元器件的一个分类……

『肆』 晶体管和半导体的区别

晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。
晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。
虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管|-{A|zh-cn:二极管;zh-tw:二极体}-，电阻，电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的生本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。
晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜，更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。
因为晶体管的低成本和后来的电子计算机，数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在-{A|zh-cn:信息;zh-tw:资讯}--{A|zh-cn:数字;zh-tw:数位}-化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视，广播和报纸。
顾名思义：导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconctor）．
物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久，

1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等。

本征半导体(intrinsic semiconctor) 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带(conction band)，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴(hole)，导带中的电子和价带中的空穴合称为电子 - 空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子(free carrier)，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子-空穴对消失，称为复合(recombination)。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子 - 空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。

杂质半导体(extrinsic semiconctor) 半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为n型半导体和p型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级-施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为n型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为p型半导体。在p型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。

『伍』 什么是实验室

实验室即进行试验的场所，是科技的产出地，所以国家对试验室投入非常大。

二十世纪世界著名实验室简介

进入二十世纪，各类物理实验室如雨后春笋，研究工作广泛开展。可以说，实验室是科学的摇篮，是科学研究的基地。下面选取若干有代表性的，对科学发展起过或正在起重要作用的物理实验室，分别作些介绍。

第一类是建立在大学里面，附属于大学的实验室。除了英国剑桥大学的卡文迪什实验室以外，还可以举出许多，其中著名的有莫斯科大学的物理实验室，荷兰莱顿大学的低温实验室，美国哈佛大学的杰佛逊（Jefferson）物理实验室，加州伯克利分校的劳伦斯辐射实验室，英国曼彻斯特大学的物理实验室。它们大都以基础研究为主，各有特长。例如：

一、荷兰的莱顿低温实验室

二十世纪初，这个实验室在昂纳斯（K.Onnes）领导下，在低温领域独占鳌头，最先实现了氦的液化，发现了超导电性，并一直在低温和超导领域居领先地位。特别是它以大规模工业技术发展实验室，开创了大科学的新纪元。荷兰是一个工业小国，荷兰莱顿低温实验室的经验特别值得我们学习和借鉴。

二、美国加州大学伯克利分校的劳伦斯辐射实验室

它是电子直线加速器的发源地，创建于30年代，当时正值经济萧条时期，创建人劳伦斯以其特有的组织才能，充分发掘美国的人力、物力和财力，建起了第一批加速器。在他的领导组织下，实验室成员开展了广泛的科学研究，发现了一系列超重元素，开辟了放射性同位素、重离子科学等研究方向。它是美国一系列著名实验室：Livermore，Los Alamos，Brookhaven等实验室的先驱，也是世界上成百所加速器实验室的楷模。

第二类实验室属于国家机构，有的甚至是国际机构，由好几个国家联合承办。它们大多从事于基本计量，高精尖项目，超大型的研究课题，和国防军事任务。例如：

三、德国的帝国技术物理研究所（简称PTR）

帝国技术物理研究所建于1884年，相当于德国的国家计量局，以精密测量热辐射著称。十九世纪末该研究所的研究人员致力于黑体辐射的研究，导致了普朗克发现作用量子。可以说这个实验室是量子论的发源地。

四、英国国家物理实验室（简称NPL）

英国的国家物理实验室，是英国历史悠久的计量基准研究中心，创建于1900年。

1981年分6个部：即电气科学、材料应用、力学与光学计量、数值分析与计算机科学、量子计量、辐射科学与声学。

作为高度工业化国家的计量中心，与全国工业、政府各部门、商业机构有着广泛的日常联系，对外则作为国家代表机构，与各国际组织、各国计量中心联系。它还对环境保护，例如噪声、电磁辐射、大气污染等方面向政府提供建议。英国国家物理实验室共有科技人员约1000人，1969年最高达1800人。

五、欧洲核子研究中心（简称CERN）

欧洲核子研究中心创立于1954年，是规模最大的一个国际性的实验组织。它的创建、方针、组织、选题、经费和研究计划的执行，都很有特点。1983年在这里发现W±和Z0粒子，次年该中心两位物理学家鲁比亚和范德梅尔获诺贝尔物理奖。

欧洲核子研究中心是在联合国教科文组织的倡导下，由欧洲11个国家从1951年开始筹划，现已有13个成员国。经费由各成员国分摊，所长由理事会任命，任期5年。下设管理委员会、研究委员会和实验委员会，组织精干，管理完善。人员共达6000人，多为招聘制。三十余年来，先后建成质子同步回旋加速器、质子同步加速器、交叉储存环（ISR）、超质子同步加速器（SPS）、大型正负电子对撞机（LEP）、并拥有世界上最大的氢气泡室（BEBL）。

欧洲核子研究中心作为国际性实验机构，拥有雄厚的财力、物力和技术力量。由于工作涉及许多国家和组织，在建设和研究中难免会出现种种矛盾和磨擦，但经过协商和合作，工作进行顺利，庞大计划都能按时兑现，接连不断取得举世瞩目的成就（参见：高能物理，1985年第3期，第26页）。

第三类实验室直接归属于工业企业部门，为工业技术的开发与研究服务。其中最著名的有贝尔实验室和IBM研究实验室。

六、贝尔实验室

贝尔实验室原名贝尔电话实验室，成立于1925年，是一所最有影响的由工业企业经营的研究实验室。主要宗旨是进行通讯科学的研究，有研究人员20000人，下属6个研究部，共14个分部，56个实验室，每年经费达22亿美元，其中10％用于基础研究。除了无线电电子学以外，在固体物理学（其中包括磁学、半导体、表面物理学）、天体物理学、量子物理学和核物理学等方面都有很高水平。在这个研究机构中拥有一大批高水平的科研人员，几十年来获得诺贝尔物理奖的先后有：发明电子衍射的戴维森，发明晶体管的肖克利、巴丁和布拉坦，发明激光器的汤斯和肖洛，理论物理学家安德逊，射电天文学家彭齐亚斯和威尔逊。

贝尔实验室的经验很值得注意。工业企业对科学研究，特别是对基础研究的重视；开发和研究二位一体；领导有远见有魄力，善于抓住有生命力的新课题，这些都是有益的经验。

七、IBM研究实验室

IBM是International Bisiness Machines Corporation（美国国际商用机器公司）的简称，现已发展成为跨国公司，在计算机生产与革新中居世界领先地位。它创建于1911年，原名Computing-Tabulating-Recording Co.（C.T.R.），是由三家生产统计机械、时间记录器的公司组成。这些公司分别创建于1889、1890、1891年。1984年底，IBM公司的雇员超过39000人，业务遍及130个国家。

IBM研究实验室也叫IBM研究部，共有研究人员3500人，（还吸收许多博士后和访问学者参加工作），专门从事基础科学研究，并探索与产品有关的技术，其特点是将这两者结合在一起。科学家在这里工作，一方面推进基础科学，一方面提出对实际应用有益的科学新思想。研究部下属四个研究中心：

（1）在美国纽约的Thomas J.Watson研究中心。从事计算机科学、输入/输出技术、生产性研究数学、物理学、记忆和逻辑等方面的研究。其中物理学包括：凝聚态物理、超微结构、材料科学、显微技术、表面物理、激光物理以至天文学和基本粒子。

（2）在美国加州的Almaden研究中心。除了计算机科学以外，还进行高温超导、等离子体、扫描隧道显微镜和同步辐射等研究。

（3）瑞士Zurich研究中心。重点是激光科学与技术，特别是半导体激光器、光学储存、光电材料、分子束外延、高温超导、超显微技术等方面，还进行信息处理等计算机科学研究。

（4）日本东京研究中心。内分计算机科学研究所、新技术研究所和东京科学中心，主要是结合计算机的生产和革新进行研究。

进入80年代，IBM研究中心成绩斐然，两届诺贝尔物理奖都被它的成员夺得：一是因发明扫描隧道显微镜，宾尼格（G.K.Ginnig）与罗勒尔（H.Rohrer）共获1986年诺贝尔物理奖的一半，二是因发现金属氧化物的高温超导电性，柏诺兹（J.G.Bednorz）和缪勒（K.A.Müller）共获1987年奖。

一、 目前中国已经建成的国家实验室共有4个，它们分别是：

1 同步辐射国家实验室 中国科学技术大学 （合肥）

2 正负电子对撞机国家实验室 高能物理研究所（北京）

3 重离子加速器国家实验室 近代物理研究所（兰州）

4 材料科学国家实验室 金属研究所（沈阳）

二、 已经批复正在兴建的国家实验室有5个，分别是：

1北京凝聚态物理国家实验室 中国科学院物理研究所

2合肥微尺度物质科学国家实验室 中国科技大学

3武汉光电国家实验室 华中科技大学等单位

4清华信息科学与技术国家实验室 清华大学

5北京分子科学国家实验室 北京大学、中国科学院化学研究所

三、国家实验室是由国家直接投资数亿建立（如建在华中科大校内的武汉光电国家实验室投资4.8亿），全国目前国家实验室总共只有9个（包括北京正负离子对撞基地、华中科大的光电国家实验室在内），国家实验室代表国家最高水平，是按国际一流标准建立的，规模非常大，基本包括本学科领域所有研究方向，而且人员配备上要求面向国内外招聘最优秀的研究人员，直接参与国际竞争，往往是多学科交叉的创新平台；而国家重点实验室是由国家评的，评上后以后每年可以从国家多拿些钱，全国有几百个，而且研究方向比较窄。国家实验室和国家重点实验室是两个完全不同的概念，不是一个重量级上的，五个国家重点实验室也比不上一个国家实验室。

『陆』 怎样认识半导体

电子管自诞生之日起，便被广泛地用于无线电和电视机等设备中。此外，它们被用在雷达和电影放映机内，还用于早期的电脑中。各式各样的控制装置也是依靠电子管发挥作用。

但真空管有一些缺点，其中一点，就是它们耗电量有些大，浪费了数量可观的电。在真空管中，必须把灯丝加热使它放出电子。加热要用电，它又产生出无用的热来。我们可以从经验得知：无线电收音机里面是相当热的，那么想象一下，在超音速喷气飞机的电子控制室里，数百个真空管会产生出怎样巨量的热吧。所以这种飞机必须使用特别的冷却设备来驱散那些热量。

科学家们发觉电子管的这个缺点和其他缺点，就开始研究别的办法来替代电子管的工作。于是，一种新的装置——半导体晶体管由美国贝尔实验室发明了。

习惯上，人们一般把半导体晶体管称为晶体管，实际上它并不是管状结构，之所以称它为“管”，只是沿袭了电子管的名字。

1948年，贝尔实验室的两位科学家，白列坦和巴甸，经过数年的研究，研制出了最早的半导体晶体管。它们看来并不引人注目——事实上，它太小了，必须仔细观察它。因为许多晶体管只有粉笔头大小，可是有些晶体管却能代替比它们大数百倍的电子管。和电子管相比，晶体管优点立现：需要的电流少得多，产生的热也少得多。

那么半导体晶体管是怎样工作的呢？

半导体晶体管是由锗晶体的小切片做成的。锗是一种元素，结晶体结构。用在典型的半导体晶体管中的锗晶体的切片，面积有时甚至小于1平方厘米，厚度小于1/4厘米，找把尺子来量一下看看，就知道有多小了。

晶体三极管的功能与电子管的功能相同，可以放大电流。它有三个电极，称作集电极、基极和发射极，分别对应于电子管的屏极、栅极和阴极。实际上现在日常提到的三极管都是晶体三极管。

当然，除了锗晶体管外，还有其他种类的晶体管。由于性能优越，现在，除了极少的几个地方，它们基本已经完全取代了电子管，而电子管差不多已经没人使用了。现在我们用的收音机、电视机等，都大量使用了晶体管。因此，这些电器比它们用电子管的“祖先”们要小巧、便携多了。

晶体管还有一个在医疗上的用途，那就是用在助听器上。听力已经衰退的中老年人和那些听觉上有残疾的人士佩戴助听器以后，就能够听见声音了。无声的世界变得丰富多彩起来，极大地改变了他们的生活。当然它的原理是把较小的声音转化成电流，再把电流放大，驱动耳机发出声音。

这种助听器刚发明的时候，同样是用微型电子管来制作的，主机是个盒子，放在上衣里，伸出一根电线接在耳塞机上。而现在用半导体的最小型的助听器，外观上就是个耳塞，可以直接放在耳朵里。

晶体管还有其他许多种用途。相信随着科技的发展，人类会研制出更新的产品来取代晶体管的。

半导体的分类

半导体按照其制造技术可以分为：集成电路器件、分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

『柒』 半导体的原理是什么

原理：

在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。

电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。

复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

(7)半导体实验室什么区别扩展阅读：

半导体的应用

一、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

二、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

三、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

四、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应。

『捌』 什么是半导体

半导体（ semiconctor），指常温下导电性能介于导体（conctor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。

如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

分类：

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。

除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

(8)半导体实验室什么区别扩展阅读：

发展历史：

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

参考资料：

网络-半导体

『玖』 国家重点实验室有多少个啊和国家实验室有什么区别

数量：国家重点实验室很多，国家实验室很少
性质：承担国家交办的重要研究任专务--国家属实验室
申请承担国家的研究任务--国家重点实验室
规模：国家实验室更强更大，是国家重要研究的平台，国家每年均有非常可观的研究经费投入。

序号 实验室名称 依托单位
1 半导体超晶格国家重点实验室 半导体研究所
2 表面物理国家重点实验室 物理研究所
3 波谱与原子分子物理国家重点实验室 武汉物理与数学研究所

因为字数太多，，列不出来了，看这里http://www.bp.cas.cn/unitweb/3/312311/detailnews.asp?infoNo=116975

『拾』 常规实验室和特殊实验室的区别是什么

常规实验室是指无压差及净化要求的普通化学实验室、生物实验室、物理实验室。特殊实验室是指洁净实验室、防静电实验室、恒温恒湿实验室、移动实验室等，能满足特殊需求的实验室。希望陕西宏硕实验室设备的回答能帮到你。