在杂质半导体中多子的数量与什么有关

1. 在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于 而少数截流子的浓度则与（ ）有很大关系

在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全内电离时,多数截流子浓度≈容掺杂浓度,并且基本上与温度无关.
而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）.

2. 填空；在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系。 双极

杂质电离，PNP，NPN，电子，空穴

3. 在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于

在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度内；在全电离时，多数截流子浓容度≈掺杂浓度，并且基本上与温度无关。
而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

4. 杂质半导体的多子浓度取决于

首先明确，掺杂何种杂质、杂质的电离情况、温度及浓度。比如单一专掺杂，Si中掺杂P，其电离能为0.044，一属般室温下就能全部电离，呈现N型，载流子浓度可认为杂质浓度。但是非单一掺杂，比如掺杂P和B，分别为施主杂质和受主杂质，两者先要进行补偿，载流子浓度就等于两者浓度差值。如果杂质浓度过高，无法全部电离。杂质的能级较深，也无法全部电离。

5. 掺杂杂质半导体中影响多数和少数载流子数量的最主要原因是什么急！！！！

主要原因是杂质在禁带里占的位置和杂质浓度。

6. 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定和温度有什么关系

多数载流子是少数载流子的杂质浓度是一个共同决定的本征载流子浓度和杂质浓度

7. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于

D A

8. 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗少子与多子变化的数目相同吗

变。温度抄升高，刚开始由杂质能级电离，多子少子浓度变化不同，此时多子来自杂质及本征激发，而少子来自本征激发。温度再升高，致使杂质全部电离后，半导体处于饱和区。温度继续升高，这时载流子将由本征激发为主，到一定程度，电子空穴浓度会趋于相等。之后的本征激发变化相同。

9. 在杂质半导体中,多子与少子的浓度变化相同

载流子生成的本质原因是电子脱离原子核束缚，电子之所以能脱离束缚是因为热激发，因此，温度变化，载流子数目也会变化，这和宏观上半导体导电能力随温度变化相符合。少子与多子变化数目是不同的。

10. 问个半导体多子少子的问题

多子主要是靠半导体本身特性决定，即主要靠参杂浓度决定。温度升高虽然会使多回子挣脱原子束缚，但多子数答量已经很多了，这一点脱离对多子数目影响不大
少子顾名思义，在半导体中不占主导地位，那么参杂浓度对其影响就不大了，而温度的上升却可以使更多的少子脱离原子的束缚，因而少子数量主要由温度决定