半导体调整到什么时候

㈠ 半导体接受信号频率统调方法

半导体收音机接受信号频率统调方法：
1-首先使用465中频发生器校准中周。在没有调乱、中内周油漆封未动则直接调如容下：
2-低端调整：低端接近535千赫收到电台、使用无感起子调节（拨动）中波磁性天线线圈位置使所收电台声音最大。
3-高端调整：高端接近1605千赫收到电台、使用无感起子调节‘双联’天线端并联在双联的‘点垫整电容器’（即半可变电容）使所收电台声音最大。

㈡ 半导体三极管什么时候处于放大状态

三极管的作用就是放大信号的，所以，放大状态应该是常态，最常用的状态。版
而三极权管的另一个作用是相当于开关，特别是在数据电路中，三极管就工作在开关状态。
而开关状态就是饱和，截止这两种，要结合应用，只是一种就没有什么用了。
饱和导通就是开关打开，而截止就是开关闭合了。

㈢ 半导体什么时候能涨

半导体目前为止还没有好的消息了，等到好的消息之后，半导体的股票就会慢慢的增长了。

㈣ 金杯海狮半导体时间怎么调

亲，您好！收放机上有个MODE按键，长按此按键进入时间模式，再旋转旋钮就可以调节时间了！希望我的回答能帮到您，还请您能设为最佳答案！谢谢！

㈤ 半导体历史发展有哪些

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

(5)半导体调整到什么时候扩展阅读：

人物贡献:

1、英国科学家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料。

硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花；

然而，今天我们已经知道，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加，但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。

2、德国的布劳恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

但直到1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，德国的萧特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在这方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

另一方面，德国人佩尔斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 于1929年，则指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；

他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

㈥ 半导体的发展历程

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。
1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。
1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。
1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。
1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。
1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

㈦ 半导体在什么时期开始使用

半导体的发现实际抄上可以追溯袭到很久以前。
1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。
不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。
1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。
在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

㈧ 金融危机会持续到什么时候(相对与半导体来说),请相关专家分析一下,.

“幼稚阶段”遭遇金融危机 中国半导体三问前路

11月7日，立冬。国内某芯片设计公司副总裁冯明(化名)将自己的MSN签名改成了“IC的冬天”。

往年的这个时候，冯明和他所在的公司正在为大洋彼岸的圣诞采购旺季而奔忙。然而，今年无论是冯明所在公司、下游客户，还是同行，都不约而同地收回了“拳头”，按紧荷包——整个半导体产业弥漫着一股浓重的悲观情绪。

随着全球科技业巨头新鲜出炉的三季度财报及其对未来的预测，这股“冬天的寒意”更是从大洋彼岸一路延伸至中国。先是几家国内知名半导体设计公司传出大幅裁员或倒闭消息；继而是半导体代工企业纷纷调整产品及资本策略，积极进行自救；紧接着又传出耗资50亿美金的苏州12英寸项目缓建的消息。

来自中国半导体行业协会的数据显示，今年上半年，无论半导体上游设计、中游制造，还是下游封装测试，都不同程度地受到了影响，具体表现在产业增速大幅回落，企业经营环境向坏、整体盈利水平下滑。

半导体产业的整体下滑，难逃宏观经济衰退的负面影响。然而，同样面对经济衰退，中国台湾地区半导体产业却展现出较强的抗风险能力。对照之下，不禁让人反思：作为战略性产业的半导体为何发展了近20年却仍停留在“幼稚阶段”？抛开宏观环境因素的影响，中国半导体产业的“体虚症”是否存在自身结构性问题？展望未来，经济危机的到来能否成为国内半导体产业加速发展超越自我的一个契机？

半导体“很受伤”

尽管全球半导体工业此前曾经历过数次不景气周期，但真正意义上的全球危机还是第一次。半导体产业表面上是作为一个高科技产业而存在，但如今其与全球经济的发展已经紧密相关。经济不景气意味着需求的大幅下降，这将导致终端产品供过于求并形成大量库存，对上游整体半导体工业造成巨大影响。

今年9月，中国半导体行业协会秘书长徐小田在接受媒体采访时用“尚处于幼稚阶段”来形容当前我国半导体产业发展现状。这种“幼稚”主要体现在产业规模小、竞争力差，仍未掌握核心技术，尚未出现综合实力强大的国际知名品牌，以及产业发展环境没有得到改善四个方面。

以产业规模为例，2007年我国集成电路产业1251.3亿元的总体规模，刚刚接近英特尔(博客)一家企业当年销售收入的一半。目前我国有500家IC设计企业，其中50%左右仍然处于孵化期。

正是基于这一现状，国内半导体产业抵御风险和市场波动能力差，所以当全球经济衰退大浪袭来时，半导体业成为受影响最大的一个科技产业。

自年初开始，有关于半导体产业的“负面”消息就不绝于耳。在芯片设计环节，TD核心芯片商凯明、CMMB芯片供应商安凡微电子相继倒闭，数字电视芯片商清华凌讯大幅裁员，TD射频芯片商鼎芯以及多媒体处理芯片智多微电子、杰得先后陷入资金困局。而在近期，讯芯又曝出拖欠员工工资事件。

在制造环节，尽管地方政府投资建线的热情依然很高，但“雷声大”，实质性动作少。最关键的是，随着全球市场进入不景气周期，市场风险已经不断累积。由于国际市场DRAM价格大跌，国内最大芯片代工厂中芯国际不得不进行工艺结构调整，工艺变更不仅带来了财务损失还带来了市场难题。最新消息显示，目前中芯国际的北京12英寸厂开工率不足，其已停止扩产计划。

同样由于市场原因，尔必达日前也宣布其耗资50亿美金的苏州12英寸建设项目延期执行。其余代工厂同样面临工艺升级、成本上升等问题。

在封装测试方面，今年以来，外商独资企业表现不理想，销售业绩下降，内资企业生产状况平稳，封装产量在增加，但利润却在下降。

来自中国半导体产业协会(CSIA)的数据显示，2008年上半年我国集成电路全行业增速明显放缓，同比增长10.4%，远低于去年上半年30.5%的增速。从集成电路设计、制造、封装三业的情况看，设计业降幅最为明显。

反思抗风险能力

经济危机对全球半导体工业造成了巨大影响，然而同样面对危机，不同地区产业却呈现出了不同的抗风险能力。

记者近日在采访台湾地区相关半导体企业时了解到，尽管它们对来年的经济产业走势表达了悲观的论调，但不少企业都有一套较为成熟的应对危机的策略，除了大规模缩减成本，各种技术及资本层面的结盟动作频出，不少企业仍然保留和延续了对先进工艺的研发投入。这显示出了台湾地区半导体工业应对经济危机和市场波动较强的抗风险能力和灵活性。

“中国半导体产业起步较晚，目前现状也是一个必经的阶段。”在11月6日召开的一次半导体沙龙活动上，业内资深专家莫大康认为。

他同时认为，回顾国内半导体发展历程，其中存在的一些问题，值得大家深思和反省。

从1990年中国第一次准备发展半导体工业的“908”工程开始，国内半导体产业发展已经走过近20年历程，与之相较，台湾半导体标志性企业、全球最大半导体代工厂台积电成立也不过21年。这期间固然有西方国家对中国发展半导体业的技术输出限制和阻碍，但发展缓慢的主因还在于国内产业发展的方式和方法上出现了问题。

与会产业专家普遍认为，目前半导体产业发展步履维艰的主要问题有二：第一，国家有关部门支持政策存在不到位和执行不力的情况；第二，地方政府在半导体制造投资上“冲动”，并造成资源分散的情况。

作为战略性产业，发展半导体工业耗资巨大，全球主要半导体工业地区的发展都得到了政府的支持。美国的《半导体制造技术联盟发展计划》、韩国的《半导体信息技术开发方向的投资计划》以及我国台湾地区的“两兆双星”计划都是政策扶持半导体产业的实例。

中国支持半导体产业发展的“18号文”始于20世纪初，过去七八年间，全球半导体产业发生了深刻变化，然而“18号文”却未做出任何调整，导致企业在增值税、出口退税、人才招募、融资等方面无法享受优惠。

另一方面，既有的优惠政策缺乏具体执行操作细节，导致政策落实不到位，对起步中的半导体企业造成一定负面影响。

而在这一情况下，由于看到半导体工业的巨大影响力，急于进行产业升级的各级地方政府开始对发展资金密集、技术密集的半导体制造投入巨大热情。但当地方政府成为产业发展的主要推动力时，问题便开始出现。

首先，由于地方政府对产业理解能力的限制，很难对项目的市场及风险进行科学评估，这就导致不少项目匆匆上马中途却因各种原因而搁置，造成了资源的巨大浪费。

其次，当地方政府成为项目的主要投资者时，地方政府之间的竞争使得半导体项目很难在产业层面进行深度合作、合并或整合。而根据全球半导体产业的发展经验，半导体产业要想做大，必须依靠“规模效应”和“集聚效应”。当大量半导体公司分散在各地时，这种效应很难形成，因此从整体上拖累和弱化了国内半导体产业的实力。

“由于不同地区政策发展环境和执行政策的差异，对集成电路企业的整体发展带来困惑。”徐小田说，投资分散也是国内半导体产业无法壮大的一个主要原因。

“合适的时间做正确的事”

有业内人士认为，当全球产业都进入调整和紧缩状态的时候，无论是对国家有关部门决策者还是对企业的高管人员来说，这或许都是重新审视自己的一个好机会。

目前的当务之急是，当国内半导体产业面临生死存亡的时刻，有关部门有必要重新对以下几个问题做出思考和明确回答：一、中国是不是必须要发展半导体工业？(并非每个国家都要拥有自己的半导体产业，比如欧洲国家)；二、是否将半导体产业视为战略性产业而加以扶持？三、一旦确立半导体工业战略产业的地位，政府应该怎样出台政策对其进行扶持并且保证政策的有效落实？

“我认为政府需要制定明确并且可操作的国家战略规划。”一位不愿透露姓名的半导体业内人士说，要对资金、优惠政策、人才等资源方面进行有效的集中。

而对于企业来说，在困难中寻找希望谋求改变是唯一的出路。“经济危机确实对产业造成了很大影响。”莫大康说。

中国工程院院士倪光南(博客)认为，企业必须正视，经济危机到来，财务状况不佳，产品相对单一、竞争力不足的公司将被淘汰，低端市场变得竞争异常激烈，产品性能提升速度减慢；另一方面，由于大量新产品停留在研发阶段，研发的附加值不断增加，所以企业仍需对新技术和产品进行积极有效的研发，唯有此待经济复苏之后企业的产品或市场才能获得一个比较大的快速增长。

台积电执行长蔡力行在接受记者采访时表示，前期政府的投资固然重要，不过一味依赖政府补助的企业也不会有前途。半导体企业首先必须要记住这是一个全球性产业，做好面向全球竞争的准备；其次，一定要有不是只想赚钱的真正的人才；另外，还要“学会在合适的时间做正确的事情”。

以上为他人观点，仅供参考。

希望对您有帮助。