半导体的导电能力随着温度的升高而什么
❶ 半导体的导电能力随温度升高而
热敏性。热敏性拼音： [rè mǐn xìng] 基本解释： 当外界温度升高时，半导体导电能力增加，当外界温度降低时，半导体导电能力降低。半导体的这种特性叫热敏性。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面：热敏性半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。光电特性很多半导体材料对光十分敏感。无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。 搀杂特性纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。
❷ 半导体的导电性能介于什么和什么之间而且电阻随温度的增加而什么的材料
导体和绝缘体，减小，外界条件，光，微量的其他物质
❸ 半导体导电能力随温度怎样变化
随温度升高，导电能力增强。
晶体管：
饱和导通、截止、线性放大
❹ 导体，半导体的导电原理是什么随着温度的升高它们的导电性如何变化
导体或半抄导体导电原理一样 都是靠原子内部的电子运行轨迹的缝隙导电。这个缝隙的大小 多少决定物质的导电性是否好。也就是说物质是否导电取决与原子外的电子环绕路线。原子核对电子吸引力的大小。而外界环境的改变对于物质的导电性的影响则不一样，对于大多数导体温度升高则导电性下降，对与半导体，或一些绝缘体则导电性上升。
❺ 半导体和金属的导电能力随温度的变化特点是不同的
解：（1）由图可复知，当温度制为70℃时，发热功率和散热功率相等，即此时物体的温度不再变化；
当温度高于稳定温度时，由图可知散热功率大于发热功率；
由P= U2R可得，此时功率减小，而电压不变，故说明电阻在增大．
（2）由图2可知，金属电阻随温度的升高而增大，则由欧姆定律可得：
I= UR，故当电流大时，电阻值要小，即此时温度要低，
故对应的温度刻度要小；
由图4可知电流I=5mA=0.005A时，
则由欧姆定律可得：
总电阻R总= UI= 3V0.005A=600Ω，
金属电阻阻值R=R总-R′=600Ω-450Ω=150Ω，
故对应的温度
t=（150Ω-100Ω）× 80℃180Ω-100Ω=50℃．
即指针处对应的温度为50℃．
故答案为：（1）70，＜，增大；（2）小，指针处对应的温度为50℃．
❻ 半导体的导电能力随外界温度的变化而变化的性质称作什么
热敏性。
❼ 当温度升高时,半导体的导电能力将怎么样
随着温度升高，导电能力将提高，漏电电流也会增加，电阻降低。
❽ 半导体导电能力随温度什么条件巨大变化
没太理解楼主问的问题。半导体确实会因为外界环境的变化而改变版导电能力，这也是为什么叫权做半导体。但是半导体根据种类不同，受到外界不同条件变化下导电能力的变化也是不同的。比如光电半导体就会随着外界光强照射的不同而改变导电能力，你说的那种半导体是随温度变化而改变导电特性的半导体，这种半导体会因为外界温度的变化而使半导体内部载流子（物理学中决定半导体导电能力的微观物质）增加或者减少，从而影响半导体的导电性能，这种半导体多用于温度传感器，比如家里水族箱里用的自动加热棒，电水壶等等。当然并不是说温度越高导电性能越好，有点半导体则是温度越高电阻越大（导电性越差）。呵呵，都是自己打上去的，希望对你有用，有问题可以随时提问，祝楼主新年快乐！
❾ 半导体的电阻为什么随温度升高而降低
因为在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到版动态平衡，此时半导权体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。
半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。
(9)半导体的导电能力随着温度的升高而什么扩展阅读
掺杂对半导体结构的影响：
1、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。
2、掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主与受主。施主原子带来的价电子大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。
3、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。