本征半导体的载流子有哪些

A. 掺杂半导体中本征载流子和少数载流子的关系

成立
本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度，且n=p=ni，且np=ni平方。版

而有杂质时np=ni平方仍成立，权以n为多子，注，此时无本征载流子ni，都是热平衡载流子n0，p0。它们乘积=无杂质时ni平方。

B. 半导体中的本证半导有两种载流子与本征半导体的不同

本征半导体：晶格完整且不含杂质的单晶半导体，其中参与导电的电子和空穴数目相等。这是一种实际上难以实现的理想情况。实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。

C. 本征半导体的载流子浓度取决于

杂质电离,PNP,NPN,电子,空穴

D. 本征半导体载流子的复合为哪个物理过程

有选择答案吗？

E. 本征半导体是两种载流子参与传导电子，杂质半导体是一种载流子参与导电，所以本征半导体导电性能好，这句

本征半导体虽然有两种载流子，但是数量有限，导电性能不明显。掺杂半导体使得载流子浓度明显提高，所以导电性要大大增强。

F. 本征载流子浓度与哪些因素有关

1、与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高
2、与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子深度越高。

G. 本征半导体载流子数目取决于

本征半导体载流子数目取决于该材料禁带宽度，但是温度也会影响载流子浓度。

H. 本征半导体与杂质半导体的载流子有何异同啊

本征半导体是不含杂质的，其电子浓度＝空穴浓度
而导质半导体则通过引入杂质，增加某种载流子浓度，因此某咱载流子浓度通常远大于另一方

I. 在半导体中存在哪两种载流子

本征载流子就是本征半导体中的载流子，即
电子
和
空穴
，即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说，内本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的，即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的；它们是成对产生的，所以电子和空容穴的浓度始终相等。
本征半导体，从物理本质上来说，也就是两种载流子数量相等、都对导电起同样大小的半导体。因此，未掺杂的半导体是本征半导体，但是掺有杂质的半导体在一定条件下也可能成为本征半导体（只要两种载流子的浓度相等）。
对于掺有杂质的n型或p型半导体，其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供，而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的。因此，在杂质全电离情况下，多数载流子浓度基本上与温度无关，但少数载流子则随着温度将指数式增大。