为什么半导体随温度变化

『壹』 为什么半导体的导电率随温度升高而增加

因为电子随温度的升高而运动加速,所以导电性能提高。半导体中参与导回电的电子、空穴，会随答温度的升高受激发而明显增多，导电性增加，电阻下降。半导体是要高纯度的，其中杂质多了就成导体了。所以将半导体与导体结合，制得的是导体，决不会是超导体。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。常见的半导体有热敏电阻（如钴、锰、镍等的氧化物）、光敏电阻（如镉、铅等的硫化物与硒化物）。

(1)为什么半导体随温度变化扩展阅读：

在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质后，它的导电能力就可增加几十万甚至几百万倍。例如在纯硅中掺入百万分之一的硼后，硅的电阻率就大大减小，利用这种特性制成了各种不同的半导体器件，如二极管、双极型晶体管、场效晶体管及晶闸管等。

当半导体两端加上外电压时，半导体中将出现电子电流、空穴电流，即同时存在着电子导电和空穴导电。这是半导体导电的最大特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。

『贰』 半导体的电阻为什么随温度升高而降低

因为在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到版动态平衡，此时半导权体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

(2)为什么半导体随温度变化扩展阅读

掺杂对半导体结构的影响：

1、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。

2、掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主与受主。施主原子带来的价电子大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。

3、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。

『叁』 为什么金属和半导体的电阻随温度变化规律不同

因为导电的原理不同，金属是自由电子在金属晶格间运动，温度变化会影响晶格的形状；半导体导电是因为晶体中因为温度或杂质出现了临时性的电子空位，随温度变化，空穴数量变化影响导电性能的

『肆』 半导体电导率随温度变化

你这个“一般情复况”说的不清制楚。对于半导体的电阻率对温度变化的性质，要分两种情况讨论。
第一，本征半导体，载流子全部由自身产生，温度升高，载流子浓度增加，电导率提升，电阻率下降；
第二，杂质半导体，这个要结合本征激发和杂质电离综合讨论，还要考虑温度升高对晶格散射的影响，只能结合实例分析。
你找到的第二个应该可以参考硅基半导体掺杂后电阻率随温度变化的情况，可以翻一翻刘恩科的《半导体物理》，讲的很清楚。

『伍』 1,半导体随着温度升高,其电阻率的变化如何为什么

半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。
因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。
随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。

『陆』 半导体随温度电阻率逐渐变小，为什么

半导体导电是通过载流子进行的，载流子数量越多，导电性能越好，也就是电阻率越低。
温度上专升属时，半导体电子热运动活动剧烈，能量增加，由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低（半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的），所以半导体带隙降低，Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T)，所以Eg越低导致ni^2 越高，由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下，电流变大，反映出的是电阻率变低。

https://..com/question/1987779684801752987
我在这里也有较为详细的解释，敬请参考。

谢谢！

『柒』 半导体随温度变化吗

以硅为例,在一定的温度范围内,半导体的电阻率随温度的升高,而变小.因为半导体价带上的电专子,随着属温度的升高,不断地被激发到导带,使载流子的数量增加,其导电性得到不断加强,电阻率变小；
当温度上升到一定高度,价带电子的激发到了极限,同时晶格的热振动加剧,对载流子的散射作用也增强.这时,随着温度的进一步升高,半导体的电阻率则反而会增大.

『捌』 鄙人实在不明白为什么半导体电导率温度随温度的改

请想象物质的微观状态，无数小原子在撞来撞去，能量和电荷互相传递。
温度越高，原子移动速度越快，传递的效果自然不一样，所以半导体电导率温度随温度的改变而改变。

『玖』 半导体与金属材料的电阻率与温度的关系有何区别为什么

主要区别是金属的电阻率随温度升高而增大。而半导体的电阻率在低温、室温和内高温情况下容，变化情况各不相同。
一、金属电阻率与温度的关系：
金属材料在温度不高，温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率;α是电阻率的温度系数，与材料有关。

『拾』 半导体随温度电阻率逐渐变小，为什么

以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。因版为半导体价带权上的电子，随着温度的升高，不断地被激发到导带，使载流子的数量增加，其导电性得到不断加强，电阻率变小；
当温度上升到一定高度，价带电子的激发到了极限，同时晶格的热振动加剧，对载流子的散射作用也增强。这时，随着温度的进一步升高，半导体的电阻率则反而会增大。