为什么高掺杂的半导体耗尽层窄

① 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题

概念上的问题
首先，没有扩散能量这个概念，扩散是一种自然进行的动作，专最终会达到属动态平衡。而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度。

而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响，那就是多子的扩散和少子的漂移，扩散是由于浓度差的存在，漂移是因为空间电荷区的电场作用，两者达到动态平衡后耗尽层宽度就不再变化。
掺杂浓度越高，耗尽区越宽，而不是越窄，浓度升高，扩散作用变强，空间电荷区变宽，同时漂移作用增强阻碍扩散，达到平衡后实际耗尽区宽度是变宽了。

最后，电场强度如上所述，是会随着掺杂浓度变化的，而不是不变的

② 为什么掺杂浓度较高，pn结就会越窄

在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破版坏了势垒区内共权价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。

齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度很窄，只要加很小的反向电压就能够建立起很强的电场，发生齐纳击穿。

(2)为什么高掺杂的半导体耗尽层窄扩展阅读

从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。

而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。

当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

③ 为什么高掺杂的半导体耗尽层窄呢

见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说回明。答

④ 为什么高掺杂的半导体耗尽层窄

电场强度等于：掺杂浓度*宽度（E=Nd*W）
电势差等于：电场强度*宽度
所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方。
搞掺杂的掺杂能读大，所以耗尽层宽度窄。

⑤ PN结耗，尽层宽度跟参杂浓度的关系是什么

第一问：对于N型半导体，自由电子是多数载流子（多子）——杂质原子提供，空穴是少数版载流子（少权子）——热激发形成；而P型半导体，空穴是多子——掺杂形成，自由电子是少子——热激发形成。多子的数量与掺杂浓度有关，高掺杂则多子数量多。P型半导体和N型半导体中间的空间电荷区就是PN结，因为其缺少多子又称耗尽层。高掺杂时耗尽层两端的浓度差大，多子的扩散运动剧烈，空间电荷区理论上加宽，但是空间电荷区产生的内电场导致少子的漂移运动也剧烈，空间电荷区又要变薄，最终要达到动态平衡，所以相比低掺杂时达到动态平衡所需时间更短，载流子运动距离短，电子和空穴很快就复合了，耗尽层也就窄了。
“齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场”，前面已经说过高掺杂，耗尽层宽度（d）小，将其看成平行板电容器，内电场E=U/d，所以E很强，直接打断共价键。
第二问：齐纳击穿，掺杂浓度高，内电场强，利用这一性质做成了稳压管；
雪崩击穿，掺杂浓度低，碰撞电离，就像滚雪球的倍增效应，利用这一性质做成了整流二极管。两者都属于电击穿，一定条件下是可逆的。

⑥ 在模拟电子中，为什么参杂浓度越高，耗尽层越窄，参杂浓度越小，耗尽层越宽呢

这个很好理来解，“耗尽层”，自顾名思义，他的主导作用就是起到电阻作用的，其他的作用咱先不说，既然是电阻，那就按电阻的性质来分析一下，比如一杯水的电阻大小是不是和他的温度啊还有他的浓度（干净程度）啊什么的有关系。浓度越大他的可导电分子就愈多，导电性能就越好，浓度越小，就像蒸馏水一样，鬼才信他能导电呢，呵呵呵，所以我对耗尽层的理解就是电阻层，

⑦ 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄 P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了

简单的说抄：掺杂浓度过高袭,杂质原子过于靠近,从而相互结合,这就减少了参与到PN结形成的杂质原子数量,从而造成PN结变窄.
以下信息供参考理解用：
晶体是由许多原子在靠近时,通过电子轨道相互重叠并“成键”后组成.
此时,原子中的“电子状态”将由“能级状态”转变为“能带状态”——即能级展宽为能带.
类似地,当掺杂浓度很高、以致相邻“杂质原子”的电子轨道发生交叠时,杂质能级即展宽为杂质能带.
电子在杂质能带中同样具有一定的导电性；不过因为杂质原子轨道的交叠不会很大,则杂质能带的宽度较小,从而导电作用不大 (一般只是在低温下有贡献).
当半导体的掺杂浓度很高时,大量的杂质中心的电势将使得导带和价带出现能带尾；如果掺杂浓度高到使能带尾与杂质能带相连时,就将造成半导体能隙变窄.
微观粒子系统处于各稳定的能量状态时所具有的能量值.
原子在形成分子时,原子轨道构成具有分立能级的分子轨道.由原子轨道所构成的分子轨道的数量非常之大,以至于可以将所形成的分子轨道的能级看成是准连续的,即形成了能带.

⑧ 模拟电子技术基础 为什么在高掺杂的情况下，耗尽层（空间电荷区）宽度很窄

按照半导体物理学，耗尽层(空间电荷区)就是掺杂造成的。自然，掺杂越多，耗回尽层就越答宽。
你用的模拟电子技术基础写错了。
老旧模电书写错的地方海多了。
这是因为，半导体物理学是模拟电子学的基础。但是老旧模拟电子技术教科书，基本上没怎么用半导体物理学。
所谓，基础不牢地动山摇呀！

⑨ PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄

这是一个关于器件物理的问题，建议去参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中内的有关容说明。

⑩ 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄

简单的说：掺杂浓来度自过高，杂质原子过于靠近，从而相互结合，这就减少了参与到PN结形成的杂质原子数量，从而造成PN结变窄。
以下信息供参考理解用：
晶体是由许多原子在靠近时，通过电子轨道相互重叠并“成键”后组成。
此时，原子中的“电子状态”将由“能级状态”转变为“能带状态”——即能级展宽为能带。
类似地，当掺杂浓度很高、以致相邻“杂质原子”的电子轨道发生交叠时, 杂质能级即展宽为杂质能带。
电子在杂质能带中同样具有一定的导电性；不过因为杂质原子轨道的交叠不会很大，则杂质能带的宽度较小，从而导电作用不大 (一般只是在低温下有贡献)。
当半导体的掺杂浓度很高时，大量的杂质中心的电势将使得导带和价带出现能带尾；如果掺杂浓度高到使能带尾与杂质能带相连时，就将造成半导体能隙变窄。
能级解释：微观粒子系统处于各稳定的能量状态时所具有的能量值。
能带解释：原子在形成分子时，原子轨道构成具有分立能级的分子轨道。由原子轨道所构成的分子轨道的数量非常之大，以至于可以将所形成的分子轨道的能级看成是准连续的，即形成了能带。