典型半导体有哪些

❾ 什么是光生伏特效应光生伏特效应的典型器件是什么它们的主要特点与异同

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光生伏特效应



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贡献者刘全生

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光生伏特效应，英文名称：Photovoltaic effect。光生伏特效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。

光生伏特效应--(可制作光电池、光敏二极管、光敏三极管和半导体位置敏感器件传感器）；侧向光生伏特效应（殿巴效应）--(可制作半导体位置敏感器件（反转光敏二极管）传感器）；PN结光生伏特效应--(可制作光电池、光敏二极管和光敏三极管传感器）。

中文名

光生伏特效应

外文名

Photovoltaic effect

产业链

硅料、硅片、电池片

解释

半导体受光照射产生电动势的现象

介绍

利用太阳能的最佳方式是光伏转换，就是利用光伏效应，使太阳光射到硅材料上产生电流直接发电。

光生伏特效应用

“光生伏特效应”（ Photovoltaic effect），简称“光伏效应”。光伏效应指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路。

光伏材料能将太阳能直接转换成电能的材料。光伏材料又称太阳能电池材料，只有半导体材料具有这种功能。可做太阳电池材料的材料有单晶硅、多晶硅、非晶硅、GaAs、GaAlAs、InP、CdS、CdTe等。用于空间的有单晶硅、GaAs、InP。用于地面已批量生产的有单晶硅、多晶硅、非晶硅。其他尚处于开发阶段。目前致力于降低材料成本和提高转换效率，使太阳能电池的电力价格与火力发电的电力价格竞争，从而为更广泛更大规模应用创造条件。

以硅材料的应用开发形成的产业链条称之为光伏产业，包括高纯多晶硅原材料生产、太阳能电池生产、太阳能电池组件生产、相关生产设备的制造等。

太阳能电池组件

我国76%的国土光照充沛，光能资源分布较为均匀；与水电、风电、核电等相比，太阳能发电没有任何排放和噪声，应用技术成熟，安全可靠；除大规模并网发电和离网应用外，太阳能还可以通过抽水、超导、蓄电池、制氢等多种方式储存， 太阳能+蓄能，几乎可以满足中国未来稳定的能源需求。

❿ 三种典型的集成电路

a.膜集成电路

根据工艺方法及膜厚的不同，又可分为厚膜集成电路和薄膜集成电路两类。厚膜集成电路是利用丝网漏印的方法(即相似于利用油墨和蜡纸进行印刷的方法)，在绝缘基片上(陶瓷或玻璃)，放上预先做好的漏印板，把电阻材料的印浆通过漏印板印刷在基片上，烘干后就成了厚膜电阻。这种电阻膜的厚度一般有几微米(1微米是千分之一毫米)。通过改变电阻印浆的材料成份以及改变漏印板上的电阻图形的方法，可以得到不同的阻值。利用多层印刷不同材料，可以制作电容器。但是晶体管目前尚不能用这种方法制造。电路中所需的晶体管是利用了硅平面管的管芯硅片，然后和相应元件焊接起来。一块厚膜电路的整个电路连线，是利用漏印法涂印金属印浆而制成

b.半导体集成电路

半导体集成电路是以半导体单晶为基础材料(目前主要是用硅单晶材料)，以制造硅平面晶体管的平面工艺为基本工艺，把晶体管、二极管、电阻电容等制作在同一硅片之上，并且相互连接形成一个完整的电路。电路中的电阻主要是利用掺入一定杂质量的半导体电阻，根据阻值大小，电阻的形状可以是各不相同的。电路中的电容是利用半导体PN结电容，或是用二氧化硅层为电介质而做成电容。电路中的电阻电容是在制作晶体三极管的同时制造的。半导体集成电路中的晶体三极管都是硅平面三极管，是和其他元件制作在同一硅片之上。制作元件的过程中，利用一定工艺方法使元件与元件之间彼此相互绝缘，最后联成电路时，在硅片表面蒸发一层金属铝薄膜，完成元件的联接。做好的电路硅芯片，封入一定的外壳之中。

c.混合集成电路

凡是一个完整电路不能由半导体集成技术或膜集成技术单独制成，而是利用导体集成电路、膜集成电路、分立元件器件这三种工艺方法中的任意两种或三种混合制作的微型结构电路，都叫混合集成电路。这种混合集成电路可以充分发挥每种工艺方法的特点。例如半导体集成电路在制作高阻值、高精度电阻器方面比较困难，就可以在半导体集成电路的二氧化能介质层上制造薄膜电阻来加以解决。