二氧化钛是什么半导体
Ⅰ 二氧化钛光催化剂存在二氧化硫中毒的情况吗
应该是改性问题吧~
纳米二氧化钛的改性方法很多,近年来,人们主要从以下两个方面入手,提高 TiO2光催化剂的光谱
响应范围和光催化效率.
其一是通过掺杂等手段降低 TiO2的禁带宽度,增加其吸收波长.主要采用的方法有:1)掺杂过渡金属:金属离子掺杂可在半导体表面引入缺陷位置或改变结晶度,成为电子或空穴的陷阱而延长寿命;2)表面光敏化:将光活性化合物化学吸附或物理吸附于催化剂表面从而扩大激发波长范围,增加光催化反应的效率; 3)表面螯合及衍生作用:含硫化合物、OH-和乙二胺四乙酸 (EDTA )等螯合剂能影响一些半导体的能带位置,使导带移向更负的位置.
其二是加入电子俘获剂,使光生电子和空穴有效分离,降低 e-和 h+的复合速率,主要采用的方法有:1)贵金属沉积:TiO2 表面沉积适量的贵金属,有利于光生电子和空穴的有效分离以及降低还原反应(质子的还原、溶解氧的还原)的超电压,大大提高了催化剂的活性,研究最多的为 Pt的沉积,其次Ag 、Pd和 Nb等金属的掺杂也能降低 TiO2 的带隙能; 2)复合半导体:不同金属离子的配位及电负性不同而产生过剩电荷,TiO2与半导体复合后增加半导体吸收质子或电子的能力,从而提高催化剂的活性.在二元复合半导体中,两种半导体之间的能级差能使电荷有效分离; 3)电子捕获剂:加入O2、H2O2和过硫酸盐等电子捕获剂,可以捕获光生电子,降低 e-与 h+的复合几率,从而提高光催化效率.
Ⅱ 二氧化钛半导体性质应用
二氧化钛的电导率随温度的上升而迅速增加,而且对缺氧也非常敏感。
例如,金红版石权型二氧化钛在20℃时还是电绝缘体,但加热到420℃时,它的电导率增加了107倍。
稍微减少氧含量,对它的电导率会有特殊的影响,按化学组成的二氧化钛(TiO2)电导率<10-10s/cm,而TiO1.9987的电导率只有10-1s/cm.
Ⅲ 氧化铜和二氧化钛是半导体吗
那必须的呀,一般的金属氧化物都是半导体。
Ⅳ Cu2O、TiO2分别属于什么半导体为什么
氧化铜是来一种具有带隙较自窄带隙(1.2—1.5eV)的p-型半导体材料。硅是目前使用最多的半导体材料,二氧化硅不是半导体。
氧化铜和硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性
Ⅳ 纯的锐钛型二氧化钛是什么类型的半导体
http://ke..com/view/6729945.htm
Ⅵ 氧化钛型氧传感器的半导体材料二氧化钛的阻值取决于
一般至少有两个。
二氧化钛(化学式:TiO₂),白色固体或粉末状的两性氧化物,分子量:版79.87,是一权种白色无机颜料,具有无毒、最佳的不透明性、最佳白度和光亮度,被认为是目前世界上性能最好的一种白色颜料。钛白的粘附力强,不易起化学变化,永远是雪白的。广泛应用于涂料、塑料、造纸、印刷油墨、化纤、橡胶、化妆品等工业。它的熔点很高,也被用来制造耐火玻璃,釉料,珐琅、陶土、耐高温的实验器皿等。
Ⅶ 纯的锐钛型二氧化钛是什么类型的半导体
其实大部分资料网上都是能找到的,最主要的区别就是金红石无论在遮盖、分散等各个方面的性能都要远超锐钛,锐钛在高温下也会转变为金红石。用途上基本都是重叠的,锐钛基本多用于低端一点的产品当中。
Ⅷ 新学校甲醛多怎么办
甲醛超标办法:
1、通风法
就是开窗通风。比较寻常的手法,打开门窗使空气自然流通即可。这样可在一定程度上降低室内家具异味的含量,但无法从根本上减少有害气体的存在,无法切断污染源,治标不治本。因为甲醛有游离、吸附、结合三种存在状态。
2、活性炭吸附法
活性炭除甲醛是一种比较廉价和实用的方法,特点是物理吸附,吸附彻底,不易造成二次污染。活性炭的物理作用除臭,去毒;无任何化学添加剂,对人身无影响。但是对于浓度比较高的环境,则需要大量的活性炭,少量的活性炭其吸附能力还是有限的。
3、绿植吸附法
室内摆放一些植物也可以减轻污染,比如,绿萝、富贵竹、柚子皮、菠萝、茶叶等,这5种植物对于甲醛的去除效果较好。其中绿萝对于甲醛的去除稳定性和持续性较好。特别要提醒的是,使用植物净化室内空气要定期轮换,以保证吸附净化效果的持续性。
其只能作为辅助的手段,效果有限,不能作为主要的除甲醛方法。
4、光触媒除醛法
光触媒,是以纳米级TiO2(二氧化钛)为代表的具有光催化功能的光半导体材料的总称。将其涂布于基材表面,在光照条件下,可以使有机物或者无机物发生氧化还原反应,最终反应生成二氧化碳和水,能快速有效的出去甲醛等污染源,杀灭多种细菌,并能将细菌或真菌释放出的毒素分解及无害化处理,也能分解人类活动引入的一些生活异味。
5、请专业的甲醛检测治理机构
大家在治理甲醛污染时,可以找专业的除甲醛公司。这样不仅除甲醛时间比较快,一般5~7天左右就能入住。
Ⅸ 黑色tio2是n型还是p型导电
在理想状态下的BiOCl 应该是本征半导体
在实际中 我觉得它应该是n型 BiOCl 是一种光催化剂 类比于内同为光催化剂的容TiO2 其类型和性质应该差不多 TiO2存在非化学计量比缺陷 即电荷缺陷 点缺陷的一种 换句话说 TiO2中非故意掺杂的TiO2中含有Ti2O3(氧成分偏少 偏离TiO2的化学比)Ti2O3中Ti离子为+3价 从而多出一个游离于晶格中的3d电子 使TiO2成为电子导电的n型半导体 所以 我觉得BiOCl 应该也是n型半导体吧
BiOBr、BiOI 只是卤素的替换 我觉得应该和 BiOCl 差不多
我也不知道应该看啥书 看看材料科学基础里面关于晶体缺陷的吧 涉及晶体的非化学计量数缺陷 对晶体材料性能的影响的内容
Ⅹ 如何让直接间隙半导体变成间接间隙半导体
直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和价带最大值(价带顶)在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。
间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。
间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量。
材料本身是不会发光,这是能量守衡决定的.材料吸收外来的能量源(电能/光能均可),使价带的电子激发到导带上,然后通过辐射跃迁,发出光子.间接带隙的半导体材料在跃迁时会产生声子,严重影响发光. 结构和措施很多,但材料必须是直接带隙半导体材料.
简单点说,从能带图谱可以看出,间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化,这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一 样了,这样会极大的几率将能量释放给晶格,转化为声子,变成热能释放掉。而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化,而无位置变化,于是便有更大的几率将能 量以光子的形式释放出来。想让间接带隙材料发光,可以采用参杂引入客发光体,将能量引入客发光体使其发光(提高发光效率)