半导体esd主要测哪些参数

❶ ESD是什么ESD静电二极管和ESD放电二极管是一样的吗优恩半导体的ESD主要应用于哪些

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护器件，亦称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用回不同的布答局设计成具有特定功能的单路或多路ESD保护器件。ESD静电保护二极管响应速度快（小于0.5ns）、低电容、低导通电压、高集成度、小体积、易安装，可以同时实现多条数据线保护，是业内最理想的高频数据保护器件。

ESD静电保护二极管，主要应用于各类通信接口的静电保护，如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等。同时，ESD静电保护元器件封装多样化，从单路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT23-6L、QFN-10等，电路设计工程师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装的ESD静电保护二极管。

SOT-23封装ESD静电保护二极管

❷ 计算机的内部组件如何进行ESD防护

ESD是Electro Static Discharge英文的缩写，中文含义即静电放电：处于不同电位的两个物体之间，由于直接接触或静电场感应导致的电荷传输（转移）。可见，静电与静电放电（ESD）是完全不同的物理概念或物理过程。一个是“静”，一个是“动”。 伴随着静电放电，往往有电量的转移、电流的产生和电磁场辐射。

1何为静电

静电是物体表面过剩或不足的静止电荷。

1.静电是一种电能，它留存物体表面。

静电是正电荷 和负电荷在局部范围内失去平衡的结果；

静电是通过电子或离子转移而形成的。

2.静电现象是电荷的产生和消失的过程中产生的电现象的总称。

2静电放电三要素

Q+M+D=ESD

Q：一定积累的静电荷。

M：放电途径，如金属接触、对地或低阻的泄放途径。

D：静电敏感器件。

3静电产生原理

电子围绕原子核运动,一有外力即脱离轨道,离开原来的原子而侵入其他的原子。

外力包含各种能量, 如动能,位能,热能,化学能,电磁能等。

A原子因缺少电子数而带有正电现象, 称为阳离子。

B原子因增加电子数而带有负电现象, 称为阴离子。

4静电在电子工业中的危害

1.静电吸附灰尘，降低元件绝缘电阻（缩短寿命）。

2.静电放电破坏，使元件受损不能正常工作：静电放电时当放电电流过大(瞬时大电流可达几十A), 产生过高热能, 将会击穿元件。

三种击穿现象：

热击穿：P-N破坏；

介电击穿: 氧化层的破坏；

金属汽化: 金属线被汽化而开路。

3.静电放电辐射的电磁场幅度很大（可达几百V/m）频谱极宽（从几十兆到几千兆），对电子产品造成干扰甚至损坏。

5ESD测试标准

目前IEC 61000-4-2看作是 ESD 测试的事实标准。我国的国家标准（GB/T 17626.2-1998）等同于IEC 61000-4-2。

常用消费类的测试采用接触4KV和空气8KV，某些高标准行业如车载类，会采用8KV和空气15KV。

6电路级ESD防护标准

1.并联放电器件

常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。
齐纳二极管（ Zener Diodes） ： 利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。

瞬变电压消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor)： TVS 是一种固态二极管，专门用于防止 ESD 瞬态电压破坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管相比， TVS 二极管 P/N 结面积更大，这一结构上的改进使 TVS 具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。

TVS二极管的瞬态功率和瞬态电流性能与结的面积成正比。该二极管的结具有较大的截面积，可以处理闪电和 ESD所引起的高瞬态电流。TVS也会有结电容，通常0.3个pF到几十个pF。TVS有单极性的和双极性的，使用时要注意。

压敏电阻：压敏电阻也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压 - 电流 ( 阻抗表现 ) 关系，截止电压可达最初中止电压的 2 ～ 3倍。这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的静电或浪涌保护，如电源回路，按键输入端等。压敏电阻价格比TVS低不少，但是防护效果没有TVS好，且压敏电阻有寿命老化。

❸ ESD真的那么恐怖吗 请半导体专业研究人员帮忙.

没有任何防护设备的情况下，静电是很容易击毁产品的。
在没有采取防静电措施的版环境中， 各种物权体都有可能产生静电，而且表面绝缘的物体能产生上万伏的静电电压，而在2000V以下的静电放电，人几乎是感觉不到的。而击毁一个芯片只需要不到200V的静电电压。
防护静电有很多种途径，包括静电屏蔽、静电泄放、控制湿度和静电中和等等，只要各种防护措施做到位，在防静电工作区内，还是可以对静电放电的发生进行有效地控制，减少元件被破坏的几率。防静电工作区的建立是一个系统工程，可以参考相关的国家标准和行业标准，里面有详细的说明和评判标准。

❹ ESD和半导体放电管什么区别

ESD：electrostatic protection device 电子保护器 也称：静电保护 半导体放电管：Thyristor & Sidactor 它是用半导材料做成的，属于二极管的一类 ，它是起开关作用，把大的能量泄放到大地。它主要指标有：通流量、动作电压。
ESD与半导体放电管，同属于过压，峰值波涌吸收的器件，详细你可以看看这家公司的产品手册：它们里面技术文档很齐的，看看他的参数说明！
http://www.yint.com.cn/proctlist.asp?classid=926 它是半导体放电管的资料
http://www.yint.com.cn/proctlist.asp?classid=929 它是静电ESD的资料

❺ ESD和半导体放电管什么区别

防浪涌电路的主要元器件有放电管、压敏电阻、电压钳位瞬态拟制二极管（TVS）、回电压开关型瞬态拟制二极管（答TSS）、热敏电阻（PTC）等。在防护器件中，气体放电管的特点是通流量大，但响应慢、击穿电压高；TVS管通流量小，响应快，电压钳位特性好

❻ 如何实现电路保护设计中的ESD保护

对于电子产品而言，保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。随着消费类电子产品需求的持续增长，更要求有强固的静电放电(ESD)保护，同时还要减少不必要的电磁干扰(EMI)/射频干扰(RFI)噪声。此外，消费者希望最新款的消费电子产品可以用小尺寸设备满足越来越高的下载和带宽能力。随着设备的越来越小和融入性能的不断增加，ESD以及许多情况下的EMI/RFI抑制已无法涵盖在驱动所需接口的新一代IC当中。 另外，先进的系统级芯片(SoC)设计都是采用几何尺寸很小的工艺制造的。为了优化功能和芯片尺寸，IC设计人员一直在不断减少其设计的功能的最小尺寸。IC尺寸的缩小导致器件更容易受到ESD电压的损害。过去，设计人员只要选择符合IEC61000-4-2规范的一个保护产品就足够了。因此，大多数保护产品的数据表只包括符合评级要求。由于集成电路变得越来越敏感，较新的设计都有保护元件来满足标准评级，但ESD冲击仍会形成过高的电压，有可能损坏IC。因此，设计人员必须选择一个或几个保护产品，不仅要符合ESD脉冲要求，而且也可以将ESD冲击钳位到足够低的电压，以确保IC得到保护。图1：美国静电放电协会(ESDA)的ESD保护要求先进技术实现强大ESD保护安森美半导体的ESD钳位性能备受业界推崇，钳位性能可从几种方法观察和量化。使用几个标准工具即可测量独立ESD保护器件或集成器件的ESD钳位能力，包括ESD保护功能。第一个工具是ESD IEC61000-4-2 ESD脉冲响应截图，显示的是随时间推移的钳位电压响应，可以看出ESD事件中下游器件的情形。图2：ESD钳钳位截图除了ESD钳位屏幕截图，另一种方法是测量传输线路脉冲(TLP)来评估ESD钳位性能。由于ESD事件是一个很短的瞬态脉冲，TLP可以测量电流与电压(I-V)数据，其中每个数据点都是从短方脉冲获得的。TLP I-V曲线和参数可以用来比较不同TVS器件的属性，也可用于预测电路的ESD钳位性能。图3：典型TLP I-V曲线图安森美半导体提供的高速接口ESD保护保护器件阵容有两种类型。第一类最容易实现，被称为传统设计保护。在这种类型设计中，信号线在器件下运行。这些器件通常是电容最低的产品。另一类是采用PicoGuard XS技术的产品。这种类型设计使用阻抗匹配(Impedance Matched)电路，可保证100 Ω的阻抗，相当于电容为零。这类设计无需并联电感，有助于最大限度地减少封装引起的ESD电压尖峰。图4：传统方法与PicoGuard XS设计方法的对比安森美半导体的保护和滤波解决方案均基于传统硅芯片工艺技术。相比之下，其它类型的低成本无源解决方案使用的是陶瓷、铁氧体和多层压敏电阻(MLV)组合的材料。这类器件通常ESD钳位性能较差。在某些情况下，传递给下游器件的能量可能比安森美半导体解决方案低一个量级。一些采用旧有技术的产品甚至可能在小量ESD冲击后出现劣化并变得更糟。由于其材料性质，一些无源器件往往表现出温度的不一致性，从而降低了终端系统在标准消费温度和环境温度范围内运行的可靠性。1

❼ 半导体公司ESD的正确接地线怎么接

防静电地线可以引用强电地弱电地或者铺设独立接地。进入车间后采用树型结构分支连接个防静电单元。车间内的静电地线与强电弱电地线不短接。