什么是本征半导体和非本征半导体

『壹』 下列各项中，什么是本征半导体

本征半导体（来intrinsic semiconctor)）是完全不含杂自质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。但实际半导体不能绝对的纯净，此类半导体称为杂质半导体。本征半导体一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲，完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体或I型半导体。主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体结构。

『贰』 什么是本征半导体

本征导电
在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论）

，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。在本征半导体中，这两种载流子的浓度是相等的。随着温度的升高，其浓度基本上是按指数规律增长的。
复合
导带中的电子会落入空穴，使电子－空穴对消失，称为复合（recombination）。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。
特点
本征半导体特点：电子浓度=空穴浓度（掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以具有本征半导体特点。）
缺点
缺点：载流子少，导电性差，温度稳定性差！

『叁』 什么是本征半导体

本征半导体是一种理想的状态
定义为：完全没有掺杂并且没有缺陷的纯净的半导版体称为本证半权导体
这种半导体在实际中是难以达到的，纯净度方面，杂质是很难避免的，无论再怎么样提纯也都只能增加99.999%小数点后面的9，缺陷方面，在材料形成的过程中，无论是点缺陷，线缺陷，面缺陷还是体缺陷，都会或多或少存在于晶格结构之内。

『肆』 为什么本征半导体的电导率低于非本征半导体

我以来N型半导体给你举一个例子源：
单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4（万分之一），则杂质原子浓度为10^18cm^-3。在常温下，杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带中，其浓度也为10^17cm^-3。而常温下硅的本征载流子浓度只有10^10cm^-3的量级。可见N型半导体中多数载流子是电子，而少数载流子是本征载流子（电子空穴对）。
可见，在室温附近，许多元素半导体本征载流子为数极少，所以本征半导体电阻仍很高。而在同一温度下，掺杂半导体的导电能力为本征半导体的数百倍及其以上。

『伍』 我现在都弄不清楚，电子电路中什么是本征半导体和杂质半导体

纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。
而杂质半导体是指在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。
两者有本质的区别。

『陆』 什么是本征半导体什么是杂质半导体（N型、P型）

本征半导体是非常纯净不含杂质的半导体晶体，而在单晶半导体内，原子按晶体结构排列得非常整齐。
杂质半导体就是掺入微量元素的本征半导体，例：N型掺入五价元素磷，P型掺入三价元素硼。

『柒』 关于本征半导体

问题一

楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识，打个比方：以版硅材料为列，硅常温下本证载流权子浓度在10个零左右，如果制作BJT基区，参杂一般在17到19个零之间，就已参杂18个零为列，这时候电子浓度为18个零，当温度升高后，加入本证激发提高到了一万倍，这时候空穴浓度就是14个零，比原来增加了一万倍，而电子的浓度变成了18个零加上14个零，变成了原来的1.0001倍。
可见，常温完全电离情况下，多子浓度几乎与温度无关，而少子浓度则对温度很敏感。
问题二
对于第二个问题是因为楼主对NP=ni*ni没有理解，建议楼主亲自推到一下这个公式的来历加深一下理解。
首先这个公式只有对平衡状态下的半导体才会成立，也就是电子和空穴有同一的费米能级，处于电场中的半导体处于非平衡态，没有统一的费米能级，而是引入了准费米能级的概念。
希望对楼主有用，望采纳！

『捌』 什么是本征半导体

本征半导体

完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。

1．半导体中的两种载流子—自由电子和空穴

在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。但是，当半导体的温度升高（例如室温300oK）或受到光照等外界因素的影响，某些共价键中的价电子获得了足够的能量，足以挣脱共价键的束缚，跃迁到导带，成为自由电子，同时在共价键中留下相同数量的空穴，如图2—3（a）所示。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电，与电子的电荷量相同。把热激发产生的这种跃迁过程称为本征激发。显然，本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。
由于空穴的存在，临近共价键中的价电子很容易跳过去填补这个空穴，从而使空穴转移到临近的共价键中去，而后，新的空穴又被其相邻的价电子填补，这一过程持续下去，就相当于空穴在运动。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动与带正电荷的粒子作反方向运动的效果相同，因此我们把空穴视为带正电荷的粒子。可见，半导体中存在两种载流子，即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自由电子。
在没有外加电场作用时，载流子的运动是无规则的，没有定向运动，所以形不成电流。在外加电场作用下，自由电子将产生逆电场方向的运动，形成电子电流，同时价电子也将逆电场方向依次填补空穴，其导电作用就像空穴沿电场运动一样，形成空穴电流。虽然在同样的电场作用下，电子和空穴的运动方向相反，但由于电子和空穴所带电荷相反，因而形成的电流是相加的，即顺着电场方向形成电子和空穴两种漂移电流。

『玖』 非本征半导体的介绍

当向半导体中添加受主或施主物质(称为掺杂物)，通过施主型杂质解离向导带注入电子或受主型杂质俘获价带电子产生了自由载流子，使本征半导体产生额外的电导，成为非本征半导体。