半导体出带是什么样的

1. 请问本征半导体的能带结构是怎样的

----------------导带

-----------------价带

本征半导体带隙中不存在杂质能级，能带结构只由导带和价带构成

2. 半导体中的价电子占有的能带是价带还是导带

又是你啊．
应该是价带吧,由于原子在紧密结合的时候,分裂的能级由专于轨道重叠,形成能带.而价属电子是半导体原子与周围原子形成公价键时出现的.一般说,半导体导带是空的,不象金属是半满的.费米能级在禁带中,导带中电子出现的概率极低.
应该这样吧.
你是学电子的吗?

3. 半导体材料到底是什么颜色的

半导体材料到底是什么颜色的

不同的半导体颜色不同，这与带隙有关，窄带隙吸收可内见光会偏容灰黑（比如Si），宽禁带透可见光就是透明的（比如ZnO、GaN）；
掺杂少了，颜色没啥变化，掺杂多了有变化。杂质在禁带中会形成不同的能级（与杂质种类有关，掺多了会形成杂质局域能带，称之为中间带，或与导带底、价带顶等衔接），影响光吸收，从而改变颜色；
体材料和薄膜的颜色有时不一样。薄膜薄的会透光，厚的透光少；
若薄膜厚度与波长相近还会产生干涉相应，也影响薄膜颜色（类似与肥皂泡上的彩色，有时据此简单推测薄膜厚度）。

4. 如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。

光效率很大的话差专不多就是直接带隙，发光效率低属的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。

间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

(4)半导体出带是什么样的扩展阅读：

光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。

光致发光特点：

1、光致发光优点

设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。

2、光致发光缺点

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。

5. n型半导体带电吗为什么4.半导体分哪几种各有什么特点

不带电。n型半导体是指在本征半导体中加入五价元素，每一个五价元素原子与四个四价半导体元素原子形成四对共用电子对（每一对电子对由半导体元素原子与该五价元素原子各提供一个电子），这样五价元素原子因四对八个共用电子而达到最外层电子稳定，于是多出来的一个电子（因为形成共用电子对时五价元素原子只贡献了4个电子）就成为自由电子，这就是n型半导体的多数载流子。但是尽管如此，n型半导体还是不带电。因为加入五价元素后所有原子的质子数与所有原子的电子数仍然相等，在加入五价元素后，在载流子的形成过程中不存在系统对外电子的失去或得到。因此整个系统还是静电平衡，因此，不带电。半导体一般分为本征半导体和杂质半导体。杂质半导体根据掺入元素价态的不同又分为n型半导体（掺入五价元素）与p型半导体（掺入三价元素）。本征半导体导电性能很差，其中电子和空穴都参与导电，而电子和空穴都是热激发形成的。因此本征半导体的导电性具有温度敏感性。杂质半导体导电性能要好于本征半导体。同时杂质半导体主要是多子（多数载流子）导电。这是因为五价或三价元素掺入的过程使多子数量远多于少子数量。其中n型半导体多子为自由电子，p型半导体多子为空穴。因为杂质半导体多子数量主要和掺入杂质数量有关，因此其多子几乎不受温度影响。但其导电性对温度也比较敏感，这是因为质半导体中的少子还是受热激发产生的，因此也受温度影响。

6. 半导体构造pnp. 如图P＋N＋表示啥为啥带个加号

p型和n型半导体的导电原理大致是：电子受激发后离开原位，留下空穴，带-电的是电子，电子游离出来，与另一个缺了电子的空穴结合。可以认为空穴是带+电的，从整体上看，电子和空穴的流动形成了电流。

7. 介绍下半导体的能带理论

一般导体2边度能垒/势垒相同，对换高低电位时表现出来的电气性能不变（电阻）内
半导体则不同，2边度容势垒不同，对换电位后的电气性能截然不同（电阻）。

一般导体 看成是光滑平面上滚一个钢珠。从左到右 或从右到左，动力学参数基本一样。
半导体 看成是倾斜平面，则从高处往低处需要的初始动能很小，而从低处到高处需要比较大的初始动能。

8. 请解释一下什么叫半导体的“导带边缘”

导带边缘就是指导带底附近。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有专关说属明。

9. 介绍下半导体的能带理论

半导体能带理论
分析半导体能带理论，必须从能级，能带，禁带，价带，导带开始。因此分析如下：
能级（ Level）：在孤立原子中，原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有分立的能量值，也就是电子按能级分布。为简明起见，在表示能量高低的图上，用一条条高低不同的水平线表示电子的能级，此图称为电子能级图。 能带（Enegy Band）：晶体中大量的原子集合在一起，而且原子之间距离很近，以硅为例，每立方厘米的体积内有5×1022个原子，原子之间的最短距离为0.235nm。致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。从而使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 禁带（Forbidden Band）：允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允许带。被电子占满的允许带称为满带，每一个能级上都没有电子的能带称为空带。 价带（Valence Band）：原子中最外层的电子称为价电子，与价电带。 导带（Conction Band）：价带以上能量最低的允许带称为导带。 导带的底能级表示为Ec，价带的顶能级表示为Ev，Ec与Ev之间的能量间隔称为禁带Eg。 半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。半导体中的载流子是带负电的电子和带正电的空穴。对于不同的材料，禁带宽度不同，导带中电子的数目也不同，从而有不同的导电性。例如，绝缘材料SiO2的Eg约为5.2eV，导带中电子极少，所以导电性不好，电阻率大于1012Ω·cm。半导体Si的Eg约为1.1eV，导带中有一定数目的电子，从而有一定的导电性，电阻率为10-3—1012Ω·cm。金属的导带与价带有一定程度的重合，Eg=0，价电子可以在金属中自由运动，所以导电性好，电阻率为10-6—10-3Ω·cm。