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哪些因素影响掺杂半导体

发布时间: 2021-01-09 23:43:09

❶ 掺杂对半导体导电性能的影响有那些

不掺杂的半导体为本征半导体,导电依靠受热激发的产生的激发电子和空穴.而掺杂专可以在很大程度上提属高半导体的导电性.
掺杂可分为N型掺杂和P型掺杂.N型掺杂会增加N(电子)导电.P型掺杂增加空穴导电.
PN结就是半导体一部分P型掺杂,一部分N型掺杂形成的.
希望对你有所帮助.

❷ 影响半导体禁带宽度的因素有哪些分别是怎么影响的

我来回答一下,来本人某电微自电子科学与工程专业,有表述不当之处,望批评指正。
影响半导体禁带宽度的因素主要有两种:温度与掺杂浓度。(以si、Ge、GaAs半导体为主)
1、半导体禁带宽度具有负温度系数:
从原子到晶体,经过价键杂化(即:sp3杂化),一条原子能级一般对应多个能带。当温度升高时,晶体的原子间距增大,能带宽度虽然变窄,但禁带宽度却是减小的。(这里解释一下,虽然原子间距增大了,并且能带宽度变窄了,但是此时有多条能带,相对来说,禁带宽度是变小的);
2、掺杂浓度升高时,由于杂质能级的出现,可能导致禁带宽度变窄:
其实这一点从本质来解释是不太好理解的,我这里举个例子,再给出我个人的一些理解,希望可以帮助你理解这一点。例:在BJT中,发射区高掺杂会导致禁带宽度变窄。我个人理解是,有了杂质能级的加入,导电性增强,就像把禁带宽度一分为二,原先的阻碍减少了一部分,相当于禁带宽度变窄了。(纯属个人理解)

❸ 半导体的光电导受哪些因素的影响

半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感.纯度很高的半导体材料称为本征半导体,常温下其电阻率很高,是电的不良导体.在高纯半导体材料中掺入适当杂质后,由于杂质原子提供导电载流子,使材料的电阻率大为降低.这种掺杂半导体常称为杂质半导体.杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体,靠价带空穴导电的称P型半导体.不同类型半导体间接触(构成PN结)或半导体与金属接触时,因电子(或空穴)浓度差而产生扩散,在接触处形成位垒,因而这类接触具有单向导电性.利用PN结的单向导电性,可以制成具有不同功能的半导体器件,如二极管、三极管、晶闸管等.此外,半导体材料的导电性对外界条件(如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感,据此可以制造各种敏感元件,用于信息转换.
半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度.禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量.电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力.非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性.位错是晶体中最常见的一类缺陷.位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度,对于非晶态半导体材料,则没有这一参数.半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别 ,更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下,其特性的量值差别.

❹ 温度、压力,还有什么外界因素对半导体的导电性能有很大影响

那要看其材料,如:声敏电阻是由声音控制的。

❺ 影响半导体器件响应特性的因素有哪些

如果是响应特性的话题主可能是想问半导体的响应速度,也就是对高频信号的响应。
首先在半回导体本身上面分析答,就是看禁带的形状,因为这影响到电子在半导体内部的有效质量,禁带变化得越激烈,有效质量越小,受电场加速越快,响应速度就越快。
同理还跟掺杂有关系,掺杂越多电子运动阻碍变多,弛豫时间变短,响应也会变慢。
在期间层面上金属半导体结或者pn结之间的势垒相差太大,电子穿越的时候需要能量就高,响应也会变慢;
还有就是半导体作材料时的厚度,接触面积都会影响传播的时间影响响应速度:材料越薄,接触面积越大,响应越快。
如果没有回答对方向可以随时回复~

❻ 影响半导体性能的三个因素

半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。
三个因素——杂质、温度、光照

❼ 掺杂对半导体导电性能的影响有那些

不掺杂的半导体为本征半导体,导电依靠受热激发的产生的激发电子和空穴。而掺杂可以在版很大权程度上提高半导体的导电性。
掺杂可分为N型掺杂和P型掺杂。N型掺杂会增加N(电子)导电。P型掺杂增加空穴导电。
PN结就是半导体一部分P型掺杂,一部分N型掺杂形成的。
希望对你有所帮助。

❽ 掺杂杂质半导体中影响多数和少数载流子数量的最主要原因是什么急!!!!

主要原因是杂质在禁带里占的位置和杂质浓度。

❾ 对半导体性能都有很大影响的外界因素有哪些

对半导体性质影响最大的是温度:禁带宽度与温度有关;载流子浓度更是与温内度有关;载流子容迁移率也与温度有关;半导体的体积等也与温度有关(热膨胀)。
光照影响:可产生非平衡载流子,导致光电导。
压力影响:压阻效应。
接触影响:形成pn结、金属-半导体接触等。
电场影响:可产生场致发射等。
磁场影响:半导体的Hall效应远大于金属。
气氛影响:表面状态与气氛有很大关系。

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