化合物半导体与si相比有哪些优缺点

① 硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础．回答下列问题：（1）基态Si原子中，电子占据的能量最

（1）原子中，离原子核越远的电子层其能量越高，所以Si原子中M电子层能量最高；该原子中含有3个s轨道、6个p轨道，所以一共有9个轨道，
故答案为：M；9；
（2）硅属于亲氧元素，在自然界中不能以单质存在，主要以二氧化硅和硅酸盐存在，故答案为：二氧化硅；
（3）硅单质中硅硅之间以共价键结合，硅晶胞中每个顶点上有1个Si、面心是有1个Si、在晶胞内部含有4个Si原子，利用均摊法知，面心提供的硅原子个数=6×

1

2

=3，
故答案为：共价键；3；
（4）可使湿润的红色石蕊试纸变蓝的气体是氨气，再根据元素守恒知还生成氯化镁MgCl₂，所以反应方程式为：Mg₂Si+4NH₄Cl=SiH₄↑+4NH₃↑+2MgCl₂，
故答案为：Mg₂Si+4NH₄Cl=SiH₄↑+4NH₃↑+2MgCl₂；
（5）①键能越大形成的化学键越稳定，C-C键和C-H键的键能大于Si-Si键和Si-H键的键能，所以
C-C键和C-H键较强，所形成的烷烃稳定，而硅烷中Si-Si键和Si-H键的键能较低，易断裂，导致长链硅烷难以生成，故答案为：C-C键和C-H键较强，所形成的烷烃稳定，而硅烷中Si-Si键和Si-H键的键能较低，易断裂，导致长链硅烷难以生成；
②键能越大形成的化学键越稳定，CC-H键的键能大于Si-H键的键能，而Si-H键的键能却远小于Si-O键，所以Si-H键不稳定而倾向于形成稳定性更强的Si-O键，
故答案为：C-H键的键能大于C-O键，C-H键比C-O键稳定，而Si-H键的键能却远小于Si-O键，所以Si-H键不稳定而倾向于形成稳定性更强的Si-O键；
（6）根据图片知，每个三角锥结构中Si原子是1个，O原子个数=2+2×

1

2

=3，所以硅原子和氧原子个数之比=1：3，3个O原子带6个单位负电荷，每个硅原子带4个单位正电荷，所以形成离子为[SiO₃]_n^2n-（或SiO₃^2-），
故答案为：1：3；[SiO₃]_n^2n-（或SiO₃^2-）．

② 砷化镓半导体掺入Si 是n型半导体还是P型 求详细解答 谢谢

上面答案说的很对但似乎又什么都没说。。
掺入Si一般会形成N型半导体，Si更容易替换Ga

③ 杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用

1) 本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。绝对零度时价带被价电子填满，导回带是空的。
2) 随着答温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加，在本征时器件不能稳定工作。而对于掺杂半导体，室温附近载流子主要来源于杂质电离，在杂质全部电离的情况下，载流子浓度一定，器件就能稳定工作。所以，制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料，而且每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就会失效。
3) 杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用：是半导体Si\Ge的导电性能发生显著的改变。

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④ Bi"为什么不是半导体它与‘Si’的位子不是一样的吗

铋(Bi)的硒化物和碲化物具有半导体性质。可以作为半导体。但是，Bi的导热版性太差，熔点太低（权最高271.3℃就融化并会燃烧，而锗是它的三倍）。并且铋元素在凝固时候会膨胀，膨胀率3.3%，较脆。
依据上面的特性，铋元素如果作为半导体芯片时，某些芯片需要工作在高温情况下，或芯片自身发热，铋容易融化。而且在凝固时会变大。
所以根据铋元素的特性，铋主要用于制造易熔合金，熔点范围是47～262℃，最常用的是铋同铅、锡、锑 、铟等金属组成的合金，用于消防装置、自动喷水器、锅炉的安全塞，一旦发生火灾时，一些水管的活塞会“自动”熔化，喷出水来。 在消防和电气工业上，用作自动灭火系统和电器保险丝、焊锡。

⑤ si半导体 是什么意思

就是硅基半导体,Si是化学元素硅,
硅基半导体是以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。

⑥ 简述Si半导体的重要性

有晶态和无定形两种同素异形体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。晶态硅的熔点1410C,沸点2355C,密无定形硅是一种黑灰色的粉末。
硅的化学性质

硅在常温下不活泼，其主要的化学性质如下：

(1)与非金属作用
常温下Si只能与F2反应，在F2中瞬间燃烧，生成SiF4.

Si+F2 === Si+F4

加热时，能与其它卤素反应生成卤化硅，与氧反应生成SiO2:

Si+2F2 SiF4 (X=Cl,Br,I)

Si+O2 SiO2 (SiO2的微观结构)

在高温下，硅与碳、氮、硫等非金属单质化合，分别生成碳化硅SiC、氮化硅Si3N4和硫化硅SiS2等.

Si+C SiC
3Si+2N2 Si3N4
Si+2S SiS2

(2)与酸作用
Si在含氧酸中被钝化，但与氢氟酸及其混合酸反应，生成SiF4或H2SiF6:

Si+4HF SiF4↑+2H2↑
3Si+4HNO3+18HF === 3H2SiF6+4NO↑+8H2O

(3)与碱作用
无定形硅能与碱猛烈反应生成可溶性硅酸盐，并放出氢气：

Si+2NaOH+H2O === Na2SiO3+2H2↑

(4)与金属作用
硅还能与钙、镁、铜、铁、铂、铋等化合，生成相应的金属硅化物。

⑦ 为什么绝大多数的集成电路都采用了Si半导体

因为Si半导体的技术非常成熟并且原料成本很低，是继锗之后最先研究的半导体材回料，非常具有代表性所以答教材中也大都讲的是Si工艺。集成电路非常昂贵，每一条生产线都要用好久，并且第三代半导体上做集成电路也是最近才成功。

⑧ 高中所说的半导体是SIO2还是SI

Si

⑨ si和gaas半导体晶体的解理面分别是什么为什么

矿物晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂，并且能裂出光滑平面的性质称为解理，这些在解理中出现的平面称为解理面。

⑩ 在掺杂的元素半导体Si、Ge中，一般情况下的主要散射机构是什么

答：1) 对掺杂的Si、Ge，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；
2) 对III-V族化版合物半导权体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；
3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),
声学波散射：τs∝T^(-3/2),
光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]

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