选择半导体二级管的参数不包括什么

A. 半导体和二极管有什么关系

二极管与半导体是完全不同的东西，只能说二极管是由半导体组成的器件，半导体无论那个方向都能流动电流。

二极管的正负二个端子。正端A称为阳极,负端K 称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：半导体的一半是一半的半；面二极管也是只有一半电流流动(这是错误的)，所有二极管就是半导体 。

(1)选择半导体二级管的参数不包括什么扩展阅读：

结构

PN结两端各引出一个电极并加上管壳，就形成了半导体二极管。PN结的P型半导体一端引出的电极称为阳极，PN结的N型半导体一端引出的电极称为阴极。半导体二极管按结构不同可分为点接触型、面接触型和平面型。

点接触型半导体二极管由一根金属丝与半导体表面相接触，经过特殊工艺，在接触点上形成PN结，作出引线，加上管壳封装而成。点接触型二极管的PN结面积小，高频性能好，适用于高频检波电路、开关电路。

面接触型半导体二极管，它的PN结是用合金法工艺制作而成的。面接触型二极管的PN结面积大，可通过较大的电流，一般用于低频整流电路中。

是平面型半导体二极管，它的PN结是用扩散法工艺制作的。平面型二极管常用硅平面开关管，其PN结面积较大时，适用于大功率整流；其PN结面积较小时，适用于脉冲数字电路中做开关管使用。

B. 半导体二极管的主要参数

★最大整流电流IF：指二极管长期工作，允许通过的最大直流电流。
★最高反向回工作电压答UR：指二极管正常使用允许加的最高反向电压。
稳压管：稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿。 ★稳定电压UZ：UZ是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。
★稳定电流IZ: IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。只要不超过稳压管的额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。
★额定功耗PZM：PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积。稳压管超过此值时，会因结温升高而损坏。
★动态电阻rZ：rZ为稳压管工作在稳压区时，稳压管电压的变化量与电流变化量之比，即 。rZ愈小，电流变化时UZ的变化愈小，稳压性能愈好。
★温度系数 ： 表示温度每变化1°C稳压值的变化量，即 = 。
限流电阻：稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常工作，故称这个电阻为限流电阻。

C. 半导体二极管进行代换时主要考虑哪两个参数

耐压和电流

D. 半导体二极管各项参数测试原理是什么

VB即反向崩溃电压，主要测试该产品在多大电压会崩溃，主要是考虑专产品可以操作在多大电压或属多大电流
VF即顺向电压，给一个顺向电流测起两端电压，简单的可以说是为了测试产品焊线是否正常
IR即反向电流或漏电流，给一个反向电压测其电流，漏电流应该很小才合理，一般是nA等级
TRR这个我没有用到过，不好意思
望采纳

E. 什么是绝缘体、半导体、导体二极管 三极管的主要参数额绝缘体

绝缘体：是指不能导电的物质。常见的有，干燥的木材、橡胶、塑料、陶瓷等等。回
半导体：主要答有：锗、硅等元素。
半导体二极管：由锗或硅加工成的，具有单向导电性质的电子元件。单向导电：给二极管加正向电压时，可以导通，电阻很小，电流较大。加反向电压时，电阻变大，几乎不导通，电流很小。
三极管：也是半导体材料做的，有放大作用，几句话说不清楚，自己找资料看看吧。

F. 半导体二极管有哪些特性

阳极：由P区引出的电极为阳极。

阴极：由N区引出的电极为阴极。

点接触型二极管，通过的电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路。

面接触型二极管，结面积大，电流大，结电容大，适用于低频整流电路。

平面型二极管，结面积较大时可以通过较大电流，适用于大功率整流，结面积较小时，可作为数字电路中的开关管。

开启电压Uon ：使二极管开始导通的临界电压称为开启电压Uon。

反向电流：当二极管所加反向电压的数值足够大时，产生反向电流为IS。

在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下。如图所示。

温度每升高1°C，正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10°C，反向电流约增大一倍。

结论：二极管对温度很敏感。

二极管的主要参数

★最大整流电流IF：指二极管长期工作，允许通过的最大直流电流。

★最高反向工作电压UR：指二极管正常使用允许加的最高反向电压。

稳压管：稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿。

稳压管的主要参数

★稳定电压UZ：UZ是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。

★稳定电流IZ: IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。只要不超过稳压管的额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。

★额定功耗PZM：PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积。稳压管超过此值时，会因结温升高而损坏。

★动态电阻rZ：rZ为稳压管工作在稳压区时，稳压管电压的变化量与电流变化量之比，即 。rZ愈小，电流变化时UZ的变化愈小，稳压性能愈好。

★温度系数 ： 表示温度每变化1°C稳压值的变化量，即 = 。

限流电阻：稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常工作，故称这个电阻为限流电阻。

其它类型二极管：

★发光二极管

发光二极管具有单向导电性。只有当外加的正向电压使得正向电流足够大时才发光，正向电流愈大，发光愈强。

★光电二极管

光电二极管是远红外线接收管，是一种光能与电能进行转换的器件。

光电二极管的工作原理：它是利用PN结外加反向电压时，在光线照射下，改变反向电流和反向电阻，当没有光照射时，反向电流很小，反向电阻很大；当有光照射时，反向电阻减小，反向电流加大。

暗电流：光电二极管在无光照射时的反向电流称为暗电流。

明电流：有光照射时的电流称为明电流。

G. 半导体二极管的参数符号

半导体二极管参数符号解释
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流 管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

H. 通过半导体二极管的IV曲线能读出其四个主要参数么

不行，，，
上面那个是，正向电流IF与压降VF的曲线。。。

I. 半导体激光二极管常用参数有哪些

（1）波长：即激光管工作波长，目前可作光电开关用的激光管波长有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。
（专2）工作电属流Iop：即激光管达到额定输出功率时的驱动电流。
（3）阈值电流Ith：即激光管开始产生激光振荡的电流。
（4）垂直发散角θ⊥：激光二极管的发光带在垂直PN结方向张开的角度，一般在15~40度左右。
（5）水平发散角θ∥：激光二极管的发光带在与PN结平行方向所张开的角度，一般在6~10度左右。
（6）监控电流Im：即激光管在额定输出功率时，在PIN管上流过的电流。更多http://ic.big-bit.com/

J. 半导体二极管的文字符号VD中V是哪个英文单词的缩写

半导体二极管Semiconctor diode！！！V指的是Voltage 电压的意思