半导体帕尔帖系数一般是多少

A. 半导体的霍尔系数的数量级是多少啊

那要根据你产品的类型来分，一般大学试验中的半导体霍尔系数大约为10的三次方数量级
。工厂里的药跟踪霍尔器件的应用来考虑

B. 半导体制冷片使用的陶瓷片导热系数是多少

这半导体制冷片 一小时功耗大概是多少？如果我要 安装在电脑中，请问 我想我以我的观点回答你的最后一个问题我认为半导体制冷的耐用性和传统的风冷是

C. 半导体的塞贝克系数和载流子浓度有什么关系

"塞贝克系数"
为半导体材料的温差电动热（称为塞贝克系数）.I为电流强度.To为冷内端温度.ATHc为冷、热端间的容温差.R为半导体致冷器内电阻 .所以,他们之间并没有多大关系.但他们俩是半导体最重要的两个电学参数!
追问：
“I为电流强度.To为冷端温度.ATHc为冷、热端间的温差.R为半导体致冷器内电阻”这句话和塞贝克系数有什么关系？
追答：
哦，应该这里有个公式，复制时没复制上。你可以上网络上看看。不好意思，手机党！

D. 半导体的导热系数一般是多少，

1-1.5

E. 什么是半导体材料灵敏系数

对某个物理量变化引起的参数的变化量。比如，温度，温度升高一度引起的结电压或结电阻的变化量，就是灵敏度或灵敏系数

F. 半导体的电阻温度系数是正的还是负的为什么

是负的。
半导体抄的电袭阻率主要取决于载流子的浓度和迁移率，两者均与温度有关系。
对于纯半导体材料，电阻率主要取决于本证载流子浓度ni，ni随温度升高会急剧增加，室温左右时，每8℃，硅的ni会增加大约一倍，而迁移率只是稍有下降，所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右。对于锗，每增加12℃，ni增加一倍，电阻率下降一半。本征半导体的电阻率随温度增加单调下降。
对于杂质半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。
温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不显著时，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。
继续升高到本征激发很快增加时，本征激发称为主要影响因素，表现出同本证半导体相同的特征。
而电阻率下降，电阻减小。

G. 实验室中霍尔系数一般为多少

一般为4.62KGS/A，表示的为B/Is的大小。

霍尔元件应用的基本原理为霍尔效应。霍尔效应为一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为UH=RH/d*IC*B。

霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。

霍尔额定激励电流：当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。

霍尔最大允许激励电流：以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。

霍尔输入电阻：霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。

(7)半导体帕尔帖系数一般是多少扩展阅读：

霍尔效应（Hall effect）为指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。

霍尔元件的电阻温度系数：在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。

H. 半导体应变片以压阻效应为主，它的灵敏度系数为金属应变片的多少倍

半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，最后粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。
利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变片相比，具有灵敏系数高（约高 50～100倍）、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反，适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成，称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来，随着半导体集成电路工艺的迅速发展，相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片，上述缺点得到一定克服。半导体应变片主要应用于飞机、导弹、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。

I. 实验室用的霍尔效应仪器的霍尔系数是多少

一般为4.62KGS/A，表示的为B/Is的大小。

霍尔效应（Hall effect）是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。

电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。霍尔效应中霍尔元件的灵敏度与霍尔元件的厚度和载流子的浓度两个因素有关

(9)半导体帕尔帖系数一般是多少扩展阅读

由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。

若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。