1为什么采用半导体材料制作电子器件
A. 为什么选用半导体材料制做电子元器件
因为是半导体，顾名思义。平时不导通，条件改变才能导通，可控。
B. 为什么采用半导体材料制作电子器件
很多原因吧
单向导电性，受外界光、热作用导电性能会改变，半导体中掺如其他物质导电性能会改变。
C. 为什么采用半导体材料制备霍尔元件
因为磁场作抄用于载流金属导体袭、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。
霍尔效应为磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场。
(3)1为什么采用半导体材料制作电子器件扩展阅读：
霍尔元件的相关情况：
1、磁场的一个磁极靠近它，输出低电位电压（低电平）或关的信号，磁场磁极离开它输出高电位电压（高电平）或开的信号，正面感应磁场S极，反面感应N极。
2、因为磁场有两个磁极N、S（正磁或负磁），所以两个磁极分别控制双极性霍尔开关的开和关（高低电平），它具有锁定的作用，也就是说当磁极离开后，霍尔输出信号不发生改变。
3、在静态（无磁场）时，从理论上讲，输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。
D. 霍尔元件为什么采用半导体材料制造
1、半导体迁移率很高，电阻率适中，是制造霍尔元件的较理想材料。金属的迁移率和电阻率均
很低，而不良导体电阻率虽高，但迁移率极小。因此霍尔元件一般采用半导体材料制造。
2、半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。一般半导体材料的能隙约为1至
3电子伏特，通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。半导体在收音机、电视机以及测温上有
着广泛的应用。
3、霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。它是一种基于霍尔效应的磁传感器，用它们可以检测磁
场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。它的优点有结构牢固、体积小、重量轻、寿
命长、安装方便、功耗小、频率高、耐震动等一般用于电机中测定转子转速，如录象机的磁
鼓，电脑中的散热风扇等。
E. 为什么电子有源器件都是有半导体材料制成的
有源器件也就是需要外接电源时才能进行放大等工作的器件，这种器件就版是晶体管和一些微波二权极管等。而这些固体器件只能采用半导体才能实现放大等功能（其它的一大类有源器件就是真空管）。利用半导体、发明了晶体管是一个伟大的成就。
F. 为什么半导体材料可用于制作放大器件
由于半导体中存在电子和空穴两种载流子，可以通过掺杂形成P型的或者N型的版半导体。比如在权Si或Ge中掺入P等V族元素会形成N型半导体，掺入B、Ga等III族元素会形成P型半导体。当一块纯的Si半导体两端分别掺入P和Ga时，就会形成PN结。
PN结是半导体器件的基础，制成的二极管、三极管就有放大作用。
建议你看看半导体物理、模拟电路等，里面讲的很详细。
G. 霍尔元件为什么要用半导体材料制作
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位版差的物理现象。当电权流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。而半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，因此多选用半导体材料制作。
H. 为什么采用半导体材料制作电子器件
我觉得半导体最强的是它的控制作用，可以让电子电路功能丰富许多
I. 为什么霍尔元件多采用N型半导体材料制作
霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感专应强度为B的磁场，则在属宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：
UH=RH/d*IC*B
（1）
式中，RH称为霍尔系数，由导体材料的性质决定；d为导体材料的厚度，IC为电流强度，B为磁感应强度。
设RH/d=K，则式（1）可写为：
UH=K*IC*B
(2)
可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称霍尔系数。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。
霍尔系数:K=1/(n*q)式中，n为载流子密度，一般金属中载流子密度很大，所以金属材料的霍尔系数系数很小，霍尔效应不明显；而半导体中的载流子的密度比金属要小得多，所以半导体的霍尔系数系数比金属大得多，能产生较大的霍尔效应，故霍尔元件不用金属材料而是用半导体。而在半导体材料中，N型半导体材料的载流子迁移率比P型半导体材料大，所以霍尔元件多采用N型半导体材料制作。
希望对你有所帮助。
J. 为什么采用半导体材料制作电子器件<详细点吧>
这个主要是半导体材料的特性决定的
参不同杂质他的导电性能有很大的变化