半导体热是怎么回事

Ⅰ 半导体单晶热处理的温度要求和目的

①热处理温度要求：650±5℃；
②热处理目的：还原直拉单晶硅片真实电阻率；

1、热处理后电阻率会有什么变化
由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃），以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的，这些氧杂质在器件工艺的热循环过程中由于固溶度的降低会产生氧沉淀。一般而言，氧浓度越高，氧沉淀越易成核生长，形成的氧沉淀也就越多。反之，氧沉淀就越少。尤其是当氧浓度小于一定值时（＜5×1017个/厘米3），几乎就观察不到氧沉淀的形成。
2、热处理的几个温度区间概念：
热施主：350-550℃，代表温度450℃.
450℃热处理后（或同等效果，如单晶在炉子里的冷却），可观察到N型样品的电阻率下降而P型样品的电阻率增高，有如引入一定数量的施主现象一样。这是由于在此温度下，溶解的氧原子迅速形成络合物（SiO4）所引起的热生施主，其电阻率与硅中氧含量的四次方成反比。
新施主：550-800℃，代表温度650℃.
650℃热处理，在迅速冷却的条件下（即迅速跨过450℃），可消除热生施主。即我们可观察到N型样品电阻率恢复高；P型样品电阻率恢复低。
沉淀：800-1200℃，代表温度1050℃
1050℃热处理，会带来氧沉淀，且因沉淀诱生层错等缺陷。
还原：＞1200℃
＞1200℃热处理，氧恢复到间隙态。

Ⅱ 什么是半导体的热平衡状态

没有受到外界作用（即无电压、光照等）的半导体,就说它处于热平衡状回态.
这时半导体中答的载流子称为平衡载流子,在温度不变时,载流子浓度是一定的.载流子在各个能级上的分布遵从平衡统计分布函数——Fermi分布函数或者Boltzmann分布函数.Fermi能级概念适用.

Ⅲ 半导体冷热切换COLD代表什么

以半导体线路控制的任何设备，尤其冷热切换上COLD 代表是”冷”HOT 代表热。

Ⅳ 功率半导体芯片制造中用的热、 气 ，分别指的是什么

半导体芯片制造过程抄都要很严谨的设备，包括功率作用的半导体也一样。
一般来说半导体制程中的
“热”包括：晶圆的拉晶用高温蒸镀电热管，切晶圆和功率晶粒，功能晶片的高温钻石刀，封装的高温制程有各种热导管和热熔炉，测试用的高温高压蒸馏炉箱。
“气”包括有各种氧气，氮气，酸性，碱性，活化气，钝化气，阻隔气体和促进气体。

Ⅳ 半导体热效应

是不是半导体的导通的时候就会发热，截至的时候就相当于开路.

Ⅵ 半导体通电后为什么会发热

"发热"肯定有“东西”做功

“半导体”是相对“导体”的概念

当加电压后“半导体”在内电场的作用下容，半导体内就形成“定向”的电子移动 这种电子“多”了就形成了“电流”如果这样的电流没有“阻力”的作用是不会做功的
就像一个没受外力作用的物体将做匀速直线运动。
但如果有了“外力”的作用，即阻碍电流运动的“外力”---电阻， 那就会因为电阻而做功。

Ⅶ 半导体加热和电磁加热哪个好

一般来说目前功率比较大的比较常用的还是电磁加热，日常的电磁炉就是用这个原理制成的，而半导体加热的话并不太多见呢。

Ⅷ 什么是半导体的热平衡状态

热平衡指的是半导体的电子系统有统一的费米能级，电子和空穴的激发与复合达到了动态平衡，其浓度是恒定的，载流子的数量与能量都是平衡的。

Ⅸ 半导体加热和制冷

半导体致来冷器，基于帕源尔帖效应，珀尔帖效应的论述很简单——当电流通过热电偶时，其中一个结点散发热而另一个结点吸收热，这个现象由法国物理学家Jean Peltier在1834年发现。电流正向流过时，上部制冷，下部发热。当电流反向流过时，上部发热，下部制冷。

Ⅹ 半导体加热器的工作原理是什么呢可以详细说明一下吗

是否是指半导体制冷器（TEC Thermo Electri Cooler） ？它是以帕尔帖效应为基础的一种制冷技术内。它的简 单工作容原理是:当把N型和P型半导体元件联结成电偶对并在两块半导体上通上直流电时，电偶对的一端就会吸热逐渐变冷，这一半导体端叫做冷端;另一端会放热变热，称为热端。
是致冷还是加热，以及致冷、加热的速率，由通过它的电流方向和大小来决定。
机理主要是电荷载体在不同的材料中处于不同的能量级，在外电场的作用下，电荷载体从高能级的材料向低能级的材料运动时，便会释放出多余的能量。反之，电荷载体从低能级的材料向高能级的材料运动时，需从外界吸收能量。