MOS半导体存储器叫什么
1. 常用半导体存储器有哪几类各有什么特点
ROM、EPROM、SRAM、DRAM...
分类、特点,微机原理的书上,写的很清楚。
楼主找本书看看,即可。
2. 半导体存储器中,RAM指的是什么
RAM 是随机存取存储器,它的特点是易挥发性,即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入,反复读取),它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写两种类型。
3. 半导体存储器分为哪两种
按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)
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4. 什么是半导体存储器有什么特点
半导体存储器(semi-conctor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。 按其制造工艺可分为:回双极晶体管存储器和答MOS晶体管存储器。 按其存储原理可分为:静态和动态两种。 其优点是:体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。 主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。 半导体存储器的两个技术指标是:存储容量和存取时间。
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5. 半导体存储器是从第几代计算机开始出现的
半导体存储器从第二代计算机后期,第三代计算机开始就已经是出现了。
6. 高速缓存是MOS半导体存储器还是双极型半导体存储器
肯定是CMOS型,以三极管为核心的双极型器件根本达不到那么高的速度。
7. MOS型半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种,他们之中什么芯片的电路简单,集成度高成本较低但速度慢
先说你的答案:
DRAM即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很专短的属时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)。
SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,且功耗较大。
SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
8. 半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是什么
不知道啊
9. 属于半导体存储器的有什么
半导体存储器的分类
按功能可以分为只读和随机存取存储器两大类。所谓只读,从字面上理解就是只可以从里面读,不能写进去,它类似于我们的书本,发到我们手回之后,我们只能读里面的内容,不可以随意更改书本上的内容。只读存储器的英文缩写为ROM(READ ONLY MEMORY)--如计算机里的南北桥芯片
所谓随机存取存储器,即随时可以改写,也可以读出里面的数据,它类似于我们的黑板,我可以随时写东西上去,也可以用黑板擦擦掉重写。随机存储器的英文缩写为RAM(READ RANDOM MEMORY)这两种存储器的英文缩写一定要记牢。--如计算机里的内存条,显卡的显存
注意:所谓的只读和随机存取都是指在正常工作情况下而言,也就是在使用这块存储器的时候,而不是指制造这块芯片的时候。否则,只读存储器中的数据是怎么来的呢?其实这个道理也很好理解,书本拿到我们手里是不能改了,可以当它还是原材料——白纸的时候,当然可以由印刷厂印上去了。
顺便解释一下其它几个常见的概念。
PROM,称之为可编程存储器。这就象我们的练习本,买来的时候是空白的,可以写东西上去,可一旦写上去,就擦不掉了,所以它只能用写一次,要是写错了,就报销了。
EPROM,称之为紫外线擦除的可编程只读存储器。它里面的内容写上去之后,如果觉得不满意,可以用一种特殊的方法去掉后重写,这就是用紫外线照射,紫外线就象“消字灵”,可以把字去掉,然后再重写。当然消的次数多了,也就不灵光了,所以这种芯片可以擦除的次数也是有限的——几百次吧。
FLASH,称之为闪速存储器,它和EPROM类似,写上去的东西也可以擦掉重写,但它要方便一些,不需要光照了,只要用电学方法就可以擦除,所以就方便许多,而且寿面也很长(几万到几十万次不等)。
再次强调,这里的所有的写都不是指在正常工作条件下。不管是PROM、EPROM还是FLASH ROM,它们的写都要有特殊的条件,一般我们用一种称之为“编程器”的设备来做这项工作,一旦把它装到它的工作位置,就不能随便改写了。
10. 半导体存储器的结构主要包括哪三个部分
7.1 概述
半导体存储器以其容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等特点,已广泛应用于数字系统。
根据用途分为两大类:
1 、只读存储器 ROM 。 用于存放永久性的、不变的数据。
2 、随机存取存储器 RAM 。 用于存放一些临时性的数据或中间结果,需要经常改变存储内容。
7.2 只读存储器
各种存储器中结构最简单的一种。在正常工作时它存储的数据是固定不变的,只能读出,不能随时
写入,故称只读存储器。
分类:
使用的器件类型 : 二极管 ROM 双极型三极管 ROM MOS 管 ROM
数据的写入方式 :
固定 ROM :无法更改,出厂时已定
可编程 ROM ( PROM ):用户只可写入一次
可擦可编程 ROM ( EPROM ):可写可擦,但费时长,操作复杂电抹可编程 ROM ( E2PROM )
7.2.1 固定 ROM 的结构和工作原理
一、电路组成
图 7.2.1 4*4 二极管ROM的结构图
(a)二极管的结构 (b)存储矩阵示意图
它由一个二线 ― 四线地址译码器和一个 4×4 的二极管存储矩阵组成。存储矩阵由二极管或门组成,
其输出为 D 0 ~ D 3。为输入的地址码,可产生 W0 ~ W 3 4 个不同的地址,W 0 ~ W 3 称
为字线,用以选择存储的内容,D 0 ~ D 3 称作位线。
在 W 0 ~ W 3 中,任一输出为高电平时,在 D 0 ~ D 3 4 根线上输出一组 4 位二进制代码,每组代
码称作一个字。
二、读数
举例分析 ROM 的存储原理。
7.2.2 可编程只读存储器( PROM )
可编程只读存储器是一种用户可直接向芯片写入信息的存储器,这样的 ROM 称为可编程 ROM ,简称
PROM 。向芯片写入信息的过程称为对存储器芯片编程。
7.2.3 可擦除可编程只读存储器( EPROM )
它允许对芯片进行反复改写。
根据对芯片内容擦除方式的不同可分为:
一、 EPROM ,紫外线擦除方式,数据可保持 10 年左右。
二、 EEPROM (也写作 PROM ),电擦除可编程方式,速度快,数据可保持 10 年以上时间。
7.3 随机存取存储器
7.3.1 RAM 的基本结构和工作原理
优点:读写方便,使用灵活。
缺点:掉电丢失信息。
一、 RAM 的结构和读写原理
7.3.2 RAM 的存储单元
一、静态随机存取存储器( SRAM )的存储单元电路
图7.3.16管CMOS静态存储单元原理图
1 .存储单元
存储单元由 V 1 ~ V 6 组成。两个稳定状态,分别存储数据 1 和 0 。
2 .列选择线 Y 和读/写控制电路
图中 V 5 、 V 6 为受列选择线 Y 控制的门控管, G 4 、 G 5 和三态门 G 1 ~ G 3 构成读/写
控制电路。
当列选择线为低电子 0 时, V 7 、 V 8 均截止,封锁了存储单元位线与输入 / 输出端的通路,使存
储单元的数据不能读出,也不能被外信号改写。当列选线为高电平 1 时, V 7 、 V 8 导通,对存储单
元可进行读 / 写操作,由读 / 写控制电路和 的状态控制集成静态存储器 2114A
图7.3.22114A 电路结构框图和外引线图
(a)电路结构框图(b)外引线图
Intel 2114A 是单片 1 K×4 位(即有 1 K 个字,每个字 4 位)的静态存储器( SRAM ),它是双列
直插 18 脚封装器件,采用 5V 供电,与 TTL 电平完全兼容。
二、动态随机存取存储器 (DRAM) 的存储单元电路
动态存储单元是由 MOS 管的栅极电容 C 和门控管组成的。数据以电荷的形式存储在栅极电容上,电容
上的电压高表示存储数据 1 ;电容没有储存电荷,电压为 0 ,表明存储数据 0 。因存在漏电,使电容
存储的信息不能长久保持,为防止信息丢失,就必须定时地给电容补充电荷,这种操作称为 “ 刷新 ”
由于要不断地刷新,所以称为动态存储。包括 4 管 MOS 动态存储单元电路和单管 MOS 动态存储单元等
7.4 RAM 的扩展
当单片 RAM 不能满足存储容量的要求时,这时可把多个单片 RAM 进行组合,扩展成大容量存储器。
一、 RAM 的位扩展
图7.4.1 RAM的位扩展
二、 RAM 的字扩展
字扩展就是把几片相同 RAM 的数据线并接在一起作为共用输入输出端(即位不变),读 / 写控制线也
接在一起,把地址线加以扩展,用扩展的地址线去控制各片 RAM 的片选 线 。
图7.4.2RAM 的字扩展
三、 RAM 的字、位扩展
当 RAM 的位线和字线都需要扩展时,一般是先进行位扩展,然后再进行字扩展。
图7.4.3RAM 的字、位扩展
7.5ROM的应用
本章小结:
一、只读存储器 ROM(Read Only Memory)
1 .读存储器具有供电电源切断时, ROM 中存储的信息不会丢失的特性。
2.ROM 的基本结构是由一个固定连接的与门阵列和一个可编程连接的或门阵列所组成。
3. 是一种在正常工作情况下只能读取而不能写入数据的存储器,在计算机中主要用于存放执行程序、
数据表格和字符等。
二、随机存取存储器( RAM )
1 .按存储单元的特性分为:
SRAM :静态随机存储器
DRAM :动态随机存储器
2 .在使用时可以随时从任一指定地址取出(读出)数据,也可以随时将数据存入(写入)任何
指定地址的存储单元中去。
3 .特点:优点是读写方便,使用灵活。缺点是存在易失性,一旦断电所存储的数据便会丢失,
不利于数据长期保存。