什么是直接带隙半导体

『壹』 直接带隙和间接带隙的区别

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子专要跃迁到导带上属产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。

『贰』 如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。

光效率很大的话差专不多就是直接带隙，发光效率低属的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。

间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

(2)什么是直接带隙半导体扩展阅读：

光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。

光致发光特点：

1、光致发光优点

设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。

2、光致发光缺点

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。

『叁』 什么是直接禁带半导体

直接禁带半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值在k空间中同一位置。电内子要跃迁到导带容上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量，动量保持不变。
直接带隙半导体（Direct gap semiconctor）的例子：GaAs、InP半导体。相反，Si、Ge是间接带隙半导体。
直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变——满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合）时，也可以保持动量不变——直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子）——发光效率高（这也就是为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作的根本原因）。

『肆』 关于半导体中的直接带隙与间接带隙

简单的说直接带隙半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体，间接带隙半导体就是它们不处于同一点的半导体。你可以看一下下面的参考资料

『伍』 直接带隙半导体的介绍

直接带隙半导体（Direct gap semiconctor）的例子：GaAs、InP半导体。相反，Si、Ge是间接带隙半导体。

『陆』 直接带隙半导体

直接带隙半导体抄材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量.
间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置.形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量.
间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置.电子在k状态时的动量是（h/2pi）k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量.

『柒』 什么是直接禁带半导体间接禁带半导体

直接带隙半导体就是导带最小值和满带最大值在k空间中同一位置,
而间接带隙半导体的导带最小值和满带最大值在k空间中位于不同位置.

『捌』 什么是直接带隙宽禁带半导体

倒带极小值，价带极大值对应于相同的波矢，是直接带隙半导体，那宽禁带就是禁带很宽的直接带隙半导体

『玖』 直接带隙和间接带隙有什么区别

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同专一位置。电子属要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。
间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。