半导体工艺WT是什么

A. 机械图纸中粗糙度后面的wt是什么意思

机械图纸中粗糙度后面的wt是表面波纹度的意思。Wt 波纹度最大高度，Wt定义了在轮廓评价长度内的最大峰－谷高度。(例如，在评价长度内最高的峰和最深的谷间之和。)

如下图所示：

B. 半导体工艺过程专业术语（中英文简称及全称）及定义

CP: chip probe, 晶圆芯片测试

FT: final test, 成品测试

and so on ...

C. 请问半导体后道工艺中molding是做什么的

1、半导体后道工艺中“molding”是：注塑成型，就是把一片片已经焊上芯片（DIie Bond），焊专上线（Wire Bond）的属框架（Leadframe）塑封起来。

D. 半导体工艺职位简称都有哪些啊越全越好

只是工艺的话我知道的有：PE PIE
还有设备的：EE/ME
良率：YE
研发：R&D

E. 半导体封装里，英文缩写TF代表什么工序

半导体封装里，英文缩写TF代表什么工序
Thin film薄膜区,芯片生产最后一道工序,\
之后就是测试了

F. 半导体工艺的四个重要阶段是什么

以追溯各个时代发展半导体工艺的四个重要阶段分别是，1. 毫米阶段
2. 微米阶段
3. 次微米阶段
4.纳米阶段

G. 半导体封装公司里面的工序，比如WB,MOLD,SOLDER BALL的RF和DC plasma有什么区别

工序分前道后道，前道主要有BG/DP（背磨），DA（贴die），WB（金线键合），后道有内MD（注塑），BM（植球，容用solder ball），SS（切单）。具体的还得根据不同的产品，以上是BGA产品。Plasma是电浆清洗，不能算大工序，前后道都会有用。

H. 有关半导体工艺的问题

首先说明一下，半导体中所谓的工艺指得是IC在由设计文件生产成为实体的过程步骤和技术（这是我自己组织的语言，明白是什么意思就成了），比如你所说掺杂、注入、光刻、腐蚀都是现在比较流行也是传统的半导体生产工艺。 而扩展到集成电路上，这个“工艺”一般又多了一层“特征尺寸”的感念，比如人们常说“我这CPU是core2o，用得是45nm的工艺”。当然现在最先进的工艺已经达到了30nm左右，甚至在实验室中有更低的数值得以实现.

至于你说的MOS，CMOS这些东西，我个人认为不能称之为“工艺”，而是电路组成形式。以CMOS为例，它的意思是“互补对称型MOS”，即电路中的基本单元是一个反向器（由一个NMOS和一个PMOS构成），--整个电路都是由这种单元组成，因此它是一种电路组成形式。

工艺和电路组成形式的对应关系是：CMOS为单极型工艺（口头上即称为COMS工艺，所以容易产生你的那种误解），是数字电路的代表；TTL电路形式为双极型工艺（口头上就是双极型），是模拟电路的代表。而前面所说的“掺杂、注入、光刻、腐蚀”多用于单极型工艺，双级型也类似但具体还是有些不同的。

die bond,wire bond则是封装工艺。

如果我去回答面试的那几个问题时，我基本上就从“特征尺寸”和工艺流程上说一下。中国大陆现在能做的最小工艺尺寸就是45nm（如INTEL的大连厂）了，要算上台湾的话，基本能做到世界最先进的水平（TCMC和中芯国际），不过知识产权是不是自己的就不好说了。第三个问题我会反问下考官是是指的电路形式还是工艺流程，因为现在有些企业负责的人自己业务都搞得不怎样，问问题也比较奇怪

I. 什么是半导体工艺

这个课题太大!因为涉及半导体材料的泛范围太广了!简单地说:以半导体材料及衍生材料为主体的各种工艺研发和制造都称为半导体工艺!半导体:顾名思义!就是导电率介于导体和绝缘体之间的金属及非金属材料!常见的硅,锗,都属于此类!