半导体中什么是STI

Ⅰ STI中的GRB是什么意思

STI准确来的说是富士重工源旗下的斯巴鲁（SUBARU）汽车公司的一个机构，即斯巴鲁运动改装部，一般把这个部门改装过的车型统称为STI，属于民用车款的高性能版本。你说的STI是指翼豹(Impreza)，当年斯巴鲁为了增强在WRC中的竞争力，用改装过的翼豹代替了老款的力狮（Legacy），此后在WRC赛事中成为了冠军的有力竞争者。翼豹STI中最知名、被视为改装典范的是98年款的22B，斯巴鲁唯一的一款双门轿车，限量400，到现在仍然是收藏者的抢手货

Ⅱ 渠道管理中 SO和STI目标具体指什么

二者是渠道管理中两种目标的缩写，具体释义如下：

STI是Sell through in的简写，一般分一级二级专，指厂家下货到属一级代理商，或者一级代理商下货到二级分销商的下货数据，并不是最终已经卖给消费者的量。

SO是Sell out的简写，指销售给最终端，也就是消费者的销售数据。

(2)半导体中什么是STI扩展阅读：

渠道管理存在的问题：

1、渠道不统一引发厂商之间的矛盾

企业应该解决由于市场狭小造成的企业和中间商之间所发生的冲突，统一企业的渠道政策，使服务标准规范，比如有些厂家为了迅速打开市场，在产品开拓初期就选择两家或两家以上总代理，由于两家总代理之间常会进行恶性的价格竞争，因此往往会出现虽然品牌知名度很高，但市场拓展状况却非常不理想的局面。

2、渠道冗长造成管理难度加大

应该缩短货物到达消费者的时间，减少环节降低产品的损耗，厂家有效掌握终端市场供求关系，减少企业利润被分流的可能性。

Ⅲ 微机原理与接口技术中STI是什么意思

开中断指令

Ⅳ 工资单里sti是什么

我是看了这张图片搜索到你的问题的！呵呵！

Ⅳ tsi和sti有什么区别

tsi 带涡轮增压的燃油直喷发动机，大众的
sti 斯巴鲁专用改装。一般特指斯巴鲁翼豹车系的高性能版本。在圈里sti就直接代表斯巴鲁翼豹wrx sti。

Ⅵ 浅槽隔离工艺sti是什么

STI是英文 shallow trench isolation的简称，翻译过来为 浅槽隔离 工艺。 STI通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。
下面详细介绍一下浅槽隔离的步骤，主要包括：槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化。
槽刻蚀
隔离氧化层。硅表面生长一层厚度约150埃氧化层；可以做为隔离层保护有源区在去掉氮化物的过程中免受化学沾污。
氮化物淀积。硅表面生长一薄层氮化硅：a)由于氮化硅是坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积过程中保护有源区 b)在CMP时充当抛光的阻挡材料。
掩膜，浅槽隔离
STI槽刻蚀。在经过上面的光刻之后把没有被光刻胶保护的区域用离子和强腐蚀性的化学物质刻蚀掉氮化硅、氧化硅和硅。需要注意的是会在沟槽倾斜的侧壁及圆滑的底面有助于提高填充的质量和隔离结构的电学特性
氧化物填充
沟槽衬垫氧化硅
硅片再次清洗和去氧化物等清洗工艺后，高温下在曝露的隔离槽侧壁上生长150埃的氧化层，用以阻止氧分子向有源区扩散。同时垫氧层也改善硅与沟槽填充氧化物之间的界面特性
沟槽CVD氧化物填充
氧化物平坦化
化学机械抛光
氮化物去除

Ⅶ STI-10A在电气图里面代表什么

应该是一个安全联锁开关。

Ⅷ Sti和TSI有什么区别

TSi散热系统，该散热系统拥有Twin双风扇、Silent静音、Intelligent智能三大优势

其实也没啥,就那么回事.把老的东西凑一凑弄出来的

Ⅸ 半导体中的STI是什么意思

shallow trench isolation
浅沟道隔离来
特点：
能实现高密度自的隔离，适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。
一般在器件制作之前进行，热预算小。
STI技术工艺步骤：首先，类似LOCOS，依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶，光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。其次，利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。然后，进行场区注入，再用CVD淀积SiO2填充沟槽。最后，用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层，使硅片表面平整化。
工艺复杂，需要回刻或者CMP