半导体电阻为什么会变

『壹』 半导体材料的电阻的情变化情况

①：由于待测电阻的抄阻值较小远小于电压表内阻，所以电流表应用外接法；从数据表可知，电流从零调，所以变阻器应采用分压式接法，故电路图应是B；
②：从表中数据可知，温度越高（电流越大）时，求出的电阻越小，可判断元件是半导体材料；
③：在不断开电路情况下，检查电路故障时不能使用电流挡和欧姆挡，从表中数据可知最高电压是1.5V，所以应该使用直流电压2.5V挡；
由于黑表笔接在电压表的正极，所以将多用表的红、黑表笔与电流表“+”、“-”接线柱接触时，多用电表指针发生较大偏转，说明电路故障是电流表断路；
故答案为：①B；②半导体；③直流电压2.5V，电流表断路

『贰』 1,半导体随着温度升高,其电阻率的变化如何为什么

半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。
因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。
随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。

『叁』 半导体应变片的电阻变化是由什么因素产生的

应变片是一个电阻,当收外力作用时长度和截面积发生变化,其阻值也就发生变化,以此来测量外力导致的形变.

『肆』 半导体随温度电阻率逐渐变小，为什么

以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。因版为半导体价带权上的电子，随着温度的升高，不断地被激发到导带，使载流子的数量增加，其导电性得到不断加强，电阻率变小；
当温度上升到一定高度，价带电子的激发到了极限，同时晶格的热振动加剧，对载流子的散射作用也增强。这时，随着温度的进一步升高，半导体的电阻率则反而会增大。

『伍』 半导体的电阻为什么随温度升高而降低

温度上升后，半导体内部的电子或者空穴摆脱原子核对其控制的能力就会增大，成为自由电子或空穴，从而以这些为基础的载流子浓度就会增大，导电能力也就增大。换言之，其最阻变大。

『陆』 导体、半导体和绝缘体的电阻随温度的变化如何变化

多数导体抄的电阻随温袭度的升高电阻增大，绝缘体的电阻极高，对温度的变化不明显。半导体的电阻对温度变化很敏感，因此常用于热敏电阻的制造，热敏电阻根据材料不同可以是正温度系数，也可以是负温度系数。

用一定的直流电压对被测材料加压时，被测材料上的电流不是瞬时达到稳定值的，而是有一衰减过程。

在加压的同时，流过较大的充电电流，接着是比较长时间缓慢减小的吸收电流，最后达到比较平稳的电导电流。被测电阻值越高，达到平衡的时间则越长。

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测量时为了正确读取被测电阻值，应在稳定后读取数值。在通信电缆绝缘电阻测试方法中规定，在充电1分钟后读数，即为电缆的绝缘实测值。

但是在实际上，此方法有些不妥，因为直流电压对被测材料加压时，被测材料上的电流是电容电流，既然是电容电流，就与电缆的电容大小有关。

电容大需要充电的时间就长，特别是油膏填充电缆，就需要的时间要长一些。所以同一类型的电缆，由于长度不一样，及电容大小不一样，充电时间为一分钟时读数显然是不科学，还需进一步研究和探讨。

『柒』 为什么随温度升高，半导体电阻变小，导体电阻变大

特性 电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。 半导体室温回时电阻率约在10E-5～10E7欧姆·米之间，答温度升高时电阻率指数则减小。 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。 锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体：意指半导体收音机，因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。

『捌』 半导体在什么杂质等外界因素作用下他的电阻会发生很大的变化

半导体在磷或硼杂质等外界因素作用下，他的电阻会发生很大的变化 。

『玖』 半导体随温度电阻率逐渐变小，为什么

半导体导电是通过载流子进行的，载流子数量越多，导电性能越好，也就是电阻率越低。
温度上专升属时，半导体电子热运动活动剧烈，能量增加，由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低（半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的），所以半导体带隙降低，Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T)，所以Eg越低导致ni^2 越高，由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下，电流变大，反映出的是电阻率变低。

https://..com/question/1987779684801752987
我在这里也有较为详细的解释，敬请参考。

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