半导体线宽是指什么
Ⅰ 半导体工艺中技术节点尺寸是指什么
目前囯际上半导体晶圆闸极工艺的技术节点指线宽，解决线宽尺寸才是道理，你这是个理论间距问题比较次要。
Ⅱ 光刻工艺中表面线宽是指什么
线条图形的最小宽度
Ⅲ 半导体物理中，能带宽度与禁带宽度的区别是什么
1、概念不同：
能带宽度：为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。禁带宽度：为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力，禁带宽度就是组电的能力。
2、所含电子不同：
能带：是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期，在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。
它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点，并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在，解释了晶体中电子的平均自由程问题。
禁带宽度：是指一个能带宽度，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
例如：锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.46ev。‘
(3)半导体线宽是指什么扩展阅读：
结构
固体材料的能带结构由多条能带组成，能带分为传导带（简称导带）、价电带（简称价带）和禁带等，导带和价带间的空隙称为能隙。
能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由来。材料的导电性是由“传导带”中含有的电子数量决定。当电子从“价带”获得能量而跳跃至“传导带”时，电子就可以在带间任意移动而导电。
Ⅳ “线宽”指的是集成电路内部电路导线的宽度，是衡量集成电路技术先进程度的标志之一，线宽越小，集成电路
∵1μm=103nm，∴0.13μm=0.13×103nm=130nm．
故答案为：130．
Ⅳ 半导体工艺 的最小线宽是指金属连线的还是栅的宽度
从器件来讲，主要是指栅极长度（一般，栅极长度小于栅极宽度）。
从加工精度来讲，主要是指套刻精度（最小间距）；最小线宽是引线孔尺寸。
因为并无统一的看法，仅供参考。
Ⅵ 半导体工艺里的特征图形尺寸指的是什么的尺寸是一个最小cell的尺寸吗还是互联线的宽度
光刻之后腐蚀后的线宽。 单线的最小宽度。 也就是表示你的工艺线设备能做到什专么程度
附：
特征属尺寸即CPU表面电路的特征线宽，我们常说的130nm制程、90nm制程指的就是CPU的特征尺寸。特征尺寸越小，单位面积内的晶体管集成度就越高。
在微电子学中，特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺寸，如MOS管的栅长，特征尺寸是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，速度越快，性能越好
Ⅶ 硅片上的线宽是起什么作用
硅片上的线宽就是指集成电路（IC芯片）线宽，指由特定工艺决定的所能回光刻的最小尺寸答，一般等于沟道的最小宽度。集成度与线宽有对应关系，线宽越小即集成度越高，而集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。集成度越高，所容纳的元件数目越多，如64M集成电路，集成度为64M，粗略地讲，这种单块芯片上集成有6000万个元件，由于技术飞速进步，华为公司用于手机的鲲鹏920处理器芯片，指甲盖大小的面积上集成了超过10亿只晶体管！而以前的晶体管收音机不过也就是四到八个晶体管。
Ⅷ 半导体工业中的最小线宽指的是FET中源极到漏极的距离么也就指的是栅极的宽度
MOS工艺中最小线宽又叫特征尺寸，在设计时，常指的是MOSFET的栅极的长度L，理论上版来说，栅极的长度就是它权所控制的沟道长度（即漏极与源极之间的距离），但实际上，由于在源极与漏极进行掺杂时存在横向扩散，所以L其实是导电沟道的长度，在标准MOS工艺中，往往栅极会把沟道整个盖住，所以栅长是比沟道长度稍大一些的。
Ⅸ 集成电路的集成度和线宽是指什么
是一种制造工艺尺寸，5微米表示工艺线宽是5微米。如米，毫米，微米。
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Ⅹ 现在主流的集成电路芯片的线宽是多少
现在主流的集成电路芯片的线宽是65nm以下，甚至45nm，32nm都已经比较常见了。集成电路芯片是包括一硅基版板、至少一电路、权一固定封环、一接地环及至少一防护环的电子元件。
路形成于硅基板上，电路具有至少一输出/输入垫。固定封环形成于硅基板上，并围绕电路及输出/输入垫。接地环形成于硅基板及输出/输入垫之间，并与固定封环电连接。防护环设置于硅基板之上，并围绕输出/输入垫，用以与固定封环电连接。
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。